2019年11月25日，第三代半導體產業技術創新戰略聯盟發布兩項項聯盟標準T/CASA 009-2019《半絕緣碳化硅材料中痕量雜質濃度及分布的二次離子質譜檢測方法》、T/CASA0010-2019《氮化鎵材料中痕量雜質濃度及分布的二次離子質譜檢測方法》。兩項標準均由北京科技大學材料科學與工程學院齊俊杰教授牽頭，按照CASAS標準制定程序（立項、征求意見稿、委員會草案、發布稿），反復斟酌、修改、編制而成。標準的制定得到了很多CASA標準化委員會正式成員的支持。
半導體材料中的痕量雜質元素濃度及其分布高精度表征是影響產業鏈不同階段產品（如襯底、外延、芯片、器件）性能的重要參數。二次離子質譜儀是檢測材料痕量雜質元素濃度及分布的最常用且最精準的設備。目前我國以二次離子質譜方法高精度檢測第三代半導體材料中的痕量雜質濃度及分布的標準屬于空白領域，兩項標準的制定對第三代半導體材料的特征參數評價及產業應用具有較強的積極作用。
T/CASA 009-2019《半絕緣碳化硅材料中痕量雜質濃度及分布的二次離子質譜檢測方法》主要起草單位有北京科技大學、中國科學院半導體研究所、北京國聯萬眾半導體有限公司、山東大學、河北同光晶體有限公司、廣州南砂晶圓半導體技術有限公司、廣東芯聚能半導體有限公司、中國電子科技集團公司第十三研究所、中科鋼研節能科技有限公司、深圳第三代半導體研究院。該標準規定了用二次離子質譜儀測定半絕緣碳化硅材料中痕量雜質（鋁、釩）濃度及分布的方法，適用于半絕緣碳化硅材料中痕量雜質（鋁、釩）濃度及分布的分析。
T/CASA 010-2019《氮化鎵材料中痕量雜質濃度及分布的二次離子質譜檢測方法》主要起草單位有北京科技大學、中國科學院半導體研究所、北京國聯萬眾半導體有限公司、深圳第三代半導體研究院、中國科學院蘇州納米所、北京大學、廣東芯聚能半導體有限公司、中國電子科技集團公司第十三研究所、中科鋼研節能科技有限公司、濟南力冠電子科技有限公司。該標準規定了用二次離子質譜儀測定半導體氮化鎵材料中痕量雜質（硅、鋁、鋅、鐵）濃度及分布的方法，適用于半導體氮化鎵材料中痕量雜質（硅、鋁、鋅、鐵）濃度及分布的分析。
半導體材料中的痕量雜質元素濃度及其分布高精度表征是影響產業鏈不同階段產品（如襯底、外延、芯片、器件）性能的重要參數。二次離子質譜儀是檢測材料痕量雜質元素濃度及分布的最常用且最精準的設備。目前我國以二次離子質譜方法高精度檢測第三代半導體材料中的痕量雜質濃度及分布的標準屬于空白領域，兩項標準的制定對第三代半導體材料的特征參數評價及產業應用具有較強的積極作用。
T/CASA 009-2019《半絕緣碳化硅材料中痕量雜質濃度及分布的二次離子質譜檢測方法》主要起草單位有北京科技大學、中國科學院半導體研究所、北京國聯萬眾半導體有限公司、山東大學、河北同光晶體有限公司、廣州南砂晶圓半導體技術有限公司、廣東芯聚能半導體有限公司、中國電子科技集團公司第十三研究所、中科鋼研節能科技有限公司、深圳第三代半導體研究院。該標準規定了用二次離子質譜儀測定半絕緣碳化硅材料中痕量雜質（鋁、釩）濃度及分布的方法，適用于半絕緣碳化硅材料中痕量雜質（鋁、釩）濃度及分布的分析。
