2017年11月1日-3日，第十四屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA2017）暨 2017 國際第三代半導體論壇（IFWS 2017）在北京順義隆重召開。論壇由國家半導體照明工程研發及產業聯盟、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟、北京市順義區人民政府主辦，中關村科技園區順義園管理委員會、北京半導體照明科技促進中心和北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦。論壇同時得到了科技部、發改委、國標委和北京市科委等主管部門的大力支持。

 

　　11月2日下午，SSLCHINA 2017之材料與裝備技術分會如期舉行。中微半導體設備（上海）有限公司、北京北方華創微電子裝備有限公司、德國愛思強股份有限公司、維易科精密儀器國際貿易（上海）有限公司為本次分會提供了協辦支持。

 

　　經過多年的發展，我國已經成為半導體照明領域的制造和應用大國。2016年，LED上中下游市場規模超過5000億元，為我國節能減排做出了重要貢獻。高品質LED照明應具備低色溫、高顯色指數、高光效、對人眼安全與舒適等特點。現有的白光LED是通過藍光LED激發黃色熒光粉獲得的，雖然其光電轉換效率已遠超白熾燈和日光燈，但顯色指數、色溫和光效之間還需要進一步協調發展。會上，南昌大學教授劉軍林做了無熒光粉照明技術的報告。

 

　　高品質LED照明應具備低色溫、高顯色指數、高光效、對人眼安全與舒適等特點。經理論計算，采用多基色高光效LED（如紅、黃、綠、青、藍）以適當比例合成全光譜白光可以滿足以上要求。當前，藍光和紅光LED的外量子效率已經分別超過70%和50%，而黃光效率顯著低于藍光和紅光光效，這個現象被稱為“黃光鴻溝”。

 

　　一直從事硅襯底GaN基LED的研發和產業化工作，劉軍林介紹了其所在研究團隊在解決“黃光鴻溝”方面取得的突破。通過對InGaN材料的晶體質量提升和應力調制，獲得了硅襯底高光效黃光LED。在20A/cm2電流密度下，黃光LED（565nm）電光轉換功率效率達到21.7%，流明效率達到131 lm/W，在3A/cm2電流密度下，電光轉換功率效率達到29.8%，流明效率達到180 lm/W。在此基礎上，采用硅襯底InGaN黃光、綠光、青光、藍光LED以及AlGaInP紅光LED合成了全光譜白光燈珠，顯色指數94.8，色溫3262K，光效100 lm/W。

 

　　（內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）