2017年11月1日，第十四屆中國國際半導體照明論壇在北京·順義·首都機場希爾頓酒店隆重開幕。本次論壇由由北京市順義區人民政府、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）和國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）主辦，中關村科技園區順義園管理委員會、北京半導體照明科技促進中心、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦，得到了科技部、發改委、國標委和北京市科委等主管部門的大力支持。會期兩天半，期間舉行全體大會2場，技術分會16場，產業峰會3場，專題分會或活動7場，來自美國、英國、德國、意大利、香港、臺灣等國家或地區的百余名半導體相關研究機構、企業技術專家擔任演講嘉賓。
在2日下午，由東旭光電科技股份有限公司、湖州明朔光電科技有限公司協辦的新型顯示與照明技術分會場火爆，重量級前沿報告應接不暇。其中來自瑞典查爾姆斯理工大學副教授Jie SUN帶來了關于GaN光電器件CVD石墨烯透明電極研究進展，讓與會代表拍手稱贊！
石墨烯傳統上是通過石墨機械剝落制備的，且大面積單層石墨烯的制備很有挑戰性。為此，化學氣相沉積（CVD）在過渡金屬上石墨烯最近被發展。自2009年以來，在Chalmers我們已經在金屬箔（Cu，Pt，Ta等）上生長了單層石墨烯，在硅襯底上蒸鍍了金屬薄膜.9-9 CH4或C2H2作為反應物，石墨烯通過商業直冷式Aixtron系統生長。通過濕化學法蝕刻銅或更環保的電化學氣泡分層，石墨烯可以轉移到其他基底，如SiO2 / Si。通過場效應和霍爾效應測試，電子和空穴的載流子遷移率約為3000 cm2 /（Vs）。一些器件顯示出遷移率為?5000 cm2 /（Vs）。
Jie SUN教授表示，我們在做無金屬催化劑時，直接用CVD法在絕緣子上生長石墨烯。沉積的石墨烯是納米晶體、面積大且均勻。盡管與催化石墨烯相比，其遷移率（40 cm2 /（Vs））較低，但其透明度（97%）和電導率（1-幾kΩ/□無有意摻雜）與標準石墨烯相似，使得無轉印石墨烯非常有望應用于透明電子器件和分子電子學。石墨烯可以在耐高溫的任意電介質上生長。我們提出了一種新型的非催化CVD（與金屬上的催化石墨烯CVD相對）的機理來解釋我們的實驗結果。催化和非催化的石墨烯都可以懸浮，有希望用于納米機電系統（NEMS）。
同時，Jie SUN教授還介紹了CVD石墨烯發現其在GaN基光電子學中的應用。GaN化合物廣泛用于發光二極管（LED），光譜覆蓋黃色到紫外線光。我們首先研究了用CVD生長的石墨烯作為懸浮透明電極的有序和密集的GaN發光納米棒。作為氧化銦錫（ITO）的替代品，石墨烯避免了復雜的加工，填補納米棒和隨后的表面平整之間的間隙，并提供高導電性改善載流子注入。與傳統的平面GaN - 石墨烯二極管相比，制造的器件的光輸出功率提高了32％，這主要是由于發光面積擴大了很多。
然而，盡管石墨烯具有良好的導電性和透明性，但是由于其與GaN費米能級的失配，它們的電接觸不是歐姆的，導致器件在實際應用中不能承受高工作電壓。為了進一步了解此問題，CVD石墨烯用在（平面）GaN LED上作為透明電極，其中7-10nm的ITO接觸層插入在石墨烯和p-GaN之間以增強空穴注入.，此器件具有正向電壓和透明的特點，相比于使用傳統240nm ITO的器件具有更好的紫外線性能。這一結果表明，導通電壓的問題確實歸因于差的石墨烯-GaN接觸，這可以通過插入薄的ITO中間層來解決。
然而，由于銦資源稀缺，ITO夾層解決方案不可持續。因此，我們建議通過CVD直接在GaN上沉積石墨烯。在高溫和高真空CVD室中生產石墨烯-GaN界面，從而改善電性能。此外，可以通過石墨烯的原位摻雜，其將進一步調節費米能級以匹配p-GaN。而且，這是一種可重現和可擴展的技術，擺脫了與CVD石墨烯復雜轉移過程相關的所有不確定性和不可復制性。本文將介紹一些關于直接生長方法的初步結果并且表明其在GaN光電子學實際工業應用中的前景光明。
