碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）作為第三代半導體材料的典型代表，也代表了功率電子器件的發展方向，在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統、新能源汽車、工業電機等領域具有巨大的發展潛力。

　　2019年11月25-27日，第十六屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導體論壇（IFWS 2019）在深圳會展中心盛大舉行。作為論壇重要的技術分會，“功率電子器件及封裝技術Ⅰ”論壇于26日上午成功召開。會議由國家半導體照明工程研發及產業聯盟、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟主辦，深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦，得到了深圳市龍華區科技創新局、德國愛思強股份有限公司、國家電網全球能源互聯網研究院有限公司、中國電子科技集團第十三研究所、英諾賽科科技有限公司、蘇州鍇威特半導體股份有限公司的協辦支持。該會由分會主席浙江大學特聘教授、電氣工程學院院長盛況和中山大學教授劉揚共同主持。

　　會上，邀請到了蘇州鍇威特半導體股份有限公司總裁丁國華帶來了《改進碳化硅MOSFET RONSP的器件結構和工藝研究》主題報告。丁國華，蘇州鍇威特半導體有限公司總裁，1986年本科畢業于西安交通大學半導體物理與器件專業，1991年東南大學半導體物理與器件專業碩士畢業。1986年7月至1997年12月在中國華晶電子集團公司工作，歷任產品工藝工程師、產品設計工程師及分廠技術副廠長等職務。2003年5月創立無錫硅動力微電子股份有限公司，先后任公司副董事長，總經理、董事長等職務。曾被無錫政府授予優秀總經理。在2015年加盟蘇州鍇威特半導體股份有限公司，任公司總裁，獲蘇州姑蘇領軍人才。公司致力于功率半導體器件與功率集成芯片的開發與銷售。公司于2018年成功推出量產級1200V SiC MOSFET，公司2018年獲江蘇省“科技小巨人企業”稱號。

 

　　丁國華總裁表示，碳化硅MOSFET由于工藝制造上的難點和材料限制，無法像硅基MOSFET利用自對準工藝形成溝道，導致溝道長度的設計必須考慮光刻套刻偏差的影響，不能設計為最優尺寸，以及在SiC-Sio2界面的缺陷密度導致溝道遷移率下降，都對RONSP造成不利影響。如何降低光刻套刻偏差對溝道長度的影響以及優化SiC-SiO2界面的缺陷密度，提高溝道遷移率。【內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解】