期間，“SSLCHINA 2021：半導體照明芯片、封裝、模組及可靠性”分論壇由廣東中民工業技術創新研究院有限公司、旭宇光電（深圳）股份有限公司、有研稀土新材料股份有限公司、江蘇博睿光電有限公司聯合協辦支持。會上，武漢大學動力與機械學院周圣軍教授現場分享了“高效率氮化物藍光/綠光/紫外LED外延生長與芯片制造技術”主題報告。

GaN基LED具有發光波長可調、發光效率高、節能、環保、壽命長、體積小等優點，在汽車照明、高分辨率全彩顯示、可見光通信、光遺傳、通用照明等領域具有重要的應用價值。

 

報告介紹了，利用MOCVD原位生長技術、激光加工技術、ICP刻蝕技術、TMAH濕法腐蝕技術在LED芯片的不同位置引入微納光學結構，提升LED芯片的光提取效率。汽車大燈和特種照明應用領域需要大電流驅動LED芯片，針對大電流驅動條件下，電流聚集導致LED芯片電注入難的問題，設計與制造了一種三維倒裝結構LED芯片，通過陣列分布的三維通孔電極，縮短電流橫向擴展長度，使電流分布更加均勻，解決了電流聚集問題，使藍光LED芯片的電注入效率達到99%，光輸出飽和電流密度提升了一倍。

 

在綠光LED外延結構中引入InGaN/GaN超晶格，通過調節InGaN/GaN超晶格生長溫度和周期對V-pits的密度和尺寸進行調控，利用V-pits屏蔽位錯提升綠光LED芯片的外量子效率。發展濺射AlN成核層/圖形襯底模板技術，不僅降低了氮化物材料位錯密度，而且提升了紫外LED芯片的光提取效率，為發展高效率紫外LED提供技術支撐。