11月16日，圍繞氮化鎵及其它新型寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件技術(shù)設(shè)置的專題分會，由山東大學(xué)校長、教授張榮，北京大學(xué)物理學(xué)院教授、北京大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體聯(lián)合研究中心主任張國義，美國弗吉尼亞理工大學(xué)教授、美國工程院院士Fred C. LEE聯(lián)合坐鎮(zhèn)，召集了全球頂級專家精英，打造一場氮化鎵等第三代半導(dǎo)體電力電子器件的盛會。會議現(xiàn)場十分火爆，受場地限制，很多與會代表都站著聽完會議，火爆程度可想而知！

　　會上，來自比利時(shí)EpiGaNnv首席執(zhí)行官兼共同創(chuàng)始人Marianne GERMAIN，介紹了“大直徑硅外延片上的氮化鎵高效率的功率切換”研究報(bào)告。

 

　　Marianne Germai1999年取得比利時(shí)烈日大學(xué)電機(jī)工程PhD。她建立了烈日大學(xué)與與亞琛工業(yè)大學(xué)的密切合作，并被美國普渡大學(xué)和德國維爾茨堡大學(xué)邀請為邀請科學(xué)家。2001年，她加入了IMEC（一家位于比利時(shí)的國際微電子研究中心），并領(lǐng)導(dǎo)了高功率/高頻應(yīng)用的氮化鎵技術(shù)的發(fā)展。2004年開始，她任職項(xiàng)目經(jīng)理管理“Efficient Power/GaN”項(xiàng)目，于2007年至2010年任職“III-V systems”組組長。2008年至2009年，她通過了比利時(shí)弗拉瑞克魯汶根特管理學(xué)院培訓(xùn)管理課程。2010年5月，她和同事Joff Derluyn博士和Stefan Degroote 博士聯(lián)合創(chuàng)立了EpiGaN nv（清潔技術(shù)副產(chǎn)品，制造應(yīng)用電子產(chǎn)品的氮化鎵外延）。現(xiàn)任職首席執(zhí)行官兼董事會成員。她已經(jīng)發(fā)表和共同發(fā)表了超過100篇文章。她共同擁有幾個氮化鎵材料和器件方面的專利。

 

　　她表示，為延伸硅材料的電力電子特性，必須采用GaN-on-Si技術(shù)。該技術(shù)能夠減小能量損耗（能量供給，動力驅(qū)動），并且能夠允許高的操作溫度（服務(wù)器，電動車輛……），同時(shí)減小功率轉(zhuǎn)換器（電腦電源、汽車、空間……）的體積和重量。

 

　　GaN-on-Si技術(shù)能夠打破硅邊界的高效功率轉(zhuǎn)換的決定性優(yōu)勢在于它很好地將高性能和低成本結(jié)合在一起。這主要?dú)w功于使用低成本硅襯底，可以獲得大硅片，完全兼容于現(xiàn)有的硅生產(chǎn)線和生產(chǎn)車間。以15年以上的MOCVD生長三族氮化物結(jié)構(gòu)的經(jīng)驗(yàn)，EpiGaN已經(jīng)建立了獨(dú)特的工藝用于生長GaN基電力電子和射頻電子應(yīng)用的異質(zhì)結(jié)構(gòu)。

 

　　關(guān)鍵的差異性之一是原位生長的外延片的封蓋過程，作為優(yōu)化的表面鈍化層，能夠生產(chǎn)更牢固，并且更可靠的器件，同時(shí)可以減小晶體管的尺寸，因此增加了每個晶圓上的芯片數(shù)目（每個晶圓上多30%）。

 

　　特別考慮到非常薄的AlN二進(jìn)制界限形成的2DEG。在硅襯底上生長的這些SiN/AlN/GaN結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出很高的載流子密度，同時(shí)保持極好的遷移率。與InAlN晶格匹配的異質(zhì)結(jié)構(gòu)相反，這些結(jié)構(gòu)的漏電流很低。本文將給出最新的150 nm和200 nm晶圓的發(fā)展，在室溫和150℃條件下減小泄漏結(jié)構(gòu)，具有極好的動態(tài)電阻特性，適合高電壓開關(guān)應(yīng)用。