2017年11月1日-3日，第十四屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA2017）暨 2017 國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2017）在北京順義隆重召開。論壇由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、北京市順義區(qū)人民政府主辦，中關(guān)村科技園區(qū)順義園管理委員會、北京半導(dǎo)體照明科技促進中心和北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司承辦。論壇同時得到了科技部、發(fā)改委、國標(biāo)委和北京市科委等主管部門的大力支持。

 

　　11月2日下午，“超寬禁帶半導(dǎo)體及其它新型半導(dǎo)體材料”分會如期舉行。分會重點關(guān)注超寬禁帶半導(dǎo)體材料的制備、工藝技術(shù)、關(guān)鍵設(shè)備及半導(dǎo)體器件應(yīng)用，聚焦超寬禁帶半導(dǎo)體材料及器件應(yīng)用發(fā)展的新技術(shù)、新應(yīng)用和新趨勢，積極推動我國超寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件應(yīng)用的發(fā)展。

 

　　日本Novel Crystal Technology公司總裁Akito KURAMATA，廣西大學(xué)杰出教授、臺灣大學(xué)榮退教授馮哲川， 西安交通大學(xué)教授王宏興，中國科學(xué)院微電子研究所研究員龍世兵，山東大學(xué)教授陶緒堂，鄭州大學(xué)物理工程學(xué)院院長、教授單崇新，河北半導(dǎo)體研究所專用集成電路國家級重點實驗室高級工程師王晶晶，山東大學(xué)/濟南中烏新材料有限公司王希瑋等來自國內(nèi)外的重量級嘉賓出席并帶來了精彩報告。中科院微電子所教授，中國科學(xué)院院士劉明與廈門大學(xué)校長、南京大學(xué)教授張榮共同主持了本屆分會。

 

　　會上， 西安交通大學(xué)教授王宏興分享了微機電系統(tǒng)單晶金剛石微結(jié)構(gòu)的制備方法。金剛石半導(dǎo)體有大量的工業(yè)應(yīng)用前景，通常在生長金剛石晶體的時候，必須要使用金剛石基底，這與其他半導(dǎo)體材料略有些區(qū)別。王宏興分享了摻雜工藝和器件開發(fā)以及外延技術(shù)的話題，以及使用單晶的金剛石基底，進行金剛石生長制造等話題。他同時表示，目前其團隊已開發(fā)出非常理想的微型晶片，也開發(fā)除了雙側(cè)微型晶片，已經(jīng)體現(xiàn)出比較好的，比較理想的晶片列陣的方式，性能也比較優(yōu)越。

 

　　資料顯示，王宏興曾承擔(dān)和主持包括國家基金委重大儀器專項、科技部“863計劃”、“十三五”重點研發(fā)、國家自然科學(xué)基金、陜西省統(tǒng)籌等7項項目，相關(guān)研究已初步實現(xiàn)小規(guī)模產(chǎn)業(yè)化。在III-V族半導(dǎo)體薄膜外延生長及發(fā)光器件，大面積金剛石襯底及高質(zhì)量金剛石薄膜外延生長，碳納米場致發(fā)射陰極、場致發(fā)射光源及其他場致發(fā)射電子器件，MOCVD設(shè)計開發(fā)、特殊直流CVD設(shè)計開發(fā)、微波等離子體CVD的設(shè)計開發(fā)等領(lǐng)域做出了許多創(chuàng)新性工作。

 

　　他目前現(xiàn)在的研究領(lǐng)域包括寬禁帶半導(dǎo)體高溫、高效、大功率微波器件、電力電子器件、發(fā)光器件的研究；大面積、高質(zhì)量寬禁帶半導(dǎo)體襯底的研究；電子器件級高質(zhì)量寬禁帶半導(dǎo)體單晶薄膜及摻雜方法的研究；基于寬禁帶半導(dǎo)體的傳感器和成像探測器的研究；新型化學(xué)氣相沉積（CVD）系統(tǒng)等關(guān)鍵設(shè)備的研制；金剛石MEMS結(jié)構(gòu)與器件；金剛石NV量子相干調(diào)控.