2017年11月1日-3日，第十四屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA2017）暨 2017 國際第三代半導體論壇（IFWS 2017）在北京順義隆重召開。論壇由國家半導體照明工程研發及產業聯盟、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟、北京市順義區人民政府主辦，中關村科技園區順義園管理委員會、北京半導體照明科技促進中心和北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦。論壇同時得到了科技部、發改委、國標委和北京市科委等主管部門的大力支持。
11月2日下午，IFWS 2017之第三代半導體與微波射頻技術分會如期舉行。分會由中國電子科技集團第十三研究所和專用集成電路重點實驗室協辦，主題涵蓋氮化鎵微波器件及其單片集成電路材料外延、建模、設計與制造、可靠性技術及其在移動通信中的應用等各方面，邀請國內外知名專家參加會議，呈現第三代半導體微波器件及其應用的最新進展。
英國布里斯托大學教授Martin KUBALL、中國電子科技集團公司第十三研究所研究員馮志紅、南京電子器件研究所高級工程師吳少兵、中興通訊股份有限公司射頻功放平臺總工劉建利、荷蘭Ampleon公司WLR可靠性專家陶國橋等國內外相關領域專家分享各自的研究成果。中國電子科技集團公司第十三研究所副所長、研究員級高工蔡樹軍，蘇州能訊高能半導體有限公司董事長張乃千共同主持本次分會。
會上，英國布里斯托大學教授Martin KUBALL做了關于極限GaN射頻FETs - GaN-on-Diamond技術的報告，具體介紹了該技術的研究背景，并結合相關數據，介紹了該技術的研究成果，及未來的一些應用領域。
其中，Martin KUBALL表示氮化鎵的發展勢頭很強勁，當前，通訊、雷達等應用依舊是建立在碳化硅襯底氮化鎵基礎上的，隨著數據化的發展，需要的能量越來越多，而碳化硅上的氮化鎵也會有局限，開發金剛石襯底是一個不錯的嘗試。Martin KUBALL詳細分享了當前開發GaN-on-Diamond的技術進展，包括穩定性、可靠性，以及以金剛石襯底的優勢和挑戰。他表示，雖然目前尚沒有商用，但從一定角度來說，金剛石襯底氮化鎵不應該比碳化硅基氮化鎵更貴。此外，可以有不同材料的集成，比如氮化鎵是很好的射頻材料，可以與其他材料進行結合，目前其團隊已經在做相關的測試。
