11月25-27日，由深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局特別支持，國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，深圳第三代半導(dǎo)體研究院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦的第十六屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2019）在深圳會展中心召開。
11月27日上午，“固態(tài)紫外器件技術(shù)”分會如期召開。本屆分會山西中科潞安紫外光電科技有限公司、中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司協(xié)辦。
第三代半導(dǎo)體材料在紫外器件中具備其他半導(dǎo)體材料難以比擬的優(yōu)勢，展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。分會重點關(guān)注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發(fā)光材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測材料，高效量子結(jié)構(gòu)設(shè)計及外延，以及發(fā)光二極管、激光器、光電探測器等核心器件的關(guān)鍵制備技術(shù)。
挪威科學(xué)技術(shù)大學(xué)教授、挪威科學(xué)技術(shù)院院士Helge WEMAN，南京大學(xué)教授陸海，臺灣交通大學(xué)特聘教授郭浩中，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司主任工藝工程師胡建正，上海大學(xué)教授、Ultratrend Technologies Inc總裁吳亮，河北工業(yè)大學(xué)教授張紫輝，鄭州大學(xué)Muhammad Nawaz SHARIF，廈門大學(xué)高娜，南京大學(xué)王致遠(yuǎn)等國際知名專家參加本次會議，力圖呈現(xiàn)紫外發(fā)光和探測領(lǐng)域在材料、器件、封裝及應(yīng)用等各層面的國內(nèi)外最新進(jìn)展。廈門大學(xué)教授康俊勇、中科院半導(dǎo)體所研究員、半導(dǎo)體照明研發(fā)中心主任王軍喜共同主持了本次分會。
氮化物量子結(jié)構(gòu)是制備紫外乃至深紫外發(fā)光二極管、探測器，以及激光器的核心結(jié)構(gòu)和關(guān)鍵材料。然而，由于生長過程中存在晶格失配大、氣相預(yù)反應(yīng)強(qiáng)等問題，想要制備出具有原子尺度的陡峭界面和均勻組分的量子結(jié)構(gòu)材料具有一定難度。特別是生長特征尺度達(dá)到單個分子層量級的氮化物量子結(jié)構(gòu)，涉及的生長動力學(xué)過程尤為復(fù)雜，制約了超晶格、量子阱等結(jié)構(gòu)品質(zhì)的提高。
廈門大學(xué)高娜帶來了題為“可原子尺度精確調(diào)控的AlN/GaN結(jié)構(gòu)分選生長”的主題報告，從晶體生長熱力學(xué)角度出發(fā)，采用第一性原理模擬了原子反應(yīng)單體在晶體生長表面的化學(xué)勢，以揭示反應(yīng)單體隨生長氛圍變化的規(guī)律。
為了獲得原子尺度精確的AlN/GaN和GaN/AlN異質(zhì)界面，分別計算了在AlN表面和GaN表面吸附N原子，以及在相應(yīng)的N吸附層上再分別吸附Ga原子和Al原子的形成焓。以理論計算為指導(dǎo)，研究設(shè)計了瞬間改變生長氛圍的時序方式，通過調(diào)控MOVPE系統(tǒng)的生長氛圍來調(diào)控晶體生長表面的化學(xué)勢場，并通過數(shù)字調(diào)控的方式制備出分子層厚度可控的AlN/GaN結(jié)構(gòu)。所生長的AlN/GaN結(jié)構(gòu)界面陡峭清晰且原子層量級可辨，實現(xiàn)了對生長單體的分選，達(dá)到吸附單體的一致和原子級表面平整度，為紫外和深紫外波段內(nèi)不同單色波長的高精度量子結(jié)構(gòu)制備奠定了材料基礎(chǔ)。
11月27日上午，“固態(tài)紫外器件技術(shù)”分會如期召開。本屆分會山西中科潞安紫外光電科技有限公司、中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司協(xié)辦。
第三代半導(dǎo)體材料在紫外器件中具備其他半導(dǎo)體材料難以比擬的優(yōu)勢，展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。分會重點關(guān)注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發(fā)光材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測材料，高效量子結(jié)構(gòu)設(shè)計及外延，以及發(fā)光二極管、激光器、光電探測器等核心器件的關(guān)鍵制備技術(shù)。
挪威科學(xué)技術(shù)大學(xué)教授、挪威科學(xué)技術(shù)院院士Helge WEMAN，南京大學(xué)教授陸海，臺灣交通大學(xué)特聘教授郭浩中，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司主任工藝工程師胡建正，上海大學(xué)教授、Ultratrend Technologies Inc總裁吳亮，河北工業(yè)大學(xué)教授張紫輝，鄭州大學(xué)Muhammad Nawaz SHARIF，廈門大學(xué)高娜，南京大學(xué)王致遠(yuǎn)等國際知名專家參加本次會議，力圖呈現(xiàn)紫外發(fā)光和探測領(lǐng)域在材料、器件、封裝及應(yīng)用等各層面的國內(nèi)外最新進(jìn)展。廈門大學(xué)教授康俊勇、中科院半導(dǎo)體所研究員、半導(dǎo)體照明研發(fā)中心主任王軍喜共同主持了本次分會。
氮化物量子結(jié)構(gòu)是制備紫外乃至深紫外發(fā)光二極管、探測器，以及激光器的核心結(jié)構(gòu)和關(guān)鍵材料。然而，由于生長過程中存在晶格失配大、氣相預(yù)反應(yīng)強(qiáng)等問題，想要制備出具有原子尺度的陡峭界面和均勻組分的量子結(jié)構(gòu)材料具有一定難度。特別是生長特征尺度達(dá)到單個分子層量級的氮化物量子結(jié)構(gòu)，涉及的生長動力學(xué)過程尤為復(fù)雜，制約了超晶格、量子阱等結(jié)構(gòu)品質(zhì)的提高。
廈門大學(xué)高娜帶來了題為“可原子尺度精確調(diào)控的AlN/GaN結(jié)構(gòu)分選生長”的主題報告，從晶體生長熱力學(xué)角度出發(fā)，采用第一性原理模擬了原子反應(yīng)單體在晶體生長表面的化學(xué)勢，以揭示反應(yīng)單體隨生長氛圍變化的規(guī)律。
為了獲得原子尺度精確的AlN/GaN和GaN/AlN異質(zhì)界面，分別計算了在AlN表面和GaN表面吸附N原子，以及在相應(yīng)的N吸附層上再分別吸附Ga原子和Al原子的形成焓。以理論計算為指導(dǎo)，研究設(shè)計了瞬間改變生長氛圍的時序方式，通過調(diào)控MOVPE系統(tǒng)的生長氛圍來調(diào)控晶體生長表面的化學(xué)勢場，并通過數(shù)字調(diào)控的方式制備出分子層厚度可控的AlN/GaN結(jié)構(gòu)。所生長的AlN/GaN結(jié)構(gòu)界面陡峭清晰且原子層量級可辨，實現(xiàn)了對生長單體的分選，達(dá)到吸附單體的一致和原子級表面平整度，為紫外和深紫外波段內(nèi)不同單色波長的高精度量子結(jié)構(gòu)制備奠定了材料基礎(chǔ)。
（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解）
