2020年11月23-25日，第十七屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國際第三代半導體論壇（IFWS 2020）將在深圳會展中心舉行。本屆論壇由國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）主辦。南方科技大學與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦。
其中，功率電子器件及封裝技術分會主題涵蓋碳化硅/氮化鎵電力電子器件的新結構與新工藝開發、碳化硅/氮化鎵功率電子器件柵驅動設計、高效高速碳化硅/氮化鎵功率模塊設計與制造，碳化硅/氮化鎵封裝技術和碳化硅/氮化鎵功率應用與可靠性等。分會將邀請國內外知名專家參加本次會議，呈現碳化硅/氮化鎵功率電子器件及封裝技術研究與應用的最新進展。
浙江大學教授盛況與電子科技大學教授張波共同擔任分會中方主席，美國弗吉尼亞大學教授、天津大學教授陸國權與加拿大多倫多大學教授吳偉東共同擔任分會外方主席。中國電子科技集團公司第五十五研究所研究員柏松、西安電子科技大學教授張進成、大連芯冠科技有限公司總經理梁輝南、西安交通大學教授王來利、中山大學教授劉揚等精英專家們擔任分會委員。
SiC和GaN作為第三代半導體材料的典型代表，也代表了功率電子器件的發展方向，在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統、新能源汽車、工業電機等領域具有巨大的發展潛力。
本屆分會的氮化鎵專場，美國康奈爾大學電氣和計算機工程教授Huili Grace XING，南方科技大學深港微電子學院院長、教授于洪宇，中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所研究員孫錢，中國空間技術研究院北京衛星制造廠宇航電源產品首席專家萬成安，電子科技大學教授周琦，北京大學副教授王茂俊，華南師范大學教授王幸福，中山大學黎城朗等來自國內外高校、科研院所、企業的精英代表圍繞著氮化鎵功率器件及封裝技術主題將帶來精彩報告，分享前沿研究成果，值得期待。
緊扣國家“新基建”、“十四五”等前瞻利好政策，以“把握芯機遇·助力新基建”為主題，屆時兩場國際性盛會同臺亮相，先進技術熱點高度聚焦，政產學研用行業領袖齊聚，共商未來產業發展大計。
11月23-25日，深圳會展中心見！
會議具體議程如下：
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http://www.sslchina.org/
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部分嘉賓
分會中方主席：盛況 浙江大學浙江大學電氣工程學院院長，求是特聘教授
長期從事硅基和寬禁帶電力電子芯片、封裝及應用研究，包括芯片設計與工藝、器件封裝與測試以及在智能電網、軌道交通、新能源汽車、工業電機、各類電源等領域中的應用，2009年回國創建浙江大學電力電子器件實驗室（Power Electronic Device Lab, PEDL），是國內較早開展碳化硅和氮化鎵電力電子器件研發的團隊。
團隊承擔了電力電子器件及應用領域的多個國家級、省部級和橫向合作項目，包括國家重大科技專項、國家863主題項目及課題、國家重點研發計劃項目及課題、自然科學基金委杰出青年基金、自然科學基金委重點項目等十余項，在器件理論、芯片研制、器件封測和應用方面取得了一些成果，包括最早報道了碳化硅（SiC）功率集成芯片、在國內較早自主研制出了系列SiC芯片和模塊（600V~6000V/最高300A，SBD、JBS、MPS、JFET、MOSFET）、提出溝槽型超級結SiC肖特基二極管設計方法并報道了1300V（不包括襯底0.36 mΩ?cm2，品質因子FOM達國際前列）SiC超級結二極管、提出新型垂直型氮化鎵晶體管結構并報道了FOM處國際前列的芯片、基于新型單驅動方法的10kV/200A碳化硅MOSFET多芯片串-并聯模塊、首款10kVA基于全碳化硅器件的高壓電力電子變壓器、合作開發了高壓大容量硅基IGBT芯片等。
分會中方主席：張波 電子科技大學教授
