據LEDinside了解，近幾年來，國家大力扶持半導體產業，5G商用化、新能源汽車等新興應用的發展以及相關政策的出臺均加速了化合物半導體的國產化進程。2019年，多個第三代半導體產業相繼落地及開工建設，包括氮化鎵項目、寬禁帶半導體材料項目、碳化硅襯底項目以及藍寶石襯底項目等。

其中，去年12月初，浙江博藍特就宣布擬在金華經濟技術開發區建設年產15萬片第三代半導體碳化硅襯底及年產200萬片用于Mini/Micro-LED顯示技術的大尺寸藍寶石襯底研發及產業化的合作項目，總投資10億元。

隨后，杭州灣新區與中國電子信息產業集團有限公司全資子公司華大半導體有限公司共同投資的第三代半導體材料項目落戶杭州灣新區。該項目計劃年產8萬片4吋至6吋碳化硅襯底及外延片、碳化硅基氮化鎵外延片，產品可廣泛應用于5G通訊、新能源汽車、軌道交通、智能電網等領域。

今年初，又有一個第三代半導體大項目集中開工。1月2日，江蘇省委、省政府舉行2020年全省重大產業項目建設現場推進會議，聯動推動省市縣三級近1500個重大產業項目開工建設。

徐州發布官方消息顯示，徐州市首批136個項目參加全省重大產業項目集中開工，總投資782億元，今年計劃投資469億元。其中，戰略性新興產業項目57個、投資372億元；先進制造業項目62個、投資314億元；現代服務業項目17個、投資96億元。

隨后，徐州市2020年重大產業項目集中開工暨天和通訊（徐州）第三代半導體產業基地開工活動在徐州舉行。

據悉，天和通訊（徐州）第三代半導體產業基地項目，總投資60億元、建筑面積42萬平方米，全部達產后，5G高頻濾波器將打破美國壟斷，大功率LED芯片規模將達到全球第二位，必將為徐州構建第三代半導體全產業鏈、打造全國集成電路及ICT產業新高地提供強力支撐。（LEDinside Janice整理）