近日，第七屆國際第三代半導體論壇暨第十八屆中國國際半導體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會展中心舉行。本屆論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）聯合主辦，北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司與半導體產業網共同承辦。
期間，由廣東中民工業技術創新研究院有限公司、中微半導體設備（上海）股份有限公司、佛山市國星光電股份有限公司、北京康美特科技股份有限公司協辦支持的“Mini/Micro-LED技術“分會如期舉行。
III族氮化物材料體系具有紅外到深紫外光譜覆蓋范圍大、能帶隙寬、電子飽和速度高、電擊穿場強、極化效應強等獨特性能，從光電到電力電子領域，應用范圍廣泛。近年來，III族氮化物材料在交叉學科中的應用越來越受到研究人員的關注。
中山大學中山大學電子與信息工程學院教授張佰君做了”單顆電驅動金字塔結構InGaN/GaN Micro-LED及其在光遺傳學中的應用“的主題報告。
在過去的十年中，GaN基器件在學術和商業上都取得了很大進展，例如固態照明 (SSL) 和顯示應用中的 LED、射頻放大應用中的高電子遷移率晶體管 (HEMT)、功率電子器件中的功率電子器件等。
報告指出，GaN基器件具有體積小、生物相容性好等優點，未來將在生物醫學領域得到廣泛應用。報告介紹了電驅動的單棱錐GaN基微型LED，以及基于GaN的集成生物神經探針的研究成果，研究顯示該方向在光遺傳學領域具有應用潛力。
張佰君教授，主要研究高速、高功率的 InGaAsP/InP 半導體激光器。1998年至2000年在中國科學院半導體研究所從事博士后研究，主要從事高速半導體激光器的封裝和單片集成分布式反饋（DFB）激光器和電吸收（EA）的制造調制器。2000年加入日本名古屋工業大學納米器件與系統研究中心，任日本學術振興會（JSPS）特約研究員。此后一直從事GaN材料與器件研究。他的工作包括發光二極管 (LED) 和電子設備。2006年加入廣州中山大學光電材料與技術國家重點實驗室，任教授。他目前的興趣集中在 GaN 基半導體材料的生長和器件制造，包括 GaN 基光電器件、pH 傳感器、太赫茲器件和集成光極。
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