從1980年代起即致力于新型功率半導體技術研究，多次擔任國際會議功率半導體分會主席，2010年成為國際功率半導體器件與功率集成電路學術會議（ISPSD）技術委員會（TPC）成員（全球功率半導體最高級別專業會議，張波教授是近年來首次進入該技術委員會的國內學者），2015年ISPSD大會副主席。目前帶領電子科技大學功率集成技術實驗室（PITEL）主攻功率半導體技術研究。
電子科技大學功率集成技術實驗室（PITEL）是“電子薄膜與集成器件國家重點實驗室”和“電子科技大學集成電路研究中心”的重要組成部分。被國際同行譽為“全球功率半導體技術領域最大的學術研究團隊”和“功率半導體領域研究最為全面的學術團隊”。實驗室瞄準國際一流，致力于功率半導體科學和技術研究，研究內容涵蓋分立器件（從高性能功率二極管MCR、雙極型功率晶體管、功率MOSFET、IGBT、MCT到RF LDMOS，從硅基到SiC和GaN）、可集成功率半導體器件（含硅基、SOI基和GaN基）和功率集成電路（含高低壓工藝集成、高壓功率集成電路、電源管理集成電路、數字輔助功率集成及面向系統芯片的低功耗集成電路等）。
近年來,實驗室共發表SCI收錄論文300余篇。在電子器件領域頂級刊物《IEEE Electron Device Letters》和《IEEE Transactions on Electron Devices》上共發表論文60余篇。繼2012年在EDL上發表7篇論文，論文數位列全球前列以后，2015年在TED上發表8篇文章，論文數再次列全球前三（在固態功率與高壓器件領域居全球第一）。
實驗室在功率半導體技術領域已申請中國發明專利800余項，與企業合作承擔了國家高技術產業發展計劃、四川省產業發展關鍵重大技術項目、江蘇省產業化轉化項目、廣東省教育部產學研結合項目、粵港關鍵領域重點突破項目等產業化項目；面向市場研發出100余種產品；為企業開發出60V-600V功率MOS、600V-900V超結（SJ）MOS、IGBT、120V-700V BCD、高壓SOI等生產平臺，部分產品打破國外壟斷、實現批量生產，已銷售數億只。
分會外方主席：陸國權 美國弗吉尼亞理工大學終身教授
1992年進入美國弗吉尼亞理工大學工作，曾獲美國國家自然科學基金Career獎，2003年成為弗吉尼亞理工大學終身教授，美國弗吉尼亞理工大學電力電子系統研究中心CPES骨干科學家。他已成功在功率半導體器件和模塊中實現倒裝焊、球柵陣列和旋渦陣列連接，雙面冷卻封裝，平面化封裝等專利技術。他是納米銀焊膏的專利發明人，曾獲得美國R&D 100大獎。迄今他已先后在電子封裝期刊及會議發表學術論文逾220篇，其中100余篇被SCI收錄。授權美國發明專利4項，公開發明專利1項，授權中國發明專利6項，公開中國發明專利13項。
分會外方主席：吳偉東 加拿大多倫多大學電子與計算機工程學部教授
研究領域涵蓋智能功率半導體器件及其制作工藝，他尤其擅長功率管理集成電路、集成電源開關和集成D類音頻功率放大器的開發。1990年獲得多倫多大學的博士學位后，吳教授加入德州儀器公司，開發適用于汽車應用的功率晶體管。1992年吳教授加入香港大學開始學術研究生涯。1993年，吳教授加入多倫多大學，組建了智能功率集成電路和半導體器件研究團隊，擁有智能功率集成電路和射頻領域CMOS技術研發與改進的豐富閱歷。
Huili Grace XING 美國康奈爾大學電氣和計算機工程教授
研究重點是III-V型氮化物，2-D晶體，氧化物半導體，最近研究多鐵性材料，磁性和超導材料的開發：生長，電子和光電器件，尤其是材料性能與器件開發以及高性能器件之間的相互作用，包括RF / THz器件，隧道場效應晶體管，功率電子器件，DUV發射器和存儲器。她曾獲得AFOSR青年研究者獎，NSF職業獎和ISCS青年科學家獎。
于洪宇 南方科技大學深港微電子學院院長、教授
在第三代半導體領域承擔了與華為/方正微電子等公司的橫向課題，使得GaN功率器件在其公司的p-line生產，目前承擔一項6寸硅基GaN功率器件產業化的廣東省重大專項。在電子陶瓷領域創辦南灣通信科技有限公司，成功吸引天使投資1500萬用于量產介質濾波器。在集成電路工藝與器件方面，包括CMOS、新型超高密度存儲器、GaN器件與系統集成（GaN HEMT） 、以及電子陶瓷方面發表學術論文近400篇，其中近180篇被SCI收錄，總他引次數近5000次，H 影響因子為39。編輯2本書籍并撰寫了4本專業書籍的章節。發表/被授予近20 項美國/歐洲專利以及30項以上國內專利。數十次做國際學術會議邀請報告，擔任若干國際會議TPC member 以及session chair。