第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力，優越的材料特性讓氮化鎵功率器件具有巨大的優勢。更快的開關速度、更低的驅動損耗、更好的EMC特性等。與硅器件相比，氮化鎵的高頻特性提升了十倍以上，這將全面提高LED驅動電源系統工作頻率，進而減小系統的體積，使LED驅動電源更小，更輕薄。
10月22日，中國半導體照明網、極智頭條、半導體產業網在國家半導體照明工程研發及產業聯盟指導下，在“NEPCON ASIA亞洲電子生產設備暨微電子工業展”同期，聯合勵展博覽集團及業內知名機構組織籌辦“以光匯友 智控未來——2021智能照明控制系統創新應用論壇”。
會上，英諾賽科高級產品應用經理鄒艷波帶來了題為“GaN助力LED驅動電源輕薄化”的主題報告，結合氮化鎵的特性，分享了GaN在LED驅動電源領域的應用，如何輕薄化、高頻助力磁器件的小型化、GaN提升系統工作頻率、GaN提升系統效率等。
報告指出，在狹小空間內，溫升也是一個嚴重制約應用的因素，氮化鎵具備更低的開關損耗和更低的單位面積導通阻抗，可以提升LED電源的轉換效率，降低系統發熱，同時達到節能減排的收益，助力碳達峰和碳中和。
嘉賓簡介
鄒艷波先生，有著豐富的氮化鎵器件應用于高頻高密電源開發經驗，原任職于ICT領域知名企業，從事手機、AI智能云服務器和5G通信設備的供電解決方案的前沿技術的研究和開發。現任英諾賽科市場應用高級經理 , 負責氮化鎵器件產品定義和產品規劃，構建公司氮化鎵器件產品在5G通信，新能源汽車，智能手機，人工智能，大數據中心等戰略新興領域的競爭力。
