11月27日上午，“微波射頻與5G移動通信” 分會如期召開。本屆分會由蘇州鍇威特半導體股份有限公司、中國電子科技集團第十三研究所、國家電網全球能源互聯網研究院有限公司、英諾賽科科技有限公司協辦。
 

氮化鎵微波器件具備高頻、高效、大功率等特點，在5G通信中應用潛力巨大。這一特定領域的突破標志著寬禁帶半導體產業邁向新的高地。分會關注氮化鎵微波器件及其單片集成電路材料外延、建模、設計與制造、可靠性技術及HEMT器件在移動通信中的應用等各方面，呈現第三代半導體微波器件及其應用的最新進展。
 

臺灣長庚大學教授邱顯欽、德國弗勞恩霍夫應用固體物理研究所部門技術部門經理Peter BR?CKNER、中興無線技術總工及技術委員會專家劉建利、西安電子科技大學教授劉志宏、北京國聯萬眾科技有限公司副總經理張志國、南京電子器件研究所高級工程師張凱、中國電子科技集團第41研究所張光山、河北半導體研究所王毅等來自中外的強勢力量聯袂帶來精彩報告。河北半導體研究所副所長蔡樹軍、蘇州能訊高能半導體有限公司董事長張乃千共同主持了本次分會。

 

河北半導體研究所王毅做了題為“一種采用氮化鎵MMIC和的分離FET器件的HMIC封裝技術的便攜X波段功率放大器”的主題報告，結合他具體的實驗設計和分析，介紹了GaN高功率高增益固態功率放大器的設計過程，包括多種創新的設計方法。平衡的駕駛階段，具有良好的vswr和穩定性。集成了偏置網絡的緊湊型功率級拓撲，設計開發了具有9-10GHz工作頻帶和130W輸出功率的放大器。
 

（內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）