其中，功率電子器件及封裝技術(shù)分會(huì)主題涵蓋碳化硅/氮化鎵電力電子器件的新結(jié)構(gòu)與新工藝開發(fā)、碳化硅/氮化鎵功率電子器件柵驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)、高效高速碳化硅/氮化鎵功率模塊設(shè)計(jì)與制造，碳化硅/氮化鎵封裝技術(shù)和碳化硅/氮化鎵功率應(yīng)用與可靠性等。分會(huì)將邀請國內(nèi)外知名專家參加本次會(huì)議，呈現(xiàn)碳化硅/氮化鎵功率電子器件及封裝技術(shù)研究與應(yīng)用的最新進(jìn)展。
 

浙江大學(xué)教授盛況與電子科技大學(xué)教授張波共同擔(dān)任分會(huì)中方主席，美國弗吉尼亞大學(xué)教授、天津大學(xué)教授陸國權(quán)與加拿大多倫多大學(xué)教授吳偉東共同擔(dān)任分會(huì)外方主席。中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所研究員柏松、西安電子科技大學(xué)教授張進(jìn)成、大連芯冠科技有限公司總經(jīng)理梁輝南、西安交通大學(xué)教授王來利、中山大學(xué)教授劉揚(yáng)等精英專家們擔(dān)任分會(huì)委員。
 

SiC和GaN作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，也代表了功率電子器件的發(fā)展方向，在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、新能源汽車、工業(yè)電機(jī)等領(lǐng)域具有巨大的發(fā)展?jié)摿Α?br />  

本屆分會(huì)的氮化鎵專場，美國康奈爾大學(xué)電氣和計(jì)算機(jī)工程教授Huili Grace XING，南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院院長、教授于洪宇，中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所研究員孫錢，中國空間技術(shù)研究院北京衛(wèi)星制造廠宇航電源產(chǎn)品首席專家萬成安，電子科技大學(xué)教授周琦，北京大學(xué)副教授王茂俊，華南師范大學(xué)教授王幸福，中山大學(xué)黎城朗等來自國內(nèi)外高校、科研院所、企業(yè)的精英代表圍繞著氮化鎵功率器件及封裝技術(shù)主題將帶來精彩報(bào)告，分享前沿研究成果，值得期待。
 

緊扣國家“新基建”、“十四五”等前瞻利好政策，以“把握芯機(jī)遇·助力新基建”為主題，屆時(shí)兩場國際性盛會(huì)同臺亮相，先進(jìn)技術(shù)熱點(diǎn)高度聚焦，政產(chǎn)學(xué)研用行業(yè)領(lǐng)袖齊聚，共商未來產(chǎn)業(yè)發(fā)展大計(jì)。
 

11月23-25日，深圳會(huì)展中心見！

會(huì)議具體議程如下：

 

 

更多大會(huì)詳細(xì)設(shè)置與內(nèi)容請參加大會(huì)官網(wǎng)：
http://www.sslchina.org/
 

長期從事硅基和寬禁帶電力電子芯片、封裝及應(yīng)用研究，包括芯片設(shè)計(jì)與工藝、器件封裝與測試以及在智能電網(wǎng)、軌道交通、新能源汽車、工業(yè)電機(jī)、各類電源等領(lǐng)域中的應(yīng)用，2009年回國創(chuàng)建浙江大學(xué)電力電子器件實(shí)驗(yàn)室（Power Electronic Device Lab, PEDL），是國內(nèi)較早開展碳化硅和氮化鎵電力電子器件研發(fā)的團(tuán)隊(duì)。
 

團(tuán)隊(duì)承擔(dān)了電力電子器件及應(yīng)用領(lǐng)域的多個(gè)國家級、省部級和橫向合作項(xiàng)目，包括國家重大科技專項(xiàng)、國家863主題項(xiàng)目及課題、國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目及課題、自然科學(xué)基金委杰出青年基金、自然科學(xué)基金委重點(diǎn)項(xiàng)目等十余項(xiàng)，在器件理論、芯片研制、器件封測和應(yīng)用方面取得了一些成果，包括最早報(bào)道了碳化硅（SiC）功率集成芯片、在國內(nèi)較早自主研制出了系列SiC芯片和模塊（600V~6000V/最高300A，SBD、JBS、MPS、JFET、MOSFET）、提出溝槽型超級結(jié)SiC肖特基二極管設(shè)計(jì)方法并報(bào)道了1300V（不包括襯底0.36 mΩ?cm2，品質(zhì)因子FOM達(dá)國際前列）SiC超級結(jié)二極管、提出新型垂直型氮化鎵晶體管結(jié)構(gòu)并報(bào)道了FOM處國際前列的芯片、基于新型單驅(qū)動(dòng)方法的10kV/200A碳化硅MOSFET多芯片串-并聯(lián)模塊、首款10kVA基于全碳化硅器件的高壓電力電子變壓器、合作開發(fā)了高壓大容量硅基IGBT芯片等。

從1980年代起即致力于新型功率半導(dǎo)體技術(shù)研究，多次擔(dān)任國際會(huì)議功率半導(dǎo)體分會(huì)主席，2010年成為國際功率半導(dǎo)體器件與功率集成電路學(xué)術(shù)會(huì)議（ISPSD）技術(shù)委員會(huì)（TPC）成員（全球功率半導(dǎo)體最高級別專業(yè)會(huì)議，張波教授是近年來首次進(jìn)入該技術(shù)委員會(huì)的國內(nèi)學(xué)者），2015年ISPSD大會(huì)副主席。目前帶領(lǐng)電子科技大學(xué)功率集成技術(shù)實(shí)驗(yàn)室（PITEL）主攻功率半導(dǎo)體技術(shù)研究。
 

