LED產(chǎn)業(yè)從未停止技術(shù)創(chuàng)新步伐，尤其緊跟以智能照明、健康照明、按需照明及MicroLED等新型顯示相關(guān)的新技術(shù)一直都是產(chǎn)業(yè)追逐的焦點(diǎn)。半導(dǎo)體照明芯片、封裝及模組技術(shù)工藝及技術(shù)的革新都能引發(fā)產(chǎn)業(yè)極大關(guān)注。
11月25--27日，第十六屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇暨2019國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（SSLCHINA&IFWS2019）在深圳成功召開(kāi)。“半導(dǎo)體照明芯片、封裝及模組技術(shù)II”分會(huì)作為SSLCHINA&IFWS2019論壇的重要技術(shù)分會(huì)之一，由國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟主辦，深圳第三代半導(dǎo)體研究院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦，得到了深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局、木林森、中科潞安、華燦光電、中微公司、歐司朗、有研稀土等單位的鼎力支持。
會(huì)上，邀請(qǐng)到了中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副研究員張逸韻分享了《InGaN基超高能效LED核心材料及器件技術(shù)研究進(jìn)展》報(bào)告。他2016畢業(yè)于香港大學(xué)電子工程系獲得博士學(xué)位。2016-2019年在美國(guó)西北大學(xué)從事博士后研究。2019年進(jìn)入中科院半導(dǎo)體所照明研發(fā)中心工作。主要研究方向包括GaN基新型光電子器件研究以及銻化物二類超晶格紅外焦平面探測(cè)器研究。在學(xué)及工作期間共發(fā)表學(xué)術(shù)論文40余篇。總引用約650余次。擔(dān)任IEEE Electron Devices Society、IEEE Photonics Society、The Optical Society of America (OSA)等學(xué)會(huì)會(huì)員、并受邀擔(dān)任多個(gè)學(xué)術(shù)期刊的審稿人(OSA Optics Express, Optics Letters, Applied Physics Letters, IEEE Photonics Journal, Applied Optics, Nanotechnology, Nanoscale, Applied Optics etc.)
報(bào)告重點(diǎn)介紹近階段關(guān)于InGaN基超高光效LEDs研究進(jìn)展情況。通過(guò)使用納米圖形襯底、金屬反射鏡、新型ITO透明電極、電子阻擋層等技術(shù)，InGaN LED的外量子效率被顯著提高，達(dá)到83%。, 5.85A/cm2注入條件下，LED(6*20mil2，色溫4059K)峰值光效達(dá)到252.02lm/W , 100A/cm2大電流注入條件下 LED光效達(dá)到141.01lm/W。通過(guò)薄膜LED結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，2 mm2 LED的光輸出功率達(dá)到2W，工作電壓低至3V，100A/cm2注入條件下光效達(dá)到128.42lm/W。
