2019年11月25日下午，第十六屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導體論壇（IFWS 2019）開幕大會在深圳會展中心隆重召開。本屆論壇由國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）主辦，并得到深圳市龍華區科技創新局特別支持。國家科學技術部高新技術司、國家科學技術部國際合作司、國家工業和信息化部原材料工業司、國家節能中心、國家新材料產業發展專家咨詢委員會、深圳市科技創新委員會等大力支持。深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦。

第三代半導體氮化鎵微波器件具備高頻、高效、大功率等特點，應用潛力巨大。誰掌握著技術的高地，誰就擁有更多的話語權。美國國家工程院院士、加利福尼亞大學杰出教授、Transphorm董事長Umesh K. MISHRA曾商業化功率轉換的硅基氮化鎵晶體管，此次大會上，他帶來了題為“氮化鎵功率電子的價值前景”的主題報告，展望氮化鎵功率電子的未來前景。

用于功率轉換的氮化鎵（GaN）產品已經商業化將近10年，同時延伸至包括垂直和側面等結構的多種器件。目前硅（Si）基GaN外延仍然是首選技術，盡管藍寶石基GaN外延技術已經被開發出來。為了實現器件的常關操作，兩種基本方法已經開始使用：一種是采用p型柵極；另一種采用Si MOSFET與常開型GaN MOSFET兩種器件進行級聯。以上兩種方法都已經商業化，其中第二種器件級聯的方法，現在Transphorm已經實現了超高可靠性兼具低FIT數據。除此之外，GaN襯底垂直器件技術已經實現高擊穿電壓、高電流密度同時有效縮小了器件體積。目前最新的進展，集成了電源的產品已經面向市場發布。

報告針對多種市場上的產品進行綜述，同時介紹了GaN功率電子的價值前景。從GaN材料電源適配器目前市場的滲透率到高可靠性要求的工業和汽車行業等未來新興領域，這些內容都會采用Transphorm高質量高可靠性的產品。

（內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）

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