《LED器件與工藝技術》
主 編：郭偉玲
副 主 編：錢可元 王軍喜
編 委：孟治國 王 巍 周黨培 王 寧 周永明
電子工業出版社出版
主編寄語：
《LED器件與工藝技術》的編寫凝聚了多位領域專家的智慧，得到了半導體照明聯盟的大力支持，期望教材能夠拋磚引玉，讀者通過閱讀教材來提高自身知識水平，企業通過利用該教材培訓出更多高能力的半導體照明領域專業人才。
本書特色
教材致力于解決國內目前在LED外延和芯片領域缺乏系統全面的本科和研究生教材的問題，同時解決了目前LED外延和芯片企業研發人員的參考書問題。本書涵蓋了GaN和 AlGaInP兩大材料系，全色系列LED的發展歷史、最新研究技術和產品實例，既有LED外延、芯片和封裝的基本理論基礎，又有實際器件結構設計和工藝技術實例，側重于器件設計和研發創新。目前市面上的LED相關教材主要集中在下游應用方面，本教材與市面現有教材相比，填補了上游外延和芯片技術領域缺乏系統全面參考書的空白。本書雖然是基于GaN LED技術，但對于目前第三代半導體中基于GaN 材料的電力電子技術也有重要的參考意義，因為其中的材料外延技術、芯片工藝技術都是可以借鑒的。
內容提要
本書以LED外延和芯片技術為重點，結合LED外延結構設計方法，貼近LED芯片結構的制造工藝技術，給出了完整的LED從外延生長、芯片制備和封裝技術的知識體系。
全書包括三個部分。第一部分是外延技術部分，包括LED材料外延生長技術原理和設備、半導體材料檢測技術、藍綠光LED外延結構設計與制備、黃紅光LED外延結構設計與制備，從外延和檢測設備到LED外延結構及外延生長技術進行了全面介紹。第二部分是芯片技術部分，包括LED芯片結構及制備工藝、藍綠光LED芯片高光提取技術、紅黃光LED芯片結構設計與制備工藝，從LED芯片制備基本工藝技術到整體工藝流程、以及先進的高光效結構設計，涵蓋了GaN和AlGaInP兩個材料系的芯片結構特性及制備過程，介紹了高壓LED結構及制備技術。第三部分是LED封裝技術, 從封裝的目的、光學設計和熱學設計方面對封裝技術進行了介紹。
本書題材新穎，論述深入淺出，注重理論與實踐相結合，可作為本科院校相關專業本科高年級學生和研究生的教材和參考書，也可作為外延和芯片企業工藝操作人員的培訓參考資料，也可供有關工程技術人員參考。
