11月25-27日，由深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局特別支持，國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司共同承辦的第十六屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導體論壇（IFWS 2019）在深圳會展中心召開。
11月26日下午，“襯底、外延及生長裝備” 分會如期召開。本屆分會由中微半導體設(shè)備（上海）股份有限公司、蘇州鍇威特半導體股份有限公司、中國電子科技集團第十三研究所、國家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司、英諾賽科科技有限公司協(xié)辦。
碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）是重要的第三代半導體材料，在大功率高頻器件中具有重要的應(yīng)用，其材料水平直接決定了器件的性能。本屆分會涵蓋碳化硅和GaN生長材料、襯底、同（異）質(zhì)外延薄膜、測試表征和相關(guān)的設(shè)備，對SiC和GaN從機理到工業(yè)化進程進行系統(tǒng)的探討。
日本國立材料研究所SPring-8 BL15XU線站站長、東京工業(yè)大學兼職教授坂田修身，美國亞利桑那州立大學助理教授鞠光旭，俄羅斯STR Group, Inc.資深研發(fā)工程師Andrey SMIRNOV，鄭州大學Mussaab I. NIASS，德國ORCHESTRA總裁Guido COLOMBO，美國Aymont Technology Inc總裁Larry B. ROWLAND，美國NAURA-Akrion, Inc.首席技術(shù)官Ismail I. KASHKOUSH，廈門大學副教授林偉，中國科學院半導體研究所何亞偉等來自中外的強勢力量聯(lián)袂帶來精彩報告。
會上，鄭州大學Mussaab I. NIASS做了題為“藍寶石基B0.375GaN/B0.45GaN量子阱結(jié)構(gòu)的激光二極管中n-p電極對于p型電導率的影響”的主題報告，分享了最新研究成果。研究設(shè)計了由BxGa1-xN組成的邊緣發(fā)射激光二極管EELD，并假設(shè)其在藍寶石襯底上生長。將硼組合物調(diào)整到不同的值，以在UV−C波段深處發(fā)射，并且由于在許多尚未商業(yè)化的應(yīng)用中非常重要，因此將其計算為270 nm。阻止實現(xiàn)這種二極管類型的制造的最大問題之一是差的P型導電性。研究根據(jù)假設(shè)對結(jié)果進行分析，發(fā)現(xiàn)不規(guī)則的位移可能是由于N / P電極下方區(qū)域的尺寸/體積的變化而導致Mg和Si摻雜濃度的變化。研究同時還分析了N和P電極區(qū)域的V-I和L-I曲線。
（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解）
