硅襯底GaN基近紫外LED技術(shù)涉及使用硅襯底（substrate）作為氮化鎵（GaN）LED的基板，以制造近紫外光發(fā)射的LED器件。該技術(shù)在各種領(lǐng)域中具有廣泛的應用，包括紫外線固化（用于印刷和涂覆過程中的精確固化）、生物醫(yī)學成像（用于顯微鏡和光學成像系統(tǒng)）、通信（用于高速數(shù)據(jù)傳輸）等。作為一項具有重要應用前景的技術(shù)，克服晶格匹配和質(zhì)量控制等技術(shù)挑戰(zhàn)仍然是該技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵挑戰(zhàn)之一。

近日，以“構(gòu)建紫外新興業(yè)態(tài)、促進科技成果轉(zhuǎn)化”為主題的“第三屆紫外LED國際會議暨長治LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進大會”在山西長治盛大開幕。會議由長治市人民政府、中關(guān)村半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）主辦，長治市發(fā)展和改革委員會、長治國家高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管委會承辦。

期間，”紫外LED固化及創(chuàng)新應用分會“上，晶能光電股份有限公司外延工藝經(jīng)理周名兵帶來了“硅襯底GaN基近紫外LED技術(shù)開發(fā)及應用”的主題報告，分享了硅襯底UVA LED技術(shù)的最新進展。

根據(jù)波長的不同，UV主要分為UVA（320~410nm）、UVB（280nm~320nm）、UVC（200nm~280nm）。近紫外UVA，特別是365nm-385nm，受GaN層吸光比較嚴重，業(yè)內(nèi)主要采用垂直LED芯片結(jié)構(gòu)。近紫外UVA垂直結(jié)構(gòu)LED硅襯底濕法剝離，具有襯底剝離損傷小，制程良率高，可靠性高的優(yōu)勢，也面臨著硅襯底上高質(zhì)量GaN-AlGaN外延技術(shù)挑戰(zhàn)。

報告指出，硅襯底上高質(zhì)量GaN-AlGaN外延技術(shù)挑戰(zhàn)，涉及通過多層AlGaN改善GaN_on_Si裂紋和晶體質(zhì)量。目前晶能光電硅襯底外延技術(shù)GaN-on-Si領(lǐng)域，已有超過15年的硅襯底GaN外延積累，從2英寸發(fā)展到12英寸，具有低翹曲、高均勻性、高可靠性的外延技術(shù)。以及高光效的GaN-on-Si LED。硅襯底GaN LED 全色系外延方面，同時具備365nm~650nm的UV&RGB InGaN LED 硅襯底外延能力。硅襯底 GaN LED 垂直芯片技術(shù)方面，晶能光電具有近20年的硅芯片制程經(jīng)驗，良率穩(wěn)定大批量出貨高端LED應用;高良率硅襯底bonding工藝；高良率硅襯底濕法剝離去硅襯底工藝； Ag鏡、光刻、刻蝕、ITO等特色工藝。

報告指出，濕法無損去襯底，更好的ESD能力和生產(chǎn)良率。通孔薄膜設計，更好的電流擴散，更高的取光效率。全色系硅襯底垂直芯片LED EQE，硅襯底垂直結(jié)構(gòu)做到藍寶石垂直結(jié)構(gòu)相當水平。硅襯底UVA LED 外延技術(shù)特點，涉及大的晶格失配高缺陷密度，GaN吸光，低內(nèi)量子效率，高效的AlGaN層P型摻雜等。其中，針對大的晶格失配高缺陷密度，可以采用高質(zhì)量AlN模板，設計多層AlGaN應力調(diào)控結(jié)構(gòu)，改善裂紋問題；優(yōu)化高質(zhì)量AlGaN和GaN生長條件，控制應力，降低缺陷密度。GaN吸光部分，可以采用高質(zhì)量的 nAlGaN生長減少吸光;薄P（Al）GaN減少p層吸光。涉及低內(nèi)量子效率，可以設計高效率的紫外發(fā)光復合量子阱結(jié)構(gòu)；較低的位錯因為In%低富集少對非輻射復合中心的濃度更敏感。針對高效的AlGaN層P型摻雜，高Al組分發(fā)光材料的摻雜研究，提升空穴注入效率，改善光效，降低電壓；改善光衰。

（以上信息僅根據(jù)現(xiàn)場整理未經(jīng)嘉賓本人確認，僅供參考！）