LED產業從未停止技術創新步伐，尤其緊跟以智能照明、健康照明、按需照明及MicroLED等新型顯示相關的新技術一直都是產業追逐的焦點。半導體照明芯片、封裝及模組技術工藝及技術的革新都能引發產業極大關注。

 

　　11月25--27日，第十六屆中國國際半導體照明論壇暨2019國際第三代半導體論壇（SSLCHINA&IFWS2019）在深圳成功召開。“半導體照明芯片、封裝及模組技術II”分會作為SSLCHINA&IFWS2019論壇的重要技術分會之一，由國家半導體照明工程研發及產業聯盟、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟主辦，深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦，得到了深圳市龍華區科技創新局、木林森、中科潞安、華燦光電、中微公司、歐司朗、有研稀土等單位的鼎力支持。

　　會上，邀請到了南昌大學張建立研究員分享了《面向長波段與低電流密度的硅基氮化鎵 LED》研究報告。他2014年畢業于南昌大學材料物理與化學專業，獲工學博士學位。現為南昌大學國家工程技術研究中心研究員，教育部發光材料與器件工程研究中心主任，南昌大學“雙一流”學科建設發光新材料技術方向負責人。主要從事硅襯底GaN相關研究，包括MOCVD裝備研制、硅上GaN材料生長、InGaN長波段LED制備、LED材料與器件分析、多基色LED封裝、LED可見光通信、Micro-LED微顯示技術等。主持國家重點研發計劃課題、國家自然科學基金青年基金各1項。發表論文、論著20余篇，獲授權發明專利6項。

　　他表示，GaN基LED在藍光范圍取得成功后，正分別向短波長紫外波段和長波長黃紅光波段發展。2016年，本團隊成功研制出硅襯底GaN基黃光LED，在20A/cm2驅動下，565nm光功率效率達到21.4%；近幾年來，光效持續提升，已達27.9%(180 lm/W)，并成功應用于無需藍光激發、無熒光粉、純LED路燈、氛圍燈和景觀照明; 波長590nm橙光LED光效已達13.5%。

 

　　另一方面，本團隊還發展了在低電流密度下高效工作的LED技術，在0.01A-1A/cm2范圍內，540nm綠光LED峰值光效超過60%(350lm/W)，571nm黃光LED峰值光效達到47.9%(283lm/W)。低電流密度下高效GaN/Si基紅光LED值得期待，未來可望在Micro-LED領域有作為。【根據現場資料整理，如有出入敬請諒解！】