一、藍(lán)寶石產(chǎn)業(yè)概況
藍(lán)寶石晶體的化學(xué)性質(zhì)非常穩(wěn)定,具有熔點(diǎn)高(2050℃)、硬度大(莫氏硬度9級(jí),僅次于金剛石)的特點(diǎn),且具有很好的透光性,熱傳導(dǎo)性和電氣絕緣性,以及力學(xué)機(jī)械性能好,耐磨和抗風(fēng)蝕等優(yōu)良的光學(xué)和物理化學(xué)特性。
因此,藍(lán)寶石是微電子及光電子產(chǎn)業(yè)極為重要的基礎(chǔ)材料,廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、微電子、光電子、信息顯示、光通訊、激光、精密機(jī)械、國防軍事等眾多領(lǐng)域。隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展,對(duì)藍(lán)寶石晶體材料的尺寸、質(zhì)量不斷提出新的要求。現(xiàn)在,隨著半導(dǎo)體照明及其他新興應(yīng)用的迅速發(fā)展,低成本、高質(zhì)量、大尺寸的藍(lán)寶石晶體的市場(chǎng)需求正在急劇擴(kuò)大。
自1885年由Fremy、Feil和Wyse利用氫氧火焰熔化天然紅寶石粉末與重鉻酸鉀而制成了當(dāng)時(shí)轟動(dòng)一時(shí)的“日內(nèi)瓦紅寶石”,迄今人工生長藍(lán)寶石的研究已有100多年的歷史。一百多年來,為了適應(yīng)科學(xué)技術(shù)的發(fā)展和工業(yè)生產(chǎn)對(duì)于藍(lán)寶石晶體質(zhì)量、尺寸、形狀的特殊要求,為了提高藍(lán)寶石晶體的成品率、利用率以及降低成本,對(duì)藍(lán)寶石的生長方法及其相關(guān)理論研究從未間斷,其設(shè)備和技術(shù)也在上世紀(jì)末取得了迅速的發(fā)展,到目前為止,藍(lán)寶石產(chǎn)業(yè)已具有較高的技術(shù)水平和較大的生產(chǎn)能力,晶棒尺寸從2英寸擴(kuò)大到目前的12英寸,為之配套設(shè)備及材料也隨之得到了飛速的發(fā)展。
二、藍(lán)寶石晶體生長技術(shù)比較
目前各種晶體生長技術(shù)在市場(chǎng)上都有應(yīng)用,且晶體純度都可達(dá)到99.99%,但是由于生長機(jī)理的不同,又都存在一定的缺點(diǎn)和局限性,較難同時(shí)滿足未來藍(lán)寶石晶體的大尺寸、高質(zhì)量、低成本發(fā)展需求。例如,熔焰法、提拉法等方法生長的晶體質(zhì)量和尺寸都受到限制;熱交換法、溫度梯度法和泡生法等方法需要大量氦氣作冷卻劑;溫度梯度法、泡生法生長的藍(lán)寶石晶體坯料需要進(jìn)行高溫退火處理,坯料的后續(xù)處理工藝比較復(fù)雜、成本高。
但是從市場(chǎng)份額來看,泡生法目前處于優(yōu)勢(shì)地位,世界最大的藍(lán)寶石生產(chǎn)企業(yè)美國Rubicon和俄羅斯Monocrystal均采用此技術(shù)方法生產(chǎn)藍(lán)寶石晶體,此外包括京晶光電在內(nèi)的數(shù)家中國藍(lán)寶石生產(chǎn)企業(yè)也采用此法。采用此法生產(chǎn)的藍(lán)寶石晶體超過全球產(chǎn)量的50%,其中用于半導(dǎo)體照明的藍(lán)寶石襯底超過70%以此法生產(chǎn)。溫度梯度法是韓國廠商所使用的主要技術(shù),該技術(shù)可生產(chǎn)低電位密度的高品質(zhì)晶棒,使晶體大小(直徑與高度)與長晶形狀相對(duì)受限較小,目前也占有一定的市場(chǎng)份額。導(dǎo)模法主要由日本企業(yè)掌握和使用,產(chǎn)品也基本供應(yīng)日本市場(chǎng),此外烏克蘭也生產(chǎn)導(dǎo)模法長晶爐。
表二、藍(lán)寶石晶體主要生長技術(shù)優(yōu)缺點(diǎn)比較
生長技術(shù) |
優(yōu)點(diǎn) |
缺點(diǎn) |
泡生法(KY) |
高品質(zhì)(光學(xué)等級(jí)),低缺陷密度,大尺寸,高產(chǎn)能,成本相對(duì)較低 |
操作復(fù)雜,一致性不高,成品率較低。不易生長C軸晶體。 |
提拉法(CZ) |
生長情形易于觀察,尺寸容易控制,晶體外形相對(duì)規(guī)整 |
缺陷密度大;須使用銥金坩堝,成本較高;尺寸易受限 |
導(dǎo)模法(EFG) |
品質(zhì)佳 |
設(shè)備、工藝要求復(fù)雜 |
溫度梯度法 (TGT)
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設(shè)備簡(jiǎn)單、操作方便,無機(jī)械擾動(dòng)、界面穩(wěn)定、成品率高;可生長c軸晶體 |
晶體無轉(zhuǎn)動(dòng),溫場(chǎng)不易均勻;晶體需后續(xù)退火處理,周期長,成本高;坩堝強(qiáng)制作用顯著 |
坩堝下降法 (VGF) |
設(shè)備簡(jiǎn)單,成品率高。 |
晶體缺陷密度較大 |
垂直水平溫度梯度法(VHGF) |
晶體大小(直徑和高度)與形狀相對(duì)較不受限制 |
專利掌握于韓國STC手中 |
熱交換法(HEM) |
高品質(zhì),大尺寸 |
設(shè)備要求高,工藝復(fù)雜,成本高,主要難題是晶體容易開裂。 |
冷肩微量提拉(SAPMAC) |
晶體完整性好;可實(shí)現(xiàn)原位退火,周期短、成本低; |
易受到溫度波動(dòng)的影響;不易生長c軸晶體 |
火焰法 |
可以生長超高溫度的晶體,如2150熔點(diǎn)的MgAl2O4晶體、2850℃的MgO晶體 |
溫場(chǎng)梯度大,經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)晶界鑲嵌結(jié)構(gòu)缺陷、氣泡、包裹體,晶體尺寸很難超過2英寸 |