期間，“SSLCHINA 2021：半導(dǎo)體照明芯片、封裝、模組及可靠性”分論壇由廣東中民工業(yè)技術(shù)創(chuàng)新研究院有限公司、旭宇光電（深圳）股份有限公司、有研稀土新材料股份有限公司、江蘇博睿光電有限公司聯(lián)合協(xié)辦支持。會上，武漢大學(xué)動力與機械學(xué)院周圣軍教授現(xiàn)場分享了“高效率氮化物藍光/綠光/紫外LED外延生長與芯片制造技術(shù)”主題報告。

GaN基LED具有發(fā)光波長可調(diào)、發(fā)光效率高、節(jié)能、環(huán)保、壽命長、體積小等優(yōu)點，在汽車照明、高分辨率全彩顯示、可見光通信、光遺傳、通用照明等領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用價值。

 

報告介紹了，利用MOCVD原位生長技術(shù)、激光加工技術(shù)、ICP刻蝕技術(shù)、TMAH濕法腐蝕技術(shù)在LED芯片的不同位置引入微納光學(xué)結(jié)構(gòu)，提升LED芯片的光提取效率。汽車大燈和特種照明應(yīng)用領(lǐng)域需要大電流驅(qū)動LED芯片，針對大電流驅(qū)動條件下，電流聚集導(dǎo)致LED芯片電注入難的問題，設(shè)計與制造了一種三維倒裝結(jié)構(gòu)LED芯片，通過陣列分布的三維通孔電極，縮短電流橫向擴展長度，使電流分布更加均勻，解決了電流聚集問題，使藍光LED芯片的電注入效率達到99%，光輸出飽和電流密度提升了一倍。

 

在綠光LED外延結(jié)構(gòu)中引入InGaN/GaN超晶格，通過調(diào)節(jié)InGaN/GaN超晶格生長溫度和周期對V-pits的密度和尺寸進行調(diào)控，利用V-pits屏蔽位錯提升綠光LED芯片的外量子效率。發(fā)展濺射AlN成核層/圖形襯底模板技術(shù)，不僅降低了氮化物材料位錯密度，而且提升了紫外LED芯片的光提取效率，為發(fā)展高效率紫外LED提供技術(shù)支撐。