電子科技大學(xué)功率集成技術(shù)實(shí)驗(yàn)室（PITEL）是“電子薄膜與集成器件國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室”和“電子科技大學(xué)集成電路研究中心”的重要組成部分。被國際同行譽(yù)為“全球功率半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域最大的學(xué)術(shù)研究團(tuán)隊(duì)”和“功率半導(dǎo)體領(lǐng)域研究最為全面的學(xué)術(shù)團(tuán)隊(duì)”。實(shí)驗(yàn)室瞄準(zhǔn)國際一流，致力于功率半導(dǎo)體科學(xué)和技術(shù)研究，研究內(nèi)容涵蓋分立器件（從高性能功率二極管MCR、雙極型功率晶體管、功率MOSFET、IGBT、MCT到RF LDMOS，從硅基到SiC和GaN）、可集成功率半導(dǎo)體器件（含硅基、SOI基和GaN基）和功率集成電路（含高低壓工藝集成、高壓功率集成電路、電源管理集成電路、數(shù)字輔助功率集成及面向系統(tǒng)芯片的低功耗集成電路等）。
 

近年來,實(shí)驗(yàn)室共發(fā)表SCI收錄論文300余篇。在電子器件領(lǐng)域頂級刊物《IEEE Electron Device Letters》和《IEEE Transactions on Electron Devices》上共發(fā)表論文60余篇。繼2012年在EDL上發(fā)表7篇論文，論文數(shù)位列全球前列以后，2015年在TED上發(fā)表8篇文章，論文數(shù)再次列全球前三（在固態(tài)功率與高壓器件領(lǐng)域居全球第一）。
 

實(shí)驗(yàn)室在功率半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域已申請中國發(fā)明專利800余項(xiàng)，與企業(yè)合作承擔(dān)了國家高技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展計(jì)劃、四川省產(chǎn)業(yè)發(fā)展關(guān)鍵重大技術(shù)項(xiàng)目、江蘇省產(chǎn)業(yè)化轉(zhuǎn)化項(xiàng)目、廣東省教育部產(chǎn)學(xué)研結(jié)合項(xiàng)目、粵港關(guān)鍵領(lǐng)域重點(diǎn)突破項(xiàng)目等產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目；面向市場研發(fā)出100余種產(chǎn)品；為企業(yè)開發(fā)出60V-600V功率MOS、600V-900V超結(jié)（SJ）MOS、IGBT、120V-700V BCD、高壓SOI等生產(chǎn)平臺，部分產(chǎn)品打破國外壟斷、實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)，已銷售數(shù)億只。

1992年進(jìn)入美國弗吉尼亞理工大學(xué)工作，曾獲美國國家自然科學(xué)基金Career獎(jiǎng)，2003年成為弗吉尼亞理工大學(xué)終身教授，美國弗吉尼亞理工大學(xué)電力電子系統(tǒng)研究中心CPES骨干科學(xué)家。他已成功在功率半導(dǎo)體器件和模塊中實(shí)現(xiàn)倒裝焊、球柵陣列和旋渦陣列連接，雙面冷卻封裝，平面化封裝等專利技術(shù)。他是納米銀焊膏的專利發(fā)明人，曾獲得美國R&D 100大獎(jiǎng)。迄今他已先后在電子封裝期刊及會(huì)議發(fā)表學(xué)術(shù)論文逾220篇，其中100余篇被SCI收錄。授權(quán)美國發(fā)明專利4項(xiàng)，公開發(fā)明專利1項(xiàng)，授權(quán)中國發(fā)明專利6項(xiàng)，公開中國發(fā)明專利13項(xiàng)。

研究重點(diǎn)是III-V型氮化物，2-D晶體，氧化物半導(dǎo)體，最近研究多鐵性材料，磁性和超導(dǎo)材料的開發(fā)：生長，電子和光電器件，尤其是材料性能與器件開發(fā)以及高性能器件之間的相互作用，包括RF / THz器件，隧道場效應(yīng)晶體管，功率電子器件，DUV發(fā)射器和存儲(chǔ)器。她曾獲得AFOSR青年研究者獎(jiǎng)，NSF職業(yè)獎(jiǎng)和ISCS青年科學(xué)家獎(jiǎng)。
在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域承擔(dān)了與華為/方正微電子等公司的橫向課題，使得GaN功率器件在其公司的p-line生產(chǎn)，目前承擔(dān)一項(xiàng)6寸硅基GaN功率器件產(chǎn)業(yè)化的廣東省重大專項(xiàng)。在電子陶瓷領(lǐng)域創(chuàng)辦南灣通信科技有限公司，成功吸引天使投資1500萬用于量產(chǎn)介質(zhì)濾波器。在集成電路工藝與器件方面，包括CMOS、新型超高密度存儲(chǔ)器、GaN器件與系統(tǒng)集成（GaN HEMT） 、以及電子陶瓷方面發(fā)表學(xué)術(shù)論文近400篇，其中近180篇被SCI收錄，總他引次數(shù)近5000次，H 影響因子為39。編輯2本書籍并撰寫了4本專業(yè)書籍的章節(jié)。發(fā)表/被授予近20 項(xiàng)美國/歐洲專利以及30項(xiàng)以上國內(nèi)專利。數(shù)十次做國際學(xué)術(shù)會(huì)議邀請報(bào)告，擔(dān)任若干國際會(huì)議TPC member 以及session chair。任中國最高綜合類學(xué)術(shù)期刊Science Bulletin（科學(xué)通報(bào)英文版）副主編以及《Journal of Semicondictor》編輯。作為項(xiàng)目負(fù)責(zé)人，承擔(dān)超過7000萬人民幣國家/省/市/以及橫向科研項(xiàng)目（包括新加坡主持項(xiàng)目）。