碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）是重要的第三代半導(dǎo)體材料，在大功率高頻器件中具有重要的應(yīng)用，其材料水平直接決定了器件的性能。其材料技術(shù)已成為全球高技術(shù)領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)戰(zhàn)略制高爭(zhēng)奪點(diǎn)。

　　2019年11月25-27日，第十六屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2019）將在深圳會(huì)展中心舉行。本屆論壇由國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦。深圳第三代半導(dǎo)體研究院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦。

　　作為論壇的重要組成部分，本屆“襯底、外延及生長(zhǎng)裝備”分會(huì)主題涵蓋碳化硅和GaN生長(zhǎng)材料、襯底、同（異）質(zhì)外延薄膜、測(cè)試表征和相關(guān)的設(shè)備，將特別邀請(qǐng)國(guó)內(nèi)外知名專家參加，對(duì)SiC和GaN從機(jī)理到工業(yè)化進(jìn)程進(jìn)行系統(tǒng)的探討。

　　其中，北京大學(xué)物理學(xué)院教授, 理學(xué)部副主任沈波，山東大學(xué)教授，晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室副主任徐現(xiàn)剛， 日本電力中央研究所坂田修身，德國(guó)ORCHESTRA總裁Guido COLOMBO， 美國(guó)亞利桑那州立大學(xué)助理教授鞠光旭，美國(guó)Aymont Technology Inc總裁Larry B. Rowland，俄羅斯STR Group, Inc.資深研發(fā)工程師Andrey SMIRNOV，美國(guó)NAURA-Akrion, Inc.首席技術(shù)官Ismail I. KASHKOUSH等來(lái)自國(guó)內(nèi)外高校、科研院所、企業(yè)的精英代表齊聚一堂，分享前沿研究成果。
 

　　時(shí)間：2019年11月26日下午14:00-17:30

　　地點(diǎn)：深圳會(huì)展中心·五層菊花廳
 

　　分會(huì)組織機(jī)構(gòu)

　　主辦單位：

　　國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）

　　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）

　　協(xié)辦單位：

　　中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司