11月25-27日，由深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局特別支持，國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，深圳第三代半導(dǎo)體研究院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦的第十六屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2019）在深圳會(huì)展中心召開。
11月27日上午，“微波射頻與5G移動(dòng)通信” 分會(huì)如期召開。本屆分會(huì)由蘇州鍇威特半導(dǎo)體股份有限公司、中國電子科技集團(tuán)第十三研究所、國家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司、英諾賽科科技有限公司協(xié)辦。
氮化鎵微波器件具備高頻、高效、大功率等特點(diǎn)，在5G通信中應(yīng)用潛力巨大。這一特定領(lǐng)域的突破標(biāo)志著寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邁向新的高地。分會(huì)關(guān)注氮化鎵微波器件及其單片集成電路材料外延、建模、設(shè)計(jì)與制造、可靠性技術(shù)及HEMT器件在移動(dòng)通信中的應(yīng)用等各方面，呈現(xiàn)第三代半導(dǎo)體微波器件及其應(yīng)用的最新進(jìn)展。
臺(tái)灣長(zhǎng)庚大學(xué)教授邱顯欽、德國弗勞恩霍夫應(yīng)用固體物理研究所部門技術(shù)部門經(jīng)理Peter BR?CKNER、中興無線技術(shù)總工及技術(shù)委員會(huì)專家劉建利、西安電子科技大學(xué)教授劉志宏、北京國聯(lián)萬眾科技有限公司副總經(jīng)理張志國、南京電子器件研究所高級(jí)工程師張凱、中國電子科技集團(tuán)第41研究所張光山、河北半導(dǎo)體研究所王毅等來自中外的強(qiáng)勢(shì)力量聯(lián)袂帶來精彩報(bào)告。河北半導(dǎo)體研究所副所長(zhǎng)蔡樹軍、蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司董事長(zhǎng)張乃千共同主持了本次分會(huì)。
北京國聯(lián)萬眾科技有限公司副總經(jīng)理董毅敏做了題為“5G用毫米波Doherty功率放大器的研制”的主題報(bào)告，結(jié)合具體實(shí)驗(yàn)及結(jié)果，介紹了通過利用SiC襯底上的AlGaN / GaN HEMT技術(shù)設(shè)計(jì)和制造了26GHz GaN微波單片集成電路功率放大器。所提出的放大器在8dB的退避功率下具有很高的效率，可以應(yīng)用于新一代寬帶無線移動(dòng)通信系統(tǒng)（5G）。
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