11月25-27日，由深圳市龍華區科技創新局特別支持，國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）主辦，深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦的第十六屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導體論壇（IFWS 2019）在深圳會展中心召開。 

11月27日上午，“固態紫外器件技術”分會如期召開。本屆分會山西中科潞安紫外光電科技有限公司、中微半導體設備（上海）股份有限公司協辦。

第三代半導體材料在紫外器件中具備其他半導體材料難以比擬的優勢，展現出巨大的應用潛力。分會重點關注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發光材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測材料，高效量子結構設計及外延，以及發光二極管、激光器、光電探測器等核心器件的關鍵制備技術。

挪威科學技術大學教授、挪威科學技術院院士Helge WEMAN，南京大學教授陸海，臺灣交通大學特聘教授郭浩中，中微半導體設備（上海）股份有限公司主任工藝工程師胡建正，上海大學教授、Ultratrend Technologies Inc總裁吳亮，河北工業大學教授張紫輝，鄭州大學Muhammad Nawaz SHARIF，廈門大學高娜，南京大學王致遠等國際知名專家參加本次會議，力圖呈現紫外發光和探測領域在材料、器件、封裝及應用等各層面的國內外最新進展。廈門大學教授康俊勇、中科院半導體所研究員、半導體照明研發中心主任王軍喜共同主持了本次分會。

 氮化物量子結構是制備紫外乃至深紫外發光二極管、探測器，以及激光器的核心結構和關鍵材料。然而，由于生長過程中存在晶格失配大、氣相預反應強等問題，想要制備出具有原子尺度的陡峭界面和均勻組分的量子結構材料具有一定難度。特別是生長特征尺度達到單個分子層量級的氮化物量子結構，涉及的生長動力學過程尤為復雜，制約了超晶格、量子阱等結構品質的提高。

廈門大學高娜帶來了題為“可原子尺度精確調控的AlN/GaN結構分選生長”的主題報告，從晶體生長熱力學角度出發，采用第一性原理模擬了原子反應單體在晶體生長表面的化學勢，以揭示反應單體隨生長氛圍變化的規律。

為了獲得原子尺度精確的AlN/GaN和GaN/AlN異質界面，分別計算了在AlN表面和GaN表面吸附N原子，以及在相應的N吸附層上再分別吸附Ga原子和Al原子的形成焓。以理論計算為指導，研究設計了瞬間改變生長氛圍的時序方式，通過調控MOVPE系統的生長氛圍來調控晶體生長表面的化學勢場，并通過數字調控的方式制備出分子層厚度可控的AlN/GaN結構。所生長的AlN/GaN結構界面陡峭清晰且原子層量級可辨，實現了對生長單體的分選，達到吸附單體的一致和原子級表面平整度，為紫外和深紫外波段內不同單色波長的高精度量子結構制備奠定了材料基礎。

 

（內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）