2021年11月8日，以“芯動力 新征程——寬禁帶半導體的機遇與挑戰”為主題的第四屆全國寬禁帶半導體學術會議在廈門盛大開幕。

開幕大會

中國科學院院士、國家自然科學基金委員會信息科學部主任、西安電子科技大學教授郝躍，大會主席、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長、國家半導體照明工程研發及產業聯盟理事長吳玲，大會主席、廈門大學校長張榮教授，集美大學黨委書記沈燦煌，廈門市科技局局長孔曙光，中國有色金屬學會寬禁帶專業委員會常務副主任、北大東莞光電研究院常務副院長、北京大學教授張國義，半導體照明聯合創新國家重點實驗室主任、中國科學院半導體研究所研究員李晉閩，北京大學理學部副主任沈波教授，江蘇第三代半導體研究院院長、中科院蘇州納米所副所長徐科研究員，國家電網全球能源互聯網研究院原副院長、廈門大學講座教授邱宇峰，東北師范大學副校長徐海陽教授，三安光電股份有限公司總經理林科闖，廈門光莆電子股份有限公司董事長林瑞梅，第三代半導體產業技術創新戰略聯盟秘書長于坤山等一大批國內寬禁帶半導體領域業界資深專家、教授和優秀中青年學者、以及產業界科研技術人員、機構嘉賓、院校師生、企業家代表等參與本次學術盛會。大會開幕式由廈門大學康俊勇教授主持。

大會現場

近年來，寬禁帶半導體已成為全球高技術競爭戰略制高點之一，國際半導體及材料領域研究和發展的熱點，基于寬禁帶半導體材料，半導體照明已經形成巨大規模的產業，并在電子功率器件領域繼續深入發展。本屆會議由中國有色金屬學會寬禁帶半導體專業委員會、中國電子學會電子材料學分會、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟(CASA)聯合主辦，廈門大學、南京大學承辦，福建省半導體光電材料及其高效轉換器件協同創新中心、福建省半導體材料及應用重點實驗室、廈門市未來顯示技術研究院、廈門大學物理科學與技術學院、微納光電子材料與器件教育部工程研究中心、半導體照明聯合創新國家重點實驗室、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司全力協辦。

廈門大學康俊勇教授主持開幕式環節

其中，中科潞安、亞格盛電子、中微公司、先普、奧趨光電、Crystal、昂坤視覺、南大光電、Novel Crystal、中鎵半導體、金竟科技、力冠微電子裝備、良允科技、化合積電、志橙半導體、南京伯奢詠懷、上海翱晶、卓立漢光、納維科技、尚勤光電、邁塔光電、中電化合物、恒普真空、鎵特半導體、中紫半導體、泰克科技、鵬城半導體、鴻陽科技、JAPAN CREATE、江蘇第三代半導體研究院、元旭半導體等材料國內外知名廠商參加此次會議。會議圍繞“芯動力 新征程——寬禁帶半導體的機遇與挑戰”這一主題開展廣泛交流，交流寬禁帶半導體技術的發展動態，促進相互合作。

廈門大學校長張榮教授，中科院院士、國家自然科學基金委信息學部主任、西安電子科技大學教授郝躍，中國有色金屬學會寬禁帶專業委員會常務副主任、北大東莞光電研究院常務副院長、北京大學教授張國義，第三代半導體產業技術創新戰略聯盟、國家半導體照明工程研發及產業聯盟理事長吳玲，廈門科技局孔曙光局長先后為大會致開幕詞。因新冠肺炎疫情阻隔，諾貝爾物理學獎獲得者天野浩（Hiroshi Amano）教授通過視頻方式為本屆會議致辭。

廈門大學校長張榮教授

張榮校長致辭時表示，廈門大學是國內最早創辦半導體學科的高校之一，廈門大學半導體研究和廈門半導體產業的發展共同進步，在政府和產業的支持下不斷取得新進展，利用地緣優勢，廈門大學與當地的三安光電、光莆電子、乾照光電等企業聯合攻關，重點開展關于基于寬禁帶半導體的固態照明光源、深紫外消殺技術等方面的交流合作，推動寬禁帶半導體的技術轉化和創新。今年是國家“十四五”的開局之年，站在新起點，新征程上，如何邁好我國寬禁帶半導體發展的步伐至關重要，面對當前的科技博弈，科技的自立自強，是應對風險挑戰的必然選擇。

中科院院士、國家自然科學基金委信息學部主任、西安電子科技大學教授郝躍

郝躍院士致辭時表示，寬禁帶半導體被列為國家“十四五”發展規劃中，國家自然科學基金委非常關注寬禁帶與超寬禁帶半導體的發展，希望從基礎研究的角度不斷推進寬禁帶和超寬禁帶半導體的發展，先從重大項目群開始，成熟后考慮再推進重大研究計劃，推進寬禁帶和超寬禁帶半導體基礎研究的關鍵和核心技術的突破，利用這次機會，希望廣大業界同仁可以探討寬禁帶半導體的發展，以及如何利用好機遇，不斷推進產業的進步和發展。

