碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）作為第三代半導體材料的典型代表，也代表了功率電子器件的發展方向，在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統、新能源汽車、工業電機等領域具有巨大的發展潛力。
2019年11月25-27日，第十六屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導體論壇（IFWS 2019）在深圳會展中心盛大舉行。作為論壇重要的技術分會，“功率電子器件及封裝技術Ⅰ”論壇于26日上午成功召開。會議由國家半導體照明工程研發及產業聯盟、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟主辦，深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦，得到了深圳市龍華區科技創新局、德國愛思強股份有限公司、國家電網全球能源互聯網研究院有限公司、中國電子科技集團第十三研究所、英諾賽科科技有限公司、蘇州鍇威特半導體股份有限公司的協辦支持。該會由分會主席浙江大學特聘教授、電氣工程學院院長盛況和中山大學教授劉揚共同主持。
會上，邀請到了國家電網全球能源互聯網研究院功率半導體研究所副總工、教授楊霏分享了《碳化硅高壓電力電子器件及應用進展》技術報告。
碳化硅（SiC）作為近年來備受關注的一種寬禁帶半導體材料,具有寬禁帶、高臨界擊穿電場、高熱導率以及高電子飽和漂移速度等良好的物理和電學特性。寬禁帶半導體SiC電力電子器件,突破了傳統硅基器件在耐壓、工作頻率以及轉換效率等方面的性能極限,從而使電力系統功耗降低30%以上,在＂大容量柔性直流輸電＂、＂高效高體積功率密度電力電子變壓器＂等未來新一代智能電網領域具有非常廣泛的應用前景。
報告中介紹了超高壓碳化硅電力電子器件在智能電網中應用的重要性,對近年來國內外超高壓碳化硅電力電子器件（〉10 kV）的結構設計、研制水平、最新進展以及其面臨的挑戰進行分析總結,并對超高壓碳化硅電力電子器件在智能電網中的應用及未來的發展前景做出概述與展望。【內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解】
