2017年11月1日，第十四屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇在北京·順義·首都機(jī)場(chǎng)希爾頓酒店隆重開幕。本次論壇由由北京市順義區(qū)人民政府、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）和國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）主辦，中關(guān)村科技園區(qū)順義園管理委員會(huì)、北京半導(dǎo)體照明科技促進(jìn)中心、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦，得到了科技部、發(fā)改委、國(guó)標(biāo)委和北京市科委等主管部門的大力支持。會(huì)期兩天半，期間舉行全體大會(huì)2場(chǎng)，技術(shù)分會(huì)16場(chǎng)，產(chǎn)業(yè)峰會(huì)3場(chǎng)，專題分會(huì)或活動(dòng)7場(chǎng)，來(lái)自美國(guó)、英國(guó)、德國(guó)、意大利、香港、臺(tái)灣等國(guó)家或地區(qū)的百余名半導(dǎo)體相關(guān)研究機(jī)構(gòu)、企業(yè)技術(shù)專家擔(dān)任演講嘉賓。
在2日下午，由東旭光電科技股份有限公司、湖州明朔光電科技有限公司協(xié)辦的SSLCHINA: P207-新型顯示與照明技術(shù)分會(huì)現(xiàn)場(chǎng)火爆，重量級(jí)前沿報(bào)告應(yīng)接不暇。其中來(lái)自，中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所劉建平研究員分享了主題為“鎵氮基藍(lán)光與綠光激光二極管的發(fā)展”新進(jìn)報(bào)告。
為了滿足激光顯示應(yīng)用的需求，GaN基藍(lán)綠色激光二極管（LD）的研究在過(guò)去幾年中引起了人們的高度關(guān)注。劉建平研究員在報(bào)告中指出，我們提高了發(fā)光均勻性，并降低了在c面無(wú)支撐GaN襯底上生長(zhǎng)的GaN基藍(lán)色LD結(jié)構(gòu)的內(nèi)部損耗。GaN襯底的切割取向和角度對(duì)外延GaN層的形貌有極大影響。
但在GaN襯底上，以0.42 o向m-面的切角，得到的GaN外延層呈現(xiàn)出連續(xù)原子平臺(tái)和統(tǒng)一平臺(tái)寬度的完美形貌。在m面切角為0.4°的GaN襯底上，InGaN量子阱（QW）和GaN量子勢(shì)壘（QB）在同溫度生長(zhǎng)的同質(zhì)外延LD結(jié)構(gòu)具有最窄的發(fā)射線寬且非常均勻的發(fā)光。通過(guò)優(yōu)化Mg摻雜分布和濃度，大大降低了內(nèi)部損耗。
因此，在室溫連續(xù)波動(dòng)下，我們已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了光輸出功率2.2W的GaN基藍(lán)光激光二極管。通過(guò)觀察綠色I(xiàn)nGaN / GaN 量子阱的形貌演化并研究其光學(xué)性能，我們研究了在綠InGaN / GaN 量子阱界面形成的銦離子相關(guān)缺陷，以及去除缺陷的方法和機(jī)理。通過(guò)設(shè)計(jì)綠色I(xiàn)nGaN / GaN QWs的界面，我們實(shí)現(xiàn)了在低電流密度為1.85 kA cm -2的綠色LD結(jié)構(gòu)。綠色LD的輸出功率在室溫連續(xù)波動(dòng)時(shí)為100 mW。
