科技強(qiáng)國，第三代半導(dǎo)體材料成為中國高科技產(chǎn)業(yè)的重要關(guān)注點(diǎn)，在國家政策的扶持和新基建引領(lǐng)下，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)也將成為未來半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要引擎。
2020年11月23-25日，第十七屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2020）將在深圳會展中心舉行。本屆論壇由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦。南方科技大學(xué)與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦。
碳化硅、氮化鎵是重要的第三代半導(dǎo)體材料。在大功率高頻器件中具有重要的應(yīng)用，其材料水平直接決定了器件的性能。作為論壇的重要組成部分，本屆“襯底、外延及生長裝備”分會主題涵蓋碳化硅和GaN生長材料、襯底、同（異）質(zhì)外延薄膜、測試表征和相關(guān)的設(shè)備，將特別邀請國內(nèi)外知名專家參加，對SiC和GaN從機(jī)理到工業(yè)化進(jìn)程進(jìn)行系統(tǒng)的探討。
其中，北京大學(xué)物理學(xué)院教授, 理學(xué)部副主任沈波，山東大學(xué)教授，晶體材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室副主任徐現(xiàn)剛領(lǐng)銜擔(dān)任本屆分會主席，中國科學(xué)院蘇州納米所研究員徐科、中科院長春光機(jī)所研究員黎大兵、河北工業(yè)大學(xué)教授畢文剛、中電科裝備集團(tuán)有限公司首席技術(shù)官王志越、中微公司副總裁杜志游，北方華創(chuàng)科技集團(tuán)股份有限公司副總裁、首席科學(xué)家吳軍，江蘇南大光電材料股份有限公司技術(shù)總監(jiān)楊敏等來自產(chǎn)業(yè)鏈不同環(huán)節(jié)的中堅(jiān)力量共同擔(dān)任分會委員，提供堅(jiān)實(shí)的支持。來自國內(nèi)外高校、科研院所、企業(yè)的精英代表將帶來精彩報(bào)告，分享前沿研究成果。
期間，日本名古屋大學(xué)教授宇治原徹將帶來關(guān)于CFD模擬預(yù)測系統(tǒng)在SiC生長中應(yīng)用的精彩報(bào)告。澳大利亞格里菲斯大學(xué)昆士蘭微納米技術(shù)中心研究員Jisheng HAN將分享關(guān)于SiO2/SiC界面的物理機(jī)制的研究成果。沙特阿拉伯阿卜杜拉國王科技大學(xué)副教授Iman S. ROQAN將做關(guān)于原位無位錯多晶GaN層在寬范圍襯底上生長高效率的無催化劑GaN納米線的分享。中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司副總裁兼MOCVD產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理郭世平將分享AMEC用于綠色和藍(lán)色微型LED的MOCVD開發(fā)新進(jìn)展。蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所副研究員張璇帶來關(guān)于二次注入和活化退火提高室溫鋁注入劑量的報(bào)告。深圳大學(xué)材料學(xué)院研究員劉新科將帶來“大面積MoS2-on-GaN范德華異質(zhì)結(jié)的光子器件應(yīng)用”的報(bào)告。江蘇南大光電材料股份有限公司研發(fā)總監(jiān)楊敏分享“新材料研發(fā)助力中國第三代半導(dǎo)體”的報(bào)告。北京大學(xué)物理學(xué)院高級工程師楊學(xué)林將分享“硅基氮化鎵厚膜外延技術(shù)及碳雜質(zhì)相關(guān)缺陷物理研究”。山東大學(xué)副教授、廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司研發(fā)中心主任彭燕將做“SiC單晶材料及產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展”的主題報(bào)告。
本屆論壇緊扣國家“新基建”、“十四五”等前瞻利好政策，以“把握芯機(jī)遇·助力新基建”為主題，屆時(shí)兩場國際性盛會同臺亮相，先進(jìn)技術(shù)熱點(diǎn)高度聚焦，政產(chǎn)學(xué)研用行業(yè)領(lǐng)袖齊聚，共商未來產(chǎn)業(yè)發(fā)展大計(jì)。
11月，深圳見！
會議具體信息如下：
時(shí)間：2020年11月25日上午08:30 -12:00
地點(diǎn)：深圳會展中心 五層玫瑰廳2
更多大會詳細(xì)設(shè)置與內(nèi)容請參加大會官網(wǎng)：http://www.sslchina.org/
部分嘉賓
沈波 北京大學(xué)理學(xué)部副主任、教授