中國有色金屬學會寬禁帶專業委員會常務副主任、北大東莞光電研究院常務副院長、北京大學教授張國義

張國義教授致辭時表示，以碳化硅、氮化鎵等為代表的寬禁帶半導體發展是國際熱點，在半導體照明領域已經形成規模化的產業，在功率器件和射頻器件方面不斷深入發展，氮化鎵、金剛石等為代表的新材料半導體迅速發展，一些新的材料正在擴展，寬禁帶半導體未來會越來越寬廣。會議對于促進交流，協同創新起到了積極的作用，也得到高度認可，影響力日益增大，希望大家通過此次會議廣泛的討論交流，發現合作機會，實現優勢互補，助力我國搶占寬禁帶半導體國際戰略制高點，推動科學技術發展進步。

諾貝爾物理學獎獲得者天野浩（Hiroshi Amano）教授

Amano教授視頻致辭時表示，寬禁帶半導體在解決全球性的問題上，正變得越來越重要，比如硅基功率器件面臨的不足，可以利用寬禁帶半導體來解決，基于寬禁帶半導體的高頻晶體管能夠為5G甚至是5G之后的無線通信系統提供支持，此外，還可以用于抑制新型冠狀肺炎傳播的深紫外消毒器制備。深信會議能圓滿成功，所有與會者都能享受到精彩的演講和熱烈的討論，并啟迪下一步的創新和研發。

第三代半導體產業技術創新戰略聯盟、國家半導體照明工程研發及產業聯盟理事長吳玲

吳玲理事長致辭時表示，從國際形勢來看，我們面臨非常嚴峻的發展環境，半導體在科技創新，產業發展方面到了一個很關鍵的時期，寬禁帶半導體不僅僅在支撐雙碳實現，支撐數字化，智能化以及產業提升等方面具有非常重要的作用，而且如果能和我國巨大的能源，交通，信息，智能制造巨大市場需求相結合，有可能形成在全球的技術優勢和產業制衡，重塑全球半導體產業格局。第三代半導體的發展對業界同仁也是千載難逢的機遇，希望大家利用好這次會議的平臺充分交流討論，推動政產學研深度融合，以及學科的交叉融合發展，也希望廈門利用好這次機會，如同推動半導體照明產業發展一樣，再次做出表率。

廈門科技局孔曙光局長

孔曙光局長致辭時表示，寬禁帶半導體的發展速度非常快，廈門產業發展基礎好，發展速度快，經過多年的發展，在光電領域已經有很好的積累，在發展寬禁帶半導體中具有優勢。2019年廈門就啟動了未來產業培育工程，進行搶先布局，第三代半導體是其中之一，力爭2025年實現第三代半導體產業相關的產值能達到200億元以上，目前也形成了碳化硅和氮化鎵兩條產業鏈，廈門也積極推動布局，增大原始創新能力，希望大家共同努力，共創美好明天。

廈門大學校長張榮教授主持報告環節

隨后的主題報告環節，廈門大學校長張榮、郝躍院士共同主持。

中科院院士、西安電子科技大學郝躍教授分享大會報告

中科院院士、國家自然科學基金委信息學部主任、西安電子科技大學郝躍教授帶來了“寬禁帶半導體電子器件新進展”的主題報告；三安光電股份有限公司林科闖總經理帶來了“大功率GaN藍綠激光器芯片設計、生長和制作 ”的主題報告；廈門大學校長張榮教授介紹了基于寬禁帶半導體量子結構的物理效應與器件應用；中國科學院半導體研究所李晉閩研究員帶來了“紫外LED研發及應用進展”的主題報告；廈門大學講座教授邱宇峰分享了18 kV SiC IGBT的研制；TKK創新實驗室教授Yogi Ota分享了寬帶隙半導體、研發歷史和實踐。幾大精彩主題報告，從技術、產業，趨勢的角度，廣度與深度結合，高屋建瓴，酣暢淋漓，帶來一場知識與認知的激蕩。

郝躍院士在報告中指出：“如今從世界范圍來看，寬禁帶半導體越來越得到重視，以氮化鎵和碳化硅為代表的寬禁帶半導體開始進入發展成熟期，已經從研究階段逐步向產業化發展，其中寬禁帶半導體商用化程度越來越高，包括氮化鎵、碳化硅等，而超寬禁帶半導體包括金剛石、氧化鎵和氮化鋁等研究也有了進展。”同時在報告中也詳細分享高頻與超高頻電子器件，毫米波GaN SBD、高線性GaN半導體器件，低電壓GaN半導體器件-5G/6G射頻終端器件，Si基GaN—高阻低損耗低翹曲外延與器件技術，超臨界流體提高4H-SiC MOSFET器件性能等最新進展以及相關成果。

