碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）作為第三代半導體材料的典型代表，也代表了功率電子器件的發展方向，在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統、新能源汽車、工業電機等領域具有巨大的發展潛力。
2019年11月25-27日，第十六屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導體論壇（IFWS 2019）在深圳會展中心盛大舉行。作為論壇重要的技術分會，“功率電子器件及封裝技術Ⅰ”論壇于26日上午成功召開。會議由國家半導體照明工程研發及產業聯盟、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟主辦，深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦，得到了深圳市龍華區科技創新局、德國愛思強股份有限公司、國家電網全球能源互聯網研究院有限公司、中國電子科技集團第十三研究所、英諾賽科科技有限公司、蘇州鍇威特半導體股份有限公司的協辦支持。該會由分會主席浙江大學特聘教授、電氣工程學院院長盛況和中山大學教授劉揚共同主持。
會上，美國弗吉尼亞理工大學助理教授Christina DIMARINO分享了《高電壓寬禁帶功率半導體封裝技術》研究報告。2012年她作為研究生加入弗吉尼亞理工大學電力電子系統中心(CPES)。2014年她取得電力電子系統中心的碩士學位，主要研究項目為碳化硅晶體管的高溫特性。2018年她取得中心的博士學位，研究項目為10 kV碳化硅功率MOSFET封裝。
她表示，寬禁帶功率半導體可以使高電壓的開關更高速，并已經應用在一部分領域中，其中包括中壓驅動、中壓直流海軍平臺、大規模風力和太陽能平臺、先進分配系統、斷路器和轉換器。但是高電壓、高速的開關特點也是主要挑戰。高電壓會導致電場強度的上升，同時高速開關會導致很強的電磁感應。現在的功率模塊封裝無法應對這些挑戰并會限制其性能的發揮。新的技術和材料需要創造一種可以釋放高壓寬禁帶器件的封裝。報告主要討論高壓寬禁帶功率半導體封裝，并提出針對10kV碳化硅MOSFET的改進封裝技術。【內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解】