1985年7月畢業(yè)于南京大學(xué)物理系半導(dǎo)體專業(yè)，獲學(xué)士學(xué)位；1988年7月畢業(yè)于中國科技大學(xué)物理系半導(dǎo)體專業(yè)，獲碩士學(xué)位；1995年3月畢業(yè)于日本東北大學(xué)材料科學(xué)研究所 (IMR)，獲博士學(xué)位；2000年晉升教授；2003年獲國家杰出青年科學(xué)基金；曾任日本東京大學(xué)產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究所 (IIS) 客座研究員、東京大學(xué)先端科技研究中心(RCAST) 客座教授、 日本千葉大學(xué)電子學(xué)與光子學(xué)研究中心客座教授、日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所(AIST)訪問教授 。
1995年迄今一直從事III族氮化物 (又稱GaN基) 寬禁帶半導(dǎo)體材料、物理和器件研究，在GaN基異質(zhì)結(jié)構(gòu)MOCVD外延生長，強(qiáng)極化、高能帶階躍氮化物半導(dǎo)體載流子輸運(yùn)性質(zhì)，GaN基功率電子器件研制等方面取得在國內(nèi)外同行中有一定影響的重要進(jìn)展；近年來帶領(lǐng)其課題組在AlInN/GaN晶格匹配異質(zhì)結(jié)構(gòu)和Si襯底GaN基異質(zhì)結(jié)構(gòu)MOCVD外延生長，AlGaN基深紫外發(fā)光材料與器件，InGaN基材料MBE外延生長和p型摻雜、GaN基異質(zhì)結(jié)構(gòu)二維電子氣自旋性質(zhì)等方面取得了一系列進(jìn)展。先后主持和作為核心成員參加國家973計(jì)劃項(xiàng)目，國家863計(jì)劃項(xiàng)目，國家自然科學(xué)基金重大、重點(diǎn)項(xiàng)目，教育部、北京市重點(diǎn)項(xiàng)目，以及軍口項(xiàng)目等20多項(xiàng)科研課題，發(fā)表SCI收錄論文200多篇，論文被引用2200多次，先后在國內(nèi)外學(xué)術(shù)會議上做邀請報(bào)告20多次，獲得/申請國家發(fā)明專利近30件，先后獲國家自然科學(xué)二等獎、江蘇省科技進(jìn)步一等獎和教育部科技進(jìn)步一等獎。多次擔(dān)任國際學(xué)術(shù)會議顧問委員會、程序委員會、組織委員會主席和委員，是國內(nèi)多個(gè)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、科學(xué)院重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室和國防重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室學(xué)術(shù)委員會委員。現(xiàn)擔(dān)任北京大學(xué)理學(xué)部副主任、國家973計(jì)劃項(xiàng)目首席科學(xué)家、國家863計(jì)劃“第三代半導(dǎo)體”重點(diǎn)專項(xiàng)總體專家組組長、國家“戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料”重點(diǎn)專項(xiàng)實(shí)施方案編制專家組和總體專家組成員、以及多個(gè)國家重點(diǎn)研發(fā)專項(xiàng)項(xiàng)目咨詢專家組組長和委員。
徐現(xiàn)剛 山東大學(xué)教授，晶體材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室副主任
1992年獲得山東大學(xué)凝聚態(tài)物理博士學(xué)位，師從于蔣民華院士。2000年留美回國-至今，獲教育部特聘教授，2000年度國家杰出青年科學(xué)基金獲得者，973首席科學(xué)家，主要從事半導(dǎo)體材料制備及其應(yīng)用研究的工作。 自1989年至今一直從事MOCVD化合物半導(dǎo)體薄膜材料的生長及器件應(yīng)用工作，制備出多種量子異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料，應(yīng)用到多種半導(dǎo)體器件如：半導(dǎo)體激光器、發(fā)光二極管等。積極響應(yīng)國家號召，踐行產(chǎn)學(xué)研結(jié)合，把科技創(chuàng)新的成果產(chǎn)業(yè)化；自2000年開始SiC單晶生長和加工工作，先后突破了2~6英寸SiC單晶的生長與襯底加工技術(shù)，解決了超硬SiC單晶襯底的加工難題，制備出基于SiC襯底的GaN超高亮度發(fā)光二極管。先后承擔(dān)了多項(xiàng)863、973、國家重大專項(xiàng)等課題。 獲得多項(xiàng)表彰和獎勵，如1995年洪堡學(xué)者， 1999年在美國獲得由IEEE頒發(fā)的Best Paper Award，2000年獲得“國家杰出青年基金”，2003年“山東省科技進(jìn)步一等獎”、“山東省留學(xué)回國創(chuàng)業(yè)獎”，2005年獲“山東省十大杰出青年”，2007年獲“政府特殊津貼獎”，2013年獲得“山東省技術(shù)發(fā)明一等獎”等。至今已發(fā)表超過150篇相關(guān)論文及會議報(bào)告。
