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中科院半導(dǎo)體所研究人員:一種可實(shí)現(xiàn)高效穩(wěn)定的藍(lán)色LED的方法

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2021-05-18 來(lái)源:材料科學(xué)與工程瀏覽次數(shù):434
鈣鈦礦型發(fā)光二極管(PeLED)近年來(lái)有了長(zhǎng)足的發(fā)展,在綠色和紅色區(qū)域的電致發(fā)光的外量子效率(EQE)已經(jīng)超過(guò)了20%,但在藍(lán)色區(qū)域的效率卻遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后。
 
來(lái)自中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所、中國(guó)科學(xué)院大學(xué)等單位的研究人員在PEA2(CsPbBr3)2PbBr4鈣鈦礦中加入大陽(yáng)離子CH3CH2NH2+,降低了Pb-Br軌道耦合,增加了藍(lán)光發(fā)射的帶隙。X-射線衍射和核磁共振結(jié)果證實(shí),EA已成功取代Cs+,形成了PEA2(Cs(1-x)EaxPbBr3)2PbBr4。該方法將綠光區(qū)域(508 nm)的光致發(fā)光調(diào)制到藍(lán)光(466 nm),為鈣鈦礦的全彩顯示鋪平了道路。相關(guān)論文以題目為‘Large cation ethylammonium incorporated perovskite for efficient and spectra stableblue light-emitting diodes’發(fā)表在Nature Communications期刊上。
 
論文鏈接:
 
https://doi.org/10.1038/s41467-020-17943-6
 
中科院半導(dǎo)體所 1
 
鉛鹵化物鈣鈦礦由于其獨(dú)特的發(fā)光特性,顯示出很高的顯示潛力,近年來(lái)鈣鈦礦型電致發(fā)光器件的電致發(fā)光研究取得了重大進(jìn)展。紅光和綠光發(fā)射的外量子效率(EQE)已經(jīng)提高到20%11-13,而藍(lán)光發(fā)射的效率仍然落后,這是因?yàn)樵诒∧ぶ泻茈y合成穩(wěn)定的材料和保持高的量子效率。已經(jīng)做了幾次嘗試來(lái)實(shí)現(xiàn)毛皮的藍(lán)色發(fā)射。最簡(jiǎn)單的方法是將氯加入溴基鈣鈦礦中以調(diào)節(jié)帶隙,Yip等人最近實(shí)現(xiàn)了Br–Cl鹵化物混合鈣鈦礦的5.7%藍(lán)色EQE。然而,這些Br–Cl混合鈣鈦礦在光照下或電位下都會(huì)出現(xiàn)不可避免的相分離,在外加電壓下由于鹵化物的遷移而導(dǎo)致峰移或多峰。第二種方法是通過(guò)摻雜金屬離子如Zn2+、Cu2+、Mn2+、Al3+到鉛位來(lái)調(diào)制導(dǎo)帶。而金屬元素引起的雜質(zhì)被認(rèn)為是有利于非輻射復(fù)合的關(guān)鍵因素之一。
 
到目前為止,獲得藍(lán)色毛皮的有效嘗試是通過(guò)減少不同大陽(yáng)離子的維(準(zhǔn)2D和0D)鈣鈦礦來(lái)生成量子阱結(jié)構(gòu)。例如,Sargent等人使用較短的異丙胺(IPA)分子來(lái)取代長(zhǎng)配體苯乙基銨(PEA),并調(diào)整準(zhǔn)2D鈣鈦礦結(jié)構(gòu),具有理想的n含量,在天藍(lán)中的EQE為1.5%。在本文的準(zhǔn)備過(guò)程中,Jin等人報(bào)道了基于量子限制的溴化鈣鈦礦的高效藍(lán)光發(fā)光二極管(LED),通過(guò)使用苯基丁基溴化銨作為準(zhǔn)2D相結(jié)合反溶劑薄膜沉積方法,獲得了高達(dá)9.5%的峰值EQE。這些策略仍然集中在二維鈣鈦礦結(jié)構(gòu)中陽(yáng)離子的改性上。
 
為了獲得高效的藍(lán)色鈣鈦礦器件,以具有高效綠色發(fā)射的準(zhǔn)二維鈣鈦礦PEA2(CsPbBr3)n-1PbBr4作為改性的初始組分。準(zhǔn)2維PEA2(CsPbBr3)2PbBr4的發(fā)射波長(zhǎng)為508nm,如圖1a所示。選擇三維鈣鈦礦型CsPbBr3作為發(fā)射的主核,引入過(guò)量CsBr(CsBr:PbBr2=2:1,摩爾比)鈍化非輻射缺陷復(fù)合。長(zhǎng)烷基鏈苯乙基溴化銨(PEABr)通常被引入鈣鈦礦中,以在取代外層a位原子時(shí)形成2D相,從而限制電荷并增強(qiáng)發(fā)射。(文:愛新覺(jué)羅星)
 
中科院半導(dǎo)體所 2
圖1不同EABr鈣鈦礦薄膜的特性。
 
中科院半導(dǎo)體所 3
圖2 鈣鈦礦薄膜的晶體結(jié)構(gòu)。
 
中科院半導(dǎo)體所 4
圖3不同鈣鈦礦的晶體結(jié)構(gòu)和電子結(jié)構(gòu)。
 
中科院半導(dǎo)體所 5
圖4不同EABr比率的鈣鈦礦器件的性能。
 
 
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