近日，第七屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇暨第十八屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會(huì)展中心舉行。本屆論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）聯(lián)合主辦，北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)共同承辦。
期間，由廣東中民工業(yè)技術(shù)創(chuàng)新研究院有限公司、中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司、佛山市國(guó)星光電股份有限公司、北京康美特科技股份有限公司協(xié)辦支持的“Mini/Micro-LED技術(shù)“分會(huì)如期舉行。
會(huì)上，復(fù)旦大學(xué)袁澤興做了題為“通過(guò)調(diào)整量子阱數(shù)量提高M(jìn)icro-LED 的外量子效率”的主題報(bào)告，與LCD和OLED相比，GaN基Micro-LED顯示器具有低功耗、高亮度和卓越的可靠性等特點(diǎn)，被認(rèn)為是下一代顯示技術(shù)。然而，Micro-LED 的低外量子效率 (EQE) 仍然是制造高效Micro-LED 顯示器的一個(gè)問(wèn)題。已經(jīng)有一些研究來(lái)解決這個(gè)問(wèn)題，例如減少量子勢(shì)壘的厚度、使用選擇性過(guò)度生長(zhǎng)技術(shù)和鈍化側(cè)壁缺陷，但該問(wèn)題仍有待進(jìn)一步解決。
研究提出了一種通過(guò)改變量子阱（QW）數(shù)量來(lái)提高M(jìn)icro-LED的EQE的方法。在這項(xiàng)工作中，分別通過(guò)MOCVD生長(zhǎng)了具有3、6 和10對(duì)不同量子阱 (QW) 數(shù)的綠色外延晶片。并基于這些外延片制作了直徑為80μm的綠色微型LED并進(jìn)行了測(cè)量。
HR-XRD結(jié)果表明外延材料的質(zhì)量隨著QW數(shù)的增加而逐漸提高。與EQE分別為1.1% 和1.73%的3對(duì)和6對(duì)QW相比，10對(duì)的EQE在1 A/cm2 時(shí)達(dá)到 7.4%。隨著QW數(shù)量的增加，峰值波長(zhǎng)在1 A/cm2 處顯示藍(lán)移，隨著電流密度的增加，藍(lán)移逐漸減小。預(yù)計(jì)這項(xiàng)工作將提供一種方法來(lái)優(yōu)化用于顯示技術(shù)的綠色微型LED的量子效率。
（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)資料整理，如有出入敬請(qǐng)諒解）
