為規范半導體照明市場環境，引領半導體照明產業快速轉型升級，國家半導體照明應用系統工程技術研究中心聯合國家半導體照明工程研發及產業聯盟共同舉辦Green Lighting 上海國際半導體照明論壇，論壇于2015年3月11日下午在上海虹橋金古源豪生大酒店正式拉開帷幕。
會上，南昌大學副校長江風益以“高品質LED照明光源用薄膜型芯片制造技術”為主題做了演講報告。
南昌大學副校長江風益 做主題報告
江風益表示，做好一個燈具，首先就要了解的就是芯片。希望通過搞應用的人能夠通過這個報告了解一下芯片光譜。
目前三條LED照明技術路線分別是藍寶石、碳化硅和硅襯底GaN基LED技術路線。前兩種為非薄膜型芯片，第三種為薄膜型芯片，薄膜型芯片具有垂直結構、單面出光、出光均勻、散熱好等性能優勢，是高品質燈具的優選光源。采用單面出光的硅襯底藍光LED制備的白光光譜在空間分布方面表現出準各項同性，發光均勻性好，而非薄膜型LED多面出光表現為明顯的各向異性。薄膜型芯片在高檔光源市場上表現出十分明顯的競爭優勢。江風益在報告中表示，無論是藍光、綠光，還是紅光橙光，無論是藍寶石襯底，還是硅衫底，最后你只要做成薄膜型芯片都是一個高檔的芯片。
GaN基LED材料在藍寶石襯底上受到較大的壓應力，在碳化硅襯底上受到較小的張應力，而在硅襯底上則受到巨大的張應力，導致在硅襯底上制備高性能的GaN基LED難度遠超藍寶石和碳化硅襯底。因此，前兩條技術路線早在20年前就突破了最基本的關鍵技術，而硅襯底技術路線則相對較晚才突破。
在講到高光效Si襯底LED芯片結構時，江風益表示，傳統電極結構是部分區域發出光極電極阻擋，難以溢出LED，互補電極結構是通過特殊處理，使N電極正下方形成高阻，阻止電流經過，提高發光效率。
2002年美國Cree公司Calvin H.Carter同其他三位LED專家獲得美國最高技術獎;2014年，諾貝爾物理學獎授予了藍光技術路線的三位主要貢獻者。江風益說，對于這個LED技術，世界上非常重視。
LED產業從初興時的“潛力股”架勢，發展到現在產業不斷成熟。很多人還在糾結在價格和成本上，在這點上，江風益認為，當前LED照明的第一要務應是提升產品品質，而并非是降低產品成本，行業發展應遏制低價位競爭。