三安光電股份有限公司林科闖總經理分享大會報告

氮化鎵基激光器將半導體激光器的波長拓展到藍、綠光波段，帶動大色域激光顯示、高亮度激光照明等領域的技術革新，并正興起為激光加工銅、金等金屬的最好光源。在投影顯示,激光加工,激光照明,存儲等領域具有重要的應用前景與廣泛的市場需求。三安光電股份有限公司林科闖總經理在報告中，結合相關研究分享了大功率GaN藍綠激光器芯片設計、生長和制作以及三安光電最新的研發成果以及發展路線圖，涉及大功率GaN藍光激光器特征，GaN綠激光器界面改進等。

中科院院士、西安電子科技大學教授郝躍院士主持報告環節

廈門大學校長張榮教授分享大會報告

量子結構材料與器件是近年來光電信息功能材料與器件研制的前沿，廈門大學校長張榮教授在報告中，詳細分享了基于寬禁帶半導體量子結構的物理效應與器件應用的最新進展以及研究成果，涉及到半導體帶隙工程、態密度工程與元激發工程，利用帶隙工程提升器件光電性能，利用態密度工程改善光發射性能，基于元激發工程的新型發光器件等。報告指出，利用帶隙工程提升器件光電性能，固溶體技術、異質結構以及極化誘導的能帶剪裁，支撐了高效率RGB發光二極管，高響應度雪崩倍增探測器件的發展。利用態密度工程改善光發射性能，從三維、二維到一維乃至零維的態密度工程，實現載流子的多種光電性質調控，包括偏振、載流子輸運，調制帶寬，發散角，自旋和Droop效應等。基于元激發工程的新型發光器件，基于量子限制結構和金屬等高激元的元激發調控形成了多粒子耦合的準粒子，提升了寬帶隙材料的自發輻射率，實現了低閾值激光和偏振調控。

中國科學院半導體研究所李晉閩研究員分享大會報告

隨著紫外光固化技術日臻成熟，其在固化領域的應用份額在逐年上升。新冠疫情加速了紫外殺菌消毒市場培育，對深紫外LED產業發展起到了極大的推動作用，吸引更多的企業投資深紫外LED產業。在生物醫療、防偽鑒定、凈化領域、計算機數據存儲和軍事領域，紫外LED技術不斷取得突破，新的應用替代也在不斷發生。尚處于技術發展期的紫外LED技術已呈現出廣闊的市場應用前景，有望繼通用照明之后，成為半導體光電領域又一具有巨大市場前景的新興產業。李晉閩研究員在報告中全面分享了紫外LED技術現狀與發展趨勢，紫外LED應用示范與產業機遇。他表示，氮化物深紫外LED作為下一代紫外光源，具有廣闊的應用前景，紫外LED應用市場正面臨快速增長的良好機遇，及早部署，把握先機，方可有望成為未來的市場領導者。深紫外LED產業面臨著從裝備、外延、芯片到封裝中的一系列技術挑戰，其中尤其以裝備和外延最為核心，開發出高性能的深紫外MOCVD裝備是突破 深紫外LED產業瓶頸的關鍵。

廈門大學講座教授邱宇峰分享大會報告

大功率電力電子器件是推動電網向柔性半導體化方向發展的電力電子裝備的核心，碳化硅電力電子器件已經成為國內外研究和產業化熱點，電力電子裝備技術隨功率半導體器件的發展而逐代演進。功率半導體器件的發展是推動力電網電力電子裝備演進關鍵因素。碳化硅器件具有高結溫、高電壓、高頻的特點，非常適合電網應用，其廣泛應用將推動電網的電力電子化進程。高壓大功率碳化硅器件研制仍需突破電流密度、大尺寸襯底外延、低寄生參數封裝，成品率等問題。邱宇峰教授在報告中分享了能源轉型背景下電網形態的演進，硅基器件制約電網柔性半導體化進程，高壓SiC IGBT面臨的襯底質量、外延生長、芯片設計、芯片工藝以及芯片解決方案、器件解決方案，封裝解決方案等。他表示，新能源為主題的新型電力系統，要求電力電子裝備在電力系統各個層面起到決定性支撐作用。硅器件性能參數已經接近極限，碳化硅器件的應用將大大推動電網柔性化、電力電子化進程。

KK創新實驗室Yogi Ota教授遠程云視頻報告

因為疫情阻隔，KK創新實驗室Yogi Ota教授通過遠程云視頻報告，分享了寬帶隙半導體、研發歷史和實踐等內容，從不同角度分享了最新進展，包括射頻功率的材料比較、電力應用熱模擬等。

除了精彩的開幕式報告，大會還同期設置了“材料生長與表征”、“光電子器件及應用”、“電力電子器件及應用”、“新型寬禁帶半導體材料及應用”和青年論壇五場同期分會，并有POSTER交流和企業展覽展示。前沿研究內容分享交相輝映，讓與會的嘉賓和青年科研代表享受到寬禁帶技術“科研盛宴”。更多精彩，請關注半導體產業網：http://www.casmita.com/news/

分會場之一

展示交流

POSTER交流

POSTER交流