2019年11月25日下午，第十六屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2019）開幕大會(huì)在深圳會(huì)展中心隆重召開。本屆論壇由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，并得到深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局特別支持。國家科學(xué)技術(shù)部高新技術(shù)司、國家科學(xué)技術(shù)部國際合作司、國家工業(yè)和信息化部原材料工業(yè)司、國家節(jié)能中心、國家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會(huì)、深圳市科技創(chuàng)新委員會(huì)等大力支持。深圳第三代半導(dǎo)體研究院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦。
硅基氮化鎵LED技術(shù)具有眾多優(yōu)勢，比如可大幅降低制造成本，提高散熱表現(xiàn)等，與LED的未來發(fā)展密切相關(guān)，該技術(shù)也是業(yè)界一直關(guān)注的方向。中國科學(xué)院院士、南昌大學(xué)副校長、國家硅基LED工程技術(shù)研究中心教授江風(fēng)益帶來了“從硅基氮化鎵LED進(jìn)展看半導(dǎo)體照明未來”的主題報(bào)告，分享了硅基氮化鎵LED的最新進(jìn)展以及半導(dǎo)體照明更廣闊的可能性。
在我國國內(nèi)，南昌大學(xué)副校長、國家硅基LED工程技術(shù)研究中心教授江風(fēng)益在硅基氮化鎵LED方向取得了開拓性、系統(tǒng)性、創(chuàng)造性成就，帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)在國際上率先研制成功高光效硅基氮化鎵藍(lán)光、綠光和黃光LED材料與芯片，并實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化，獲國家技術(shù)發(fā)明獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)和全球半導(dǎo)體照明年度新聞獎(jiǎng)。
報(bào)告中，江風(fēng)益分享了當(dāng)前硅基氮化鎵LED基礎(chǔ)性工作、硅基氮化鎵LED突破性進(jìn)展，以及半導(dǎo)體照明的發(fā)展。涉及網(wǎng)格襯底技術(shù)、位錯(cuò)利用、薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)、黃光鴻溝、自主研制裝備、V形坑技術(shù)、三維V形pn結(jié)、發(fā)光光譜與內(nèi)量子效率，無熒光粉、無藍(lán)光、低色溫LED氛圍燈，紫外與紅黃光LED等多個(gè)熱點(diǎn)話題。當(dāng)前，實(shí)現(xiàn)了硅基氮化鎵LED從裝備到材料、芯片、應(yīng)用完整技術(shù)鏈和產(chǎn)品鏈。發(fā)展了一系列新技術(shù)，包括自主研制專用MOCVD、新型準(zhǔn)備層、三維V形pn結(jié)等，解決了高銦組分銦鎵氮材料生長難題。銦鎵氮長波段LED取得了突破性進(jìn)展：獲得了高光效黃光LED，達(dá)到實(shí)用化水平，已應(yīng)用于無熒光粉純LED照明；0.05 A/cm2電流密度下，615nm銦鎵氮紅光LED光效達(dá)到14.7%，有望應(yīng)用于μLED顯示。展望半導(dǎo)體照明，LED技術(shù)仍是一片藍(lán)海，固態(tài)照明有更高的品質(zhì)需求，不同技術(shù)之間融合可催生更多的應(yīng)用方向，LED技術(shù)本身仍存在大量單元技術(shù)有待攻克。
（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請(qǐng)諒解）
硅基氮化鎵LED技術(shù)具有眾多優(yōu)勢，比如可大幅降低制造成本，提高散熱表現(xiàn)等，與LED的未來發(fā)展密切相關(guān)，該技術(shù)也是業(yè)界一直關(guān)注的方向。中國科學(xué)院院士、南昌大學(xué)副校長、國家硅基LED工程技術(shù)研究中心教授江風(fēng)益帶來了“從硅基氮化鎵LED進(jìn)展看半導(dǎo)體照明未來”的主題報(bào)告，分享了硅基氮化鎵LED的最新進(jìn)展以及半導(dǎo)體照明更廣闊的可能性。
在我國國內(nèi)，南昌大學(xué)副校長、國家硅基LED工程技術(shù)研究中心教授江風(fēng)益在硅基氮化鎵LED方向取得了開拓性、系統(tǒng)性、創(chuàng)造性成就，帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)在國際上率先研制成功高光效硅基氮化鎵藍(lán)光、綠光和黃光LED材料與芯片，并實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化，獲國家技術(shù)發(fā)明獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)和全球半導(dǎo)體照明年度新聞獎(jiǎng)。
報(bào)告中，江風(fēng)益分享了當(dāng)前硅基氮化鎵LED基礎(chǔ)性工作、硅基氮化鎵LED突破性進(jìn)展，以及半導(dǎo)體照明的發(fā)展。涉及網(wǎng)格襯底技術(shù)、位錯(cuò)利用、薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)、黃光鴻溝、自主研制裝備、V形坑技術(shù)、三維V形pn結(jié)、發(fā)光光譜與內(nèi)量子效率，無熒光粉、無藍(lán)光、低色溫LED氛圍燈，紫外與紅黃光LED等多個(gè)熱點(diǎn)話題。當(dāng)前，實(shí)現(xiàn)了硅基氮化鎵LED從裝備到材料、芯片、應(yīng)用完整技術(shù)鏈和產(chǎn)品鏈。發(fā)展了一系列新技術(shù)，包括自主研制專用MOCVD、新型準(zhǔn)備層、三維V形pn結(jié)等，解決了高銦組分銦鎵氮材料生長難題。銦鎵氮長波段LED取得了突破性進(jìn)展：獲得了高光效黃光LED，達(dá)到實(shí)用化水平，已應(yīng)用于無熒光粉純LED照明；0.05 A/cm2電流密度下，615nm銦鎵氮紅光LED光效達(dá)到14.7%，有望應(yīng)用于μLED顯示。展望半導(dǎo)體照明，LED技術(shù)仍是一片藍(lán)海，固態(tài)照明有更高的品質(zhì)需求，不同技術(shù)之間融合可催生更多的應(yīng)用方向，LED技術(shù)本身仍存在大量單元技術(shù)有待攻克。
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