宇治原徹 日本名古屋大學(xué)教授
宇治原教授1993年本科畢業(yè)于京都大學(xué)的工學(xué)院，并于2000年取得京都大學(xué)工程學(xué)博士學(xué)位。1999年至2004年，他在日本東北大學(xué)材料研究中心任職助理教授。2004年他加入名古屋大學(xué)，在研究生工程院任副教授。目前他是名古屋大學(xué)未來電氣可持續(xù)材料及系統(tǒng)研究所教授。
宇治原教授現(xiàn)在的專業(yè)領(lǐng)域包括晶體生長、溶液生長、汽相生長、碳化硅、功率器件、太陽能電池、半導(dǎo)體光電、旋轉(zhuǎn)觀察、生物設(shè)備、半導(dǎo)體質(zhì)膜混合器件和脂質(zhì)二重層。研究領(lǐng)域包括應(yīng)用材料科學(xué)、晶體工程、電子材料、電氣材料和金屬的物理性質(zhì)。
Jisheng HAN 澳大利亞格里菲斯大學(xué)昆士蘭微納米技術(shù)中心研究員
于1984 年和1989 年在中國山東大學(xué)取得固體物理專業(yè)學(xué)士和碩士學(xué)位，1999 年在澳大利亞南澳大學(xué)取得材料學(xué)博士學(xué)位。
1984 年至1995 年期間在山東大學(xué)任教，1995-1996 年在澳大利亞University of New South Wales 材料科學(xué)與工程系擔(dān)任Research Fellow，1999-2020年在澳大利亞Queensland Microtechnology Facility 擔(dān)任Research Fellow, Senior Research Fellow and Principle Research fellow, 此外，2006 年開始Jisheng Han還主持了QsSemiconductor (Australia) Pty Ltd 公司工藝研發(fā)工作。
Jisheng Han在材料科學(xué)、傳感器研究和半導(dǎo)體等方面具有二十多年的豐富經(jīng)驗(yàn)，擔(dān)任10多家國際期刊的評論員包括Science Report, IEEE Transaction on Electron Devices, Electron Devices Letters etc. 2002年，成功制造出SiC MOSFET器件，并研究出基于SiC低成本肖特基二極管。
近年來，在包括IEEE，應(yīng)用物理期刊等多家期刊出版物發(fā)表文章近百篇，出版了多本SiC方面的書籍。培養(yǎng)出數(shù)十名博士研究生，并擁有多項(xiàng)中國和美國專利，其在SiC領(lǐng)域的研究獲得了國家基金，風(fēng)險(xiǎn)投資及格里菲斯大學(xué)的數(shù)百萬澳元資金支持。
Iman S. ROQAN
Iman S. ROQAN
沙特阿拉伯阿卜杜拉國王科技大學(xué)副教授
Iman Roqan從沙特阿拉伯Umm-Al-Qura大學(xué)的物理系畢業(yè)后，從英國圣安德魯斯大學(xué)和赫瑞瓦特大學(xué)獲得了物理學(xué)的光子學(xué)和光電子器件碩士學(xué)位。然后，她獲得了博士學(xué)位。她于2008年獲得英國蘇格蘭斯特拉斯克萊德大學(xué)的物理學(xué)博士學(xué)位。在攻讀博士學(xué)位期間，她獲得了多個(gè)英國物理研究所（IOP）以及其他一些協(xié)會獎項(xiàng)。自2009年以來，她一直是阿卜杜拉國王科技大學(xué)（KAUST）創(chuàng)始教授，并且是KAUST半導(dǎo)體和材料光譜學(xué)小組的負(fù)責(zé)人。她曾在倫敦帝國學(xué)院（Imperial College London）任教5年，并在斯特拉斯克萊德大學(xué)（University of Strathclyde）任教2年。
Roqan教授是沙特阿拉伯第一位在沙特阿拉伯建立國際實(shí)驗(yàn)室的沙特阿拉伯，他致力于獨(dú)特的高度復(fù)雜的超快光譜系統(tǒng)。此外，她在光電子器件的半導(dǎo)體和材料光譜學(xué)方面擁有豐富的經(jīng)驗(yàn)。后來，她在寬帶隙半導(dǎo)體的增長和器件制造方面進(jìn)行了研究。她在沙特阿拉伯以及美國，英國，歐洲，中國和日本的國際機(jī)構(gòu)和公司內(nèi)部發(fā)起了許多成功的合作。她在物質(zhì)-光相互作用的超快激光器方面的知識和經(jīng)驗(yàn)使她能夠探索新方法來生長高質(zhì)量半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)，例如GaN和ZnO納米線以及用于光電應(yīng)用的納米管。
Roqan教授已在高影響力的同行評審期刊上發(fā)表了100多篇論文，并擁有11項(xiàng)美國專利。她被邀請參加許多國際會議以及在歐洲組織會議。她是中東和KAUST唯一獲得美國物理學(xué)會和美國物理學(xué)教師協(xié)會極負(fù)盛名的教學(xué)獎的人，該獎旨在通過教學(xué)提高對物理學(xué)的理解和欣賞。她接受培訓(xùn)的所有中學(xué)生都參加了每年在美國舉行的ISEF和SWEEEP等國際比賽。她的學(xué)生是2013年獲得沙特阿拉伯物理學(xué)類ISEF獎。Roqan教授是IEEE的高級成員和多個(gè)國際協(xié)會的成員，如物理研究所民選議員和美國物理學(xué)會的成員，以及材料研究學(xué)會。
