由于對高速、高溫和大功率半導(dǎo)體器件需求的不斷增長，使得半導(dǎo)體業(yè)重新考慮半導(dǎo)體所用設(shè)計(jì)和材料。隨著多種更快、更小計(jì)算器件的不斷涌現(xiàn)，硅材料已難以維持摩爾定律。由于氮化鎵材料所具有的獨(dú)特優(yōu)勢，如噪聲系數(shù)優(yōu)良、最大電流高、擊穿電壓高、振蕩頻率高等，為多種應(yīng)用提供了獨(dú)特的選擇，如軍事、宇航和國防、汽車領(lǐng)域，以及工業(yè)、太陽能、發(fā)電和風(fēng)力等高功率領(lǐng)域。

 

　　由于氮化鎵光電半導(dǎo)體在軍事、宇航、國防和消費(fèi)電子的使用，使得光電半導(dǎo)體成為全球氮化鎵半導(dǎo)體器件市場的主要產(chǎn)品類型，并占據(jù)絕對優(yōu)勢地位。其中功率半導(dǎo)體器件將隨著工業(yè)應(yīng)用對大功率器件需求的增長成為未來增長速度最快的器件。

　　對于GaN的功率器件發(fā)展而言，市場需求牽引力至關(guān)重要。從（2020年將支配市場的）電源和PFC（功率因數(shù)校正）領(lǐng)域，到UPS（不間斷電源）和馬達(dá)驅(qū)動，很多應(yīng)用領(lǐng)域都將從GaN-on-Si功率器件的特性中受益。

 

　　市場調(diào)查公司Yole Developpement)認(rèn)為，除了這些應(yīng)用，2020年以后純電動汽車（EV）和混合動力汽車（HEV）也將開始采用這些新材料和新器件。市場規(guī)模方面，2020年GaN器件市場整體規(guī)模有可能達(dá)到約6億美元。屆時(shí)，一塊6英寸晶圓可加工出大約58萬個(gè)GaN。按照EV和HEV從2018年或2019年開始采用GaN的設(shè)想來看，GaN器件的數(shù)量將從2016年開始顯著增加，一直到2020年都將以80％的年均增長率（CAGR）增長。

 

　　再隨著5G技術(shù)的逐漸成熟，帶給射頻前端(RF Front End)晶片市場商機(jī)，未來射頻功率放大器(RF PA)需求將持續(xù)成長，其中傳統(tǒng)金屬氧化半導(dǎo)體(Laterally Diffused metal Oxide Semiconductor，LDMOS；LDMOS具備低成本和大功率性能優(yōu)勢)制程逐步被氮化鎵(Gallium Nitride，GaN)取代，尤其在5G技術(shù)下需要支援更多元件、更高頻率，另砷化鎵(GaAs)則相對穩(wěn)定成長。透過導(dǎo)入新的射頻技術(shù)，RF PA將以新的制程技術(shù)實(shí)現(xiàn)，其中GaN的RF PA將成為輸出功率3W以上的主流制程技術(shù)，LDMOS市占率則逐漸降低。

 

 

　　據(jù)了解，陳敬教授他所帶領(lǐng)的團(tuán)隊(duì)目前的研究重點(diǎn)在于開發(fā)電力電子、無線電/微波及耐高溫電子應(yīng)用等方面的GaN器件技術(shù)。徐科老師頭銜也很多，他是中科院蘇州納米所研究員、博士生導(dǎo)師、納米測試中心主任，也是蘇州納維科技有限公司董事長。他長期圍繞高質(zhì)量氮化物半導(dǎo)體材料生長及相關(guān)生長裝備和測試分析儀器的研究與研發(fā)。

 

　　該分會特邀報(bào)告人美國倫斯勒理工大學(xué)教授周達(dá)成，加拿大多倫多大學(xué)電子與計(jì)算機(jī)工程學(xué)部教授Wai Tung NG，中國科學(xué)院固態(tài)照明研發(fā)中心研究員張連，中國科學(xué)院微電子研究所研究員黃森等國內(nèi)外知名專家學(xué)者，聚焦主題涵蓋大尺寸襯底上橫向或縱向氮化鎵器件外延結(jié)構(gòu)與生長、氮化鎵電力電子器件的新結(jié)構(gòu)與新工藝開發(fā)、高效高速氮化鎵功率模塊設(shè)計(jì)與制造，氮化鎵功率應(yīng)用與可靠性等，將全面呈現(xiàn)國際氮化鎵功率電子器件領(lǐng)域的應(yīng)用與最新技術(shù)進(jìn)展。