隨著LED光效的提高，一方面芯片越做越小，在一定大小的外延片上可切割的芯片數越來越多，從而降低單顆芯片的成本，另一方面單芯片功率越做越大，如現在是3W，將來會往5W、10W發展。這對有功率要求的照明應用可以減少芯片使用數，降低應用系統的成本。倒裝法、高電壓、硅基氮化鎵仍將是半導體照明芯片的發展方向。
會議現場
2017年11月1日-3日，第十四屆中國國際半導體照明論壇暨 2017 國際第三代半導體論壇在北京順義隆重召開。論壇由國家半導體照明工程研發及產業聯盟、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟、北京市順義區人民政府主辦，中關村科技園區順義園管理委員會、北京半導體照明科技促進中心和北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦。論壇同時得到了科技部、發改委、國標委和北京市科委等主管部門的大力支持。
2日下午，由華燦光電、科銳光電、歐司朗、旭宇光電、北京康美特、易美芯光、有研稀土、乾照光電、北京工業大學光電子技術省部共建教育部重點實驗室共同協辦支持的“芯片、封裝與模組技術分會上，來自中南大學教授汪煉成做了主題為“采用濕法刻蝕GaN微金字塔結構Q值超過6000的光泵激光”的報告。
報告中介紹了一種新型的基于全濕法化學腐蝕獲得的高品質因子的垂直結構金字塔GaN光學微腔。在紫外常溫光泵下觀察到多模式激射，如在367.2 nm波長的模式激射，具有低的閾值 （(0.4-0.5MW/cm2）和窄線寬（0.054 nm）和高品質因子（超過6000）。
此高性能的光學GaN微腔主要受益于其獨特的微米金字塔制備方式。相比已經報道過GaN微腔，此新型金字塔微腔具有以下特點：1.傳統GaN微腔制造一般通過干法蝕刻得到，有損材料的晶體質量。此金字塔微腔完全為濕法化學蝕刻得到，能在一定程度上“過濾”材料位錯和缺陷，從而提高其晶體質量；2.由濕法蝕刻得到的金字塔微腔具有光滑晶面，和底部的Ag基反射鏡能共同形成良好的光學限制，而無需傳統GaN微腔制備的復雜底切蝕刻工藝。（根據現場速記整理，如有出入敬請諒解?。?/div>
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