2020年11月23-25日，第十七屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國際第三代半導體論壇（IFWS 2020）將在深圳會展中心舉行。本屆論壇由國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）主辦。南方科技大學與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦。

其中，功率電子器件及封裝技術分會主題涵蓋碳化硅/氮化鎵電力電子器件的新結構與新工藝開發、碳化硅/氮化鎵功率電子器件柵驅動設計、高效高速碳化硅/氮化鎵功率模塊設計與制造，碳化硅/氮化鎵封裝技術和碳化硅/氮化鎵功率應用與可靠性等。分會將邀請國內外知名專家參加本次會議，呈現碳化硅/氮化鎵功率電子器件及封裝技術研究與應用的最新進展。
 

浙江大學教授盛況與電子科技大學教授張波共同擔任分會中方主席，美國弗吉尼亞大學教授、天津大學教授陸國權與加拿大多倫多大學教授吳偉東共同擔任分會外方主席。中國電子科技集團公司第五十五研究所研究員柏松、西安電子科技大學教授張進成、大連芯冠科技有限公司總經理梁輝南、西安交通大學教授王來利、中山大學教授劉揚等精英專家們擔任分會委員。
 

SiC和GaN作為第三代半導體材料的典型代表，也代表了功率電子器件的發展方向，在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統、新能源汽車、工業電機等領域具有巨大的發展潛力。
 

本屆分會上的碳化硅專場，日本豐田汽車公司功率半導體顧問、PDPlus LLC總裁、ISPSD2021大會主席Kimimori HAMADA，中電科五十五所教授級高工、寬禁帶半導體電力電子器件國家重點實驗室主任柏松，廈門大學講座教授、全球能源互聯網研究院前院長邱宇峰，浙江大學特聘副研究員任娜，深圳第三代半導體研究院研究員楊安麗，重慶大學電氣工程學院副教授曾正，華北電力大學副教授李學寶，賀利氏電子中國區研發總監張靖等來自國內外高校、科研院所、企業的精英代表圍繞著碳化硅功率器件及封裝技術主題將帶來精彩報告，多角度分享前沿研究成果。
 

緊扣國家“新基建”、“十四五”等前瞻利好政策，以“把握芯機遇·助力新基建”為主題，屆時兩場國際性盛會同臺亮相，先進技術熱點高度聚焦，政產學研用行業領袖齊聚，共商未來產業發展大計。
 

11月，深圳見！

會議議程如下：

 

 

 

 

http://www.sslchina.org/
 

長期從事硅基和寬禁帶電力電子芯片、封裝及應用研究，包括芯片設計與工藝、器件封裝與測試以及在智能電網、軌道交通、新能源汽車、工業電機、各類電源等領域中的應用，2009年回國創建浙江大學電力電子器件實驗室（Power Electronic Device Lab, PEDL），是國內較早開展碳化硅和氮化鎵電力電子器件研發的團隊。
 

團隊承擔了電力電子器件及應用領域的多個國家級、省部級和橫向合作項目，包括國家重大科技專項、國家863主題項目及課題、國家重點研發計劃項目及課題、自然科學基金委杰出青年基金、自然科學基金委重點項目等十余項，在器件理論、芯片研制、器件封測和應用方面取得了一些成果，包括最早報道了碳化硅（SiC）功率集成芯片、在國內較早自主研制出了系列SiC芯片和模塊（600V~6000V/最高300A，SBD、JBS、MPS、JFET、MOSFET）、提出溝槽型超級結SiC肖特基二極管設計方法并報道了1300V（不包括襯底0.36 mΩ?cm2，品質因子FOM達國際前列）SiC超級結二極管、提出新型垂直型氮化鎵晶體管結構并報道了FOM處國際前列的芯片、基于新型單驅動方法的10kV/200A碳化硅MOSFET多芯片串-并聯模塊、首款10kVA基于全碳化硅器件的高壓電力電子變壓器、合作開發了高壓大容量硅基IGBT芯片等。

從1980年代起即致力于新型功率半導體技術研究，多次擔任國際會議功率半導體分會主席，2010年成為國際功率半導體器件與功率集成電路學術會議（ISPSD）技術委員會（TPC）成員（全球功率半導體最高級別專業會議，張波教授是近年來首次進入該技術委員會的國內學者），2015年ISPSD大會副主席。目前帶領電子科技大學功率集成技術實驗室（PITEL）主攻功率半導體技術研究。
 

電子科技大學功率集成技術實驗室（PITEL）是“電子薄膜與集成器件國家重點實驗室”和“電子科技大學集成電路研究中心”的重要組成部分。被國際同行譽為“全球功率半導體技術領域最大的學術研究團隊”和“功率半導體領域研究最為全面的學術團隊”。實驗室瞄準國際一流，致力于功率半導體科學和技術研究，研究內容涵蓋分立器件（從高性能功率二極管MCR、雙極型功率晶體管、功率MOSFET、IGBT、MCT到RF LDMOS，從硅基到SiC和GaN）、可集成功率半導體器件（含硅基、SOI基和GaN基）和功率集成電路（含高低壓工藝集成、高壓功率集成電路、電源管理集成電路、數字輔助功率集成及面向系統芯片的低功耗集成電路等）。
 

近年來,實驗室共發表SCI收錄論文300余篇。在電子器件領域頂級刊物《IEEE Electron Device Letters》和《IEEE Transactions on Electron Devices》上共發表論文60余篇。繼2012年在EDL上發表7篇論文，論文數位列全球前列以后，2015年在TED上發表8篇文章，論文數再次列全球前三（在固態功率與高壓器件領域居全球第一）。
 

實驗室在功率半導體技術領域已申請中國發明專利800余項，與企業合作承擔了國家高技術產業發展計劃、四川省產業發展關鍵重大技術項目、江蘇省產業化轉化項目、廣東省教育部產學研結合項目、粵港關鍵領域重點突破項目等產業化項目；面向市場研發出100余種產品；為企業開發出60V-600V功率MOS、600V-900V超結（SJ）MOS、IGBT、120V-700V BCD、高壓SOI等生產平臺，部分產品打破國外壟斷、實現批量生產，已銷售數億只。

1992年進入美國弗吉尼亞理工大學工作，曾獲美國國家自然科學基金Career獎，2003年成為弗吉尼亞理工大學終身教授，美國弗吉尼亞理工大學電力電子系統研究中心CPES骨干科學家。他已成功在功率半導體器件和模塊中實現倒裝焊、球柵陣列和旋渦陣列連接，雙面冷卻封裝，平面化封裝等專利技術。他是納米銀焊膏的專利發明人，曾獲得美國R&D 100大獎。迄今他已先后在電子封裝期刊及會議發表學術論文逾220篇，其中100余篇被SCI收錄。授權美國發明專利4項，公開發明專利1項，授權中國發明專利6項，公開中國發明專利13項。

于1985年加入豐田汽車公司，1987年作為最初成員之一參與了TMC的內部半導體項目。 負責功率MOSFET，BiCDMOS，IGBT和SiC MOSFET的器件開發。為豐田Prius混合動力汽車開發了所有IGBT器件。目前擔任功率半導體顧問，并且是PDPlus LLC的總裁。他是日本電氣工程師學會（IEEJ），日本汽車工程師學會（JSAE）和IEEE的成員。