近年來方興未艾，新技術(shù)、新器件不斷涌現(xiàn)，其中以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶半導體電力電子器件因其工作電壓高，工作速度快、工作效率高，成為新一代半導體電力電子器件領(lǐng)域的寵兒受到追捧。為此，由西安交通大學、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟和IEEE西安分會主辦的2016年寬禁帶半導體電力電子技術(shù)國際研討會將于5月21日至22日在西安交通大學舉辦。

　　本次研討會，還得到西安電子科技大學、中國有色金屬學會寬禁帶半導體分會、中國電子學會電子材料分會、中國電工技術(shù)學會的大力協(xié)辦，由西安交通大學電力系統(tǒng)電氣絕緣國家重點實驗室全力承辦。作為寬禁帶半導體電力電子領(lǐng)域國內(nèi)首次舉辦的高端論壇，邀請了美國、歐洲和日本的10位著名專家教授和10位國內(nèi)的相關(guān)專家教授做報告，涉及寬禁帶半導體電力電子技術(shù)的應用、寬禁帶半導體電力電子器件的封裝、寬禁帶半導體電力電子器件和寬禁帶半導體材料生長等方面，為從事寬禁帶半導體材料、電力電子器件、封裝和電力電子應用的專業(yè)人士和研究生提供了難得的學習和交流機會。

 

　　屆時，研討會將聚集眾多國內(nèi)外專家對“寬禁帶半導體電力電子技術(shù)應用”、“寬禁帶半導體電力電子封裝技術(shù)”、“寬禁帶半導體電力電子電子器件”和“寬禁帶半導體材料”四大主題進行專題研討，歡迎相關(guān)領(lǐng)域?qū)＜移髽I(yè)單位代表參與交流。