LED產業從未停止技術創新步伐，尤其緊跟以智能照明、健康照明、按需照明及MicroLED等新型顯示相關的新技術一直都是產業追逐的焦點。半導體照明芯片、封裝及模組技術工藝及技術的革新都能引發產業極大關注。

　　11月25--27日，第十六屆中國國際半導體照明論壇暨2019國際第三代半導體論壇（SSLCHINA&IFWS2019）在深圳成功召開。“半導體照明芯片、封裝及模組技術II”分會作為SSLCHINA&IFWS2019論壇的重要技術分會之一，由國家半導體照明工程研發及產業聯盟、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟主辦，深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦，得到了深圳市龍華區科技創新局、木林森、中科潞安、華燦光電、中微公司、歐司朗、有研稀土等單位的鼎力支持。

　　會上，邀請到了西安交通大學助理研究員張敏妍在《空氣腔結構在GaN基垂直結構LED工藝中的影響》研究報告。她2018年獲西安交通大學博士學位，正在致力于GaN基LED外延生長和制備。

 

　　研究發現，垂直結構GaN基發光二極管（LED）在提高散熱和降低電流擁擠效應方面具有很大優勢，其制備工藝中激光剝離（LLO）技術是非常重要的工藝之一。由于剝離過程中產生的氣流沖擊，會破壞外延層從而影響LED器件性能。因此，我們通過激光加工的方法在LED外延層中嵌入了空氣腔結構，該結構不僅可以降低LED外延層位錯密度，而且可以改善垂直結構芯片制備工藝中激光剝離芯片龜裂和剝離損傷問題。【根據現場資料整理，如有出入敬請諒解！】