2019年11月25日下午，第十六屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2019）開(kāi)幕大會(huì)在深圳會(huì)展中心隆重召開(kāi)。本屆論壇由國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，并得到深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局特別支持。國(guó)家科學(xué)技術(shù)部高新技術(shù)司、國(guó)家科學(xué)技術(shù)部國(guó)際合作司、國(guó)家工業(yè)和信息化部原材料工業(yè)司、國(guó)家節(jié)能中心、國(guó)家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會(huì)、深圳市科技創(chuàng)新委員會(huì)等大力支持。深圳第三代半導(dǎo)體研究院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦。
AlN為直接帶隙半導(dǎo)體材料，具有熱穩(wěn)定性好、耐腐蝕、耐輻射等優(yōu)良的物理和化學(xué)性能，作為襯底材料，潛力巨大，其制備方法備受關(guān)注。Nitride Crystals Inc.執(zhí)行總裁Yuri MAKAROV帶來(lái)了關(guān)于“全球首款4英寸精加工批量AlN晶圓片”的主題報(bào)告，分享了最新進(jìn)展。
Yuri Makarov博士1980年獲得圣彼得堡技術(shù)大學(xué)物理與力學(xué)碩士，1983年取得圣彼得堡技術(shù)大學(xué)流體力學(xué)與等離子物理博士。2002起他任職氮化物晶體集團(tuán)公司執(zhí)行總裁，不僅是維吉尼亞州里士滿，還是俄羅斯圣彼得堡氮化物晶體集團(tuán)執(zhí)行總裁。他的科研領(lǐng)域集中在研究晶體的生長(zhǎng)和外延，包括：升華法生長(zhǎng)塊狀SiC晶體、升華法生長(zhǎng)塊狀A(yù)lN晶體、開(kāi)發(fā)和制造PVT法生長(zhǎng)SiC和AlN晶體設(shè)備、開(kāi)發(fā)設(shè)備和氫化物氣相外延法外延生長(zhǎng)技術(shù)、外延生長(zhǎng)和氮化物異質(zhì)結(jié)分析、以及應(yīng)用于醫(yī)學(xué)和生物學(xué)的蛋白質(zhì)和DNA檢測(cè)石墨烯基層傳感器。
報(bào)告中，他分析了關(guān)于基于SiC籽晶生長(zhǎng)的AlN單晶的表征數(shù)據(jù)、在NCG的AlN晶圓上制造的外延和器件等內(nèi)容。
AlN為直接帶隙半導(dǎo)體材料，具有熱穩(wěn)定性好、耐腐蝕、耐輻射等優(yōu)良的物理和化學(xué)性能，作為襯底材料，潛力巨大，其制備方法備受關(guān)注。Nitride Crystals Inc.執(zhí)行總裁Yuri MAKAROV帶來(lái)了關(guān)于“全球首款4英寸精加工批量AlN晶圓片”的主題報(bào)告，分享了最新進(jìn)展。
Yuri Makarov博士1980年獲得圣彼得堡技術(shù)大學(xué)物理與力學(xué)碩士，1983年取得圣彼得堡技術(shù)大學(xué)流體力學(xué)與等離子物理博士。2002起他任職氮化物晶體集團(tuán)公司執(zhí)行總裁，不僅是維吉尼亞州里士滿，還是俄羅斯圣彼得堡氮化物晶體集團(tuán)執(zhí)行總裁。他的科研領(lǐng)域集中在研究晶體的生長(zhǎng)和外延，包括：升華法生長(zhǎng)塊狀SiC晶體、升華法生長(zhǎng)塊狀A(yù)lN晶體、開(kāi)發(fā)和制造PVT法生長(zhǎng)SiC和AlN晶體設(shè)備、開(kāi)發(fā)設(shè)備和氫化物氣相外延法外延生長(zhǎng)技術(shù)、外延生長(zhǎng)和氮化物異質(zhì)結(jié)分析、以及應(yīng)用于醫(yī)學(xué)和生物學(xué)的蛋白質(zhì)和DNA檢測(cè)石墨烯基層傳感器。
報(bào)告中，他分析了關(guān)于基于SiC籽晶生長(zhǎng)的AlN單晶的表征數(shù)據(jù)、在NCG的AlN晶圓上制造的外延和器件等內(nèi)容。