郭世平 中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司副總裁兼MOCVD產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理
郭世平博士現(xiàn)任中微公司副總裁兼MOCVD產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理，主要從事MOCVD設(shè)備的開發(fā)和管理工作。郭世平博士具有30多年從事化合物半導(dǎo)體材料外延工藝開發(fā)、設(shè)備研發(fā)及營運(yùn)的經(jīng)驗(yàn)，2001年至2006年歷任美國EMCORE公司研究員、資深研究員，2006年至2012年在美國IQE-RF公司歷任資深研究員、氮化鎵部門營運(yùn)和研發(fā)總監(jiān)，主要從事氮化鎵晶體管和發(fā)光材料MOCVD外延生長的研發(fā)和營運(yùn)工作。
他于1991年從中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)碩士畢業(yè)，1994年在中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所博士畢業(yè)并留所工作，1995年獲晉升為副研究員，從事紅外探測器MBE外延工藝研究。1996年他赴日本東北大學(xué)訪問并從事納米材料研究。1998年至2001年他在美國紐約市立大學(xué)從事博士后工作。現(xiàn)已發(fā)表一百多篇論文，并擁有近20項(xiàng)專利，1997年獲上海市科技進(jìn)步一等獎。
劉新科，深圳大學(xué)研究員
新加坡國立大學(xué)訪問教授，長期從事寬禁帶氮化鎵以及氮化鎵異質(zhì)結(jié)的半導(dǎo)體器件研究，在Adv. Mater., Adv.Funct.Mater., Adv. Electron. Mater. IEEE EDL, IEEE TED，APL等知名期刊發(fā)表第一或通信作者SCI收錄論文80篇，申請專利50項(xiàng)，授權(quán)專利9項(xiàng)（含3項(xiàng)PCT和1項(xiàng)美國專利), 科研成果被Semiconductor Today，MaterialsviewChina多次報(bào)道，科研成果被Photonic Research 和Advanced Electronic Materials選為封面文章。目前承擔(dān)國家科技部重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃課題和任務(wù)各一項(xiàng)、國家自然科學(xué)青年和面上科學(xué)基金各一項(xiàng)、廣東省科技計(jì)劃項(xiàng)目一項(xiàng)、廣東省重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃課題三項(xiàng)，深圳市基礎(chǔ)研究布局一項(xiàng)、深圳市技術(shù)攻關(guān)一項(xiàng)等10多項(xiàng)科研項(xiàng)目。
楊學(xué)林 北京大學(xué)物理學(xué)院高級工程師
北京大學(xué)物理學(xué)院高級工程師，國家優(yōu)秀青年科學(xué)基金獲得者。先后在吉林大學(xué)和北京大學(xué)獲學(xué)士和博士學(xué)位，東京大學(xué)博士后。近年來在Si襯底上GaN基材料的MOCVD外延生長、C雜質(zhì)的摻雜調(diào)控、缺陷影響電子器件可靠性的機(jī)理研究等方面取得了多項(xiàng)進(jìn)展。迄今在PRL、AFM、APL等期刊上共發(fā)表SCI論文70多篇，在本領(lǐng)域國內(nèi)外學(xué)術(shù)會議上做邀請報(bào)告10多次，申請/授權(quán)國家發(fā)明專利10多件。
新經(jīng)濟(jì)時(shí)代下，機(jī)遇與挑戰(zhàn)并存。作為半導(dǎo)體照明及第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域有產(chǎn)業(yè)發(fā)展“風(fēng)向標(biāo)”之稱的--第十七屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇暨2020國際第三代半導(dǎo)體論壇（SSLCHINA&IFWS 2020）將于2020年11月23日-25日在深圳會展中心盛大舉行。論壇緊扣國家“新基建”、“十四五”等前瞻利好政策，以“把握芯機(jī)遇·助力新基建”為主題，論壇程序委員會專家陣容強(qiáng)大，熟知我國發(fā)展高科技產(chǎn)業(yè)的條件和決心，深諳半導(dǎo)體照明及第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展的問題癥結(jié)及解決之道。
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