2019年11月25-27日，第十六屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導體論壇（IFWS 2019）在深圳會展中心盛大舉行。作為論壇重要的技術(shù)分會，“功率電子器件及封裝技術(shù)Ⅱ”論壇于26日下午成功召開。該分會由國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟主辦，深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司共同承辦，得到了深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局、德國愛思強股份有限公司、國家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司、中國電子科技集團第十三研究所、英諾賽科科技有限公司、蘇州鍇威特半導體股份有限公司的協(xié)辦支持。該會加拿大多倫多大學吳偉東教授主持。

　　會上，邀請到了美國NAURA-Akrion, Inc.首席技術(shù)官Ismail I. KASHKOUSH先生分享了《下一代半導體器件外延制備前期的襯底清理技術(shù)》研究報告。Ismail Kashkoush博士于1993年獲得美國克拉克森大學（紐約州波茲坦）的工程科學博士學位。他現(xiàn)在負責管理美國NAURA-Akrion, Inc.公司的工程，技術(shù)和產(chǎn)品線團隊。Kashkoush博士于1988年加入半導體行業(yè)，此后在技術(shù)，工藝工程和產(chǎn)品開發(fā)領(lǐng)域擔任過各種研發(fā)職位。

 

　　通常高溫氣相清潔（超過1050°C）是一種去除外延生長之前襯底表面的氧化物以及其他污染物的傳統(tǒng)方法。但是最新的低溫外延生長技術(shù)對于外延前的溫度要求也相應比較低。然而低溫時的SiO2等物質(zhì)的溶解率較低。為了解決這個問題，一種氟化氫（HF）的處理流程將被采用，該處理流程將會使襯底表面的缺陷變得很少，同時可以讓反應溫度降低到1050°C以下。本研究將分析多種外延之前的處理過程，并將不同的HF處理流程進行對比。【內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解】