2017年11月1日-3日，第十四屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA2017）暨 2017 國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2017）在北京順義隆重召開。論壇由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、北京市順義區(qū)人民政府主辦，中關(guān)村科技園區(qū)順義園管理委員會、北京半導(dǎo)體照明科技促進(jìn)中心和北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦。論壇同時得到了科技部、發(fā)改委、國標(biāo)委和北京市科委等主管部門的大力支持。

 

　　11月2日下午，IFWS 2017之第三代半導(dǎo)體與微波射頻技術(shù)分會如期舉行。分會由中國電子科技集團(tuán)第十三研究所和專用集成電路重點實驗室協(xié)辦，主題涵蓋氮化鎵微波器件及其單片集成電路材料外延、建模、設(shè)計與制造、可靠性技術(shù)及其在移動通信中的應(yīng)用等各方面，邀請國內(nèi)外知名專家參加會議，呈現(xiàn)第三代半導(dǎo)體微波器件及其應(yīng)用的最新進(jìn)展。

 

　　英國布里斯托大學(xué)教授Martin KUBALL、中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所研究員馮志紅、西安電子科技大學(xué)副教授鄭雪峰、南京電子器件研究所高級工程師吳少兵、中興通訊股份有限公司射頻功放平臺總工劉建利、荷蘭Ampleon公司W(wǎng)LR可靠性專家陶國橋等國內(nèi)外相關(guān)領(lǐng)域?qū)＜曳窒砀髯缘难芯砍晒Ｖ袊娮涌萍技瘓F(tuán)公司第十三研究所副所長、研究員級高工蔡樹軍，蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司董事長張乃千共同主持本次分會。

 

　　中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所研究員馮志紅介紹了關(guān)于解決InAlN/GaN異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管（HFETs）應(yīng)用的漏電大和可靠性差的瓶頸問題方法的研究成果。馮志紅研究員現(xiàn)任中國電子科技集團(tuán)公司首席專家，國際電工技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)委員會專家，研究方向為太赫茲固態(tài)電子器件、先進(jìn)半導(dǎo)體材料與器件。

 

　　其中，馮志紅表示，氮化鎵與氮化鋁是非常好的搭配，會帶來比較高的功率，相比其他一些結(jié)構(gòu)更加優(yōu)化，也有很多應(yīng)用。人們希望可以將氮化鎵應(yīng)用到5G等領(lǐng)域，希望增加輸出功率。結(jié)合具體的建模分析，馮志紅表示，降低延遲，為了獲得信號而降低頻率并不是一個很好的方式。尋求新的技術(shù)和結(jié)構(gòu)，超薄的屏障層，較低的層級電阻，較高的擊穿是非常重要的。此外，馮志紅還介紹了兩種結(jié)構(gòu)對于AIN的挑戰(zhàn)，以及關(guān)于可靠性的研究成果。