近日，第七屆國際第三代半導(dǎo)體論壇暨第十八屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會展中心舉行。本屆論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）聯(lián)合主辦，北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)共同承辦。
期間，由廣東中民工業(yè)技術(shù)創(chuàng)新研究院有限公司、中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司、佛山市國星光電股份有限公司、北京康美特科技股份有限公司協(xié)辦支持的“Mini/Micro-LED技術(shù)“分會如期舉行。
III族氮化物材料體系具有紅外到深紫外光譜覆蓋范圍大、能帶隙寬、電子飽和速度高、電擊穿場強(qiáng)、極化效應(yīng)強(qiáng)等獨(dú)特性能，從光電到電力電子領(lǐng)域，應(yīng)用范圍廣泛。近年來，III族氮化物材料在交叉學(xué)科中的應(yīng)用越來越受到研究人員的關(guān)注。
中山大學(xué)中山大學(xué)電子與信息工程學(xué)院教授張佰君做了”單顆電驅(qū)動金字塔結(jié)構(gòu)InGaN/GaN Micro-LED及其在光遺傳學(xué)中的應(yīng)用“的主題報告。
在過去的十年中，GaN基器件在學(xué)術(shù)和商業(yè)上都取得了很大進(jìn)展，例如固態(tài)照明 (SSL) 和顯示應(yīng)用中的 LED、射頻放大應(yīng)用中的高電子遷移率晶體管 (HEMT)、功率電子器件中的功率電子器件等。
報告指出，GaN基器件具有體積小、生物相容性好等優(yōu)點(diǎn)，未來將在生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。報告介紹了電驅(qū)動的單棱錐GaN基微型LED，以及基于GaN的集成生物神經(jīng)探針的研究成果，研究顯示該方向在光遺傳學(xué)領(lǐng)域具有應(yīng)用潛力。
張佰君教授，主要研究高速、高功率的 InGaAsP/InP 半導(dǎo)體激光器。1998年至2000年在中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所從事博士后研究，主要從事高速半導(dǎo)體激光器的封裝和單片集成分布式反饋（DFB）激光器和電吸收（EA）的制造調(diào)制器。2000年加入日本名古屋工業(yè)大學(xué)納米器件與系統(tǒng)研究中心，任日本學(xué)術(shù)振興會（JSPS）特約研究員。此后一直從事GaN材料與器件研究。他的工作包括發(fā)光二極管 (LED) 和電子設(shè)備。2006年加入廣州中山大學(xué)光電材料與技術(shù)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，任教授。他目前的興趣集中在 GaN 基半導(dǎo)體材料的生長和器件制造，包括 GaN 基光電器件、pH 傳感器、太赫茲器件和集成光極。
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