近日，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）聯(lián)合主辦，北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)共同承辦的第七屆國際第三代半導(dǎo)體論壇暨第十八屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會展中心舉行。

期間，“SSLCHINA 2021：半導(dǎo)體照明芯片、封裝、模組及可靠性”分論壇由廣東中民工業(yè)技術(shù)創(chuàng)新研究院有限公司、旭宇光電（深圳）股份有限公司、有研稀土新材料股份有限公司、江蘇博睿光電有限公司聯(lián)合協(xié)辦支持。會上，福州大學(xué)孫捷教授現(xiàn)場分享了“低維納米材料在GaN LED芯片上的應(yīng)用”主題報告。

 

GaN上直接生長石墨烯應(yīng)用于LED散熱透明電極。孫捷教授在報告中展示了，2寸氮化鎵外延晶圓生長石墨烯前后的表面AFM照片。并通過數(shù)據(jù)分析顯示生長石墨烯后，樣品表面粗糙度僅為0.604 nm。分析了氮化鎵上直接PECVD生長石墨烯的拉曼光譜圖發(fā)現(xiàn)，單次掃描譜線，2700 cm-2的2D峰很明顯，分析特征峰比率的二維分布圖，顯示了材料的高度均勻性。并觀察二寸GaN LED晶圓上制備的石墨烯LED器件之工藝實拍照片，可見，器件已完全實現(xiàn)陣列化，工藝重復(fù)性好，實現(xiàn)了項目最初的出發(fā)點，突破原理性器件，使實用化成為可能。

 

同時，報告還介紹了關(guān)于CVD生長二維半導(dǎo)體存在的大面積高質(zhì)量生長（含摻雜、異質(zhì)結(jié)）和二維晶體與氮化鎵基半導(dǎo)體集成技術(shù)難題。以及通過納米孔中的非輻射能量轉(zhuǎn)移提高 μ-LED 的 QD 顏色轉(zhuǎn)換效率等研究進(jìn)展。