“新型半導體深能級摻雜機制研究”榮獲國家自然科學獎二等獎。項目主要完成人：李京波）、蓋艷琴、康俊、李樹深、夏建白。該項目針對寬禁帶半導體材料、二維半導體材料和半導體納米器件能帶結構特點，系統地研究了幾類重要的半導體材料與器件的摻雜機理和性能預測，發展出一種基于第一性原理大元胞的并行計算方法應用于半導體摻雜系統，指導GaN和ZnO等第三代半導體材料的p型摻雜技術、異質結器件的結構設計，為提高TiO2基材料的光催化效率和未來制備自旋電子器件提供理論指導依據，為新型二維半導體材料的摻雜機制與輸運性質的研究以及器件應用都具有重要的指導意義。
 

　　“光纖輸出高功率全固態激光器關鍵技術及應用”項目榮獲國家技術發明獎二等獎。項目主要完成人：林學春、羅虹、林培晨、李達、趙鵬飛、劉燕楠。該項目歷經十多年自主研發攻關，在光纖輸出高功率全固態激光器關鍵技術、激光器工程化技術、激光焊接和表面淬火等技術領域取得一系列創新性成果，項目授權發明專利56項，解決了我國在高功率全固態激光器領域核心專利缺失的問題，有力地支撐了產業發展，成果廣泛應用于北京奔馳、奇瑞汽車等汽車產業，提升了國產汽車的核心競爭力。

　　“低發散角半導體光子晶體激光器關鍵技術及應用”項目榮獲國家技術發明獎二等獎。項目主要完成人：鄭婉華、渠紅偉、王宇飛、馬長勤、王海玲、劉安金。該項目通過在現有半導體激光器外延材料和器件結構中引入光子晶體結構，攻克了半導體光子晶體激光器的理論模擬方法、結構設計、外延材料生長、工藝制備和封裝測試等一系列自主關鍵技術，實現了電子能帶與光子模場的聯合調控，在保持激光高效率輸出的同時，輸出光束的方向和模式得到極大改善，可不經整形直接使用，使光學系統大為簡化。項目發表SCI論文80篇、授權國家發明專利35項、軟件著作權3項。

　　“光網絡用光分路器芯片及陣列波導光柵芯片關鍵技術及產業化”榮獲國家科技進步獎二等獎。安俊明、吳遠大、胡雄偉、胡家艷、鐘飛、王紅杰、張家順、王亮亮、李建光、宋瓊輝、凌九紅、尹小杰、吳凡。該項目團隊經過十多年潛心研究，光分路器芯片及AWG芯片設計、工藝及產業化取得了全面突破，設計并制備出1×N 和2×N (N最大可達128)兩大系列20余個品種的PLC光分路器芯片及AWG芯片，建成國內規模最大的光分路器及AWG生產線，近三年新增銷售額7.01億元，新增利潤0.85億元，推廣應用企業新增銷售額50多億，新增利潤4億元。產品廣泛應用于國內外FTTH及光傳輸網建設中，打破了國外對我國光分路器芯片的壟斷，填補了國內空白，為“寬帶中國戰略”順利實施做出了重要貢獻。

 

　　據悉，國家科學技術獎勵每年評審一次，包括國家自然科學獎、國家技術發明獎、國家科學技術進步獎“三大獎”，此外，還包括授予外籍科學家或外國組織的中華人民共和國國際科學技術合作獎，以及分量最重的國家最高科學技術獎。根據2017年5月最新發布的《關于深化科技獎勵制度改革的方案》的有關規定，三大獎每年授獎總數不超過300項。

 

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