任中國最高綜合類學術期刊Science Bulletin（科學通報英文版）副主編以及《Journal of Semicondictor》編輯。作為項目負責人，承擔超過7000萬人民幣國家/省/市/以及橫向科研項目（包括新加坡主持項目）。代表南科大與第三代半導體產業技術創新戰略聯盟共同成功籌建深圳第三代半導體研究院，并擔任副院長。與清華大學共同牽頭成功籌建廣東省未來網絡高端器件制造業創新中心，成功籌建南科大深港微電子學院（被教育部批準為國家示范性微電子學院）以及未來通信集成電路教育部工程研究中心。牽頭組建深圳市第三代半導體重點實驗室、廣東省GaN器件工程技術中心，并成立團隊。入選首批國家“千人計劃”（青年項目），廣東省科技創新領軍人才，享受深圳市政府特殊津貼，英國工程技術學會會士(Fellow of IET)。
孫錢 中科院蘇州納米所研究員
中國科技大學材料物理和計算機科學與技術雙學士（郭沫若校長獎獲得者）、美國耶魯大學博士（耶魯工學院Becton獎獲得者），國家技術發明一等獎獲得者，國家優秀青年基金獲得者，首批國家特聘青年專家，江蘇省“雙創人才”，中國電子學會優秀科技工作者。現任中科院蘇州納米所研究員、博導、器件部副主任。
長期致力于硅基III族氮化物半導體材料生長與光電子及功率電子器件制備研究。通過與企業的產學研實質性合作，帶領團隊研發出硅襯底GaN基高效LED的外延及芯片技術，并在全球率先產業化，年銷售逾4億元。2016年成功研制出國際上首支硅襯底GaN基激光器，入選中國光學重要成果和科技部高新技術領域創新進展報告。近5年來主持承擔了國家重點研發計劃課題、863計劃課題、中科院前沿科學重點研究項目、中科院科技服務網絡STS計劃區域重點項目、江蘇省重點研發計劃項目等。
迄今為止，在NaturePhotonics、Light: Science & Applications等國際學術期刊上發表了100余篇學術論文，是30余項美國和中國發明專利的發明人。應邀在國際氮化物半導體學術會議和產業論壇上作特邀報告40余次。現兼任中國物理學會發光分會第十四屆委員會委員、中國激光雜志社青年編輯委員會委員、《半導體學報》第十二屆編輯委員會委員、《發光學報》第一屆青年編輯委員會委員、SEMI中國功率及化合物半導體委員會委員。
萬成安 中國空間技術研究院北京衛星制造廠宇航電源產品首席專家
萬航天科技集團公司電源與供配電學科帶頭人，航天五院宇航電源產品首席專家，多年從事空間電源及能源系統技術研究工作。獲發明專利10項，發表論文50余篇。
周琦 電子科技大學教授
專注于第三代寬禁帶新型半導體材料、器件及其集成技術的研究，尤其在氮化鎵（GaN）功率器件新結構、模型/器件物理、先進制備工藝與GaN功率集成技術領域具有較好的研究基礎。開發出一款硅基GaN（GaN-on-Si）柵控橫向功率整流器新結構，器件性能達到國際報道的同類器件最高水平。開發出一種高效、低損傷原子層刻蝕技術，利用該技術制備的增強型GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）器件性能達到國際領先水平。
研究成果發表于行業頂級期刊《IEEE Electron Device Letters》、《IEEE Trans. on Electron Devices》、《IEEE Microwave and Wireless Components Letter》及國際頂級會議IEDM、ISPSD。目前已在IEEE EDL、IEEE TED、IEEE MWCL等本領域頂級期刊和IEDM、ISPSD等國際頂級會議共發表論文52篇。研究成果被功率半導體世界最著名學者J. B. Baliga (IEEE fellow, 2010年美國國家科學技術獎獲得者)發表于Semicond. Sci. and Tech.的 Invited Review Paper及中國科學院院士郝躍教授的綜述性文章作為高壓 InAlN/GaN HEMT的代表性工作所引用。參加國際重要學術會議15次，邀請報告1次，口頭報告4次。申請中國發明專利5項。被IEEE-TED和IEEE-EDL評為2013及2014年度金牌審稿人(Golden Reviewers)。
王茂俊 北京大學微納電子學系 副教授
主要從事GaN、Ga2O3等寬禁帶半導體功率電子器件的結構、工藝及可靠性物理研究，在國際主流期刊和會議上發表學術論文50余篇，承擔了自然基金、重點研發等多項課題。
