聯合共贏，搶占戰略性新興產業制高點

 

　　2015年9月9日下午，在國家科技部、工信部、北京市科委的支持下，由第三代半導體相關的科研機構、大專院校、龍頭企業自愿發起籌建的“第三代半導體產業技術創新戰略聯盟”（以下簡稱“聯盟”）正式在北京國際會議中心舉行成立大會。

第三代半導體產業技術創新戰略聯盟成立大會現場
 

　　科技部副部長曹健林，高新司趙玉海司長，工信部原材料司綜合處常國武處長，科技部高技術研究發展中心秦勇主任，北京市科學技術委員會閆傲霜主任，中國科學學與科技政策研究會李新男副理事長等領導出席了成立大會。

       南京大學鄭有炓院士代表41家發起機構正式宣布第三代半導體產業技術創新戰略聯盟的成立。聯盟將以推動產學研用協同創新，加速科研成果轉化及產業化，培育有國際競爭力的第三代半導體戰略性新興產業為目的而共同奮斗。

　　緊接著，在揭牌儀式上，科技部副部長曹健林，南京大學鄭有炓院士，北京市科學技術委員會閆傲霜主任，國家半導體照明工程研發及產業聯盟秘書長、北京半導體照明科技促進中心主任吳玲共同為聯盟揭牌。

 

　　會議同期，召開了聯盟第一屆理事會第一次工作會，進行了理事長、秘書長的選舉。山東大學校長張榮宣讀了聯盟第一屆理事會第一次工作會決議，經過投票選舉，吳玲當選為聯盟首屆理事長，北京國聯萬眾半導體科技有限公司總裁呂志輝當選為聯盟秘書長。理事會邀請曹健林副部長出任顧問委員會主任，提名中國科學院半導體研究所、北京大學、南京大學、西安電子科技大學、三安光電股份有限公司、國網智能電網研究院、中興通訊股份有限公司、蘇州能訊高能半導體有限公司、山東天岳先進材料科技有限公司等創新鏈條上的重要機構作為副理事長單位。

 

　　隨后，吳玲以理事長的身份對當選表示，深感榮幸，倍感壓力和責任重大。同時，也對聯盟未來工作做了相關匯報。呂志輝也以聯盟秘書長身份，對第三代半導體產業技術創新戰略聯盟成立之后近期工作重點做了相關匯報。

第三代半導體產業技術創新戰略聯盟成立大會合影

　　第三代半導體材料是近年來迅速發展起來的以GaN、SiC和ZnO為代表的新型半導體材料，具有禁帶寬度大，擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高及抗輻射能力強的優點，是固態光源和電力電子、微波射頻器件的“核芯”，在半導體照明、新一代移動通信、智能電網、高速軌道交通、新能源汽車、消費類電子等領域有廣闊的應用前景，可望成為支撐信息、能源、交通、國防等發展的重點新材料，正在成為全球半導體產業新的戰略高地。

 

　　第三代半導體材料及器件的突破將引發科技變革并重塑國際半導體產業格局。美、日、歐、韓等發達國家高度重視并已部署國家計劃搶占戰略制高點。我國政府也十分重視第三代半導體材料與器件的研發及產業化，在政府的持續部署支持下，我國材料研發的整體水平與國際上差距不大，如在第三代半導體材料第一個產業化的應用方面--半導體照明已經在關鍵技術上實現突破，創新應用國際領先；在第三代半導體電子器件應用方面，在移動通訊、光伏逆變、雷達領域已有少量示范應用。

 

　　第三代半導體產業技術創新戰略聯盟發起的目的主要是圍繞產業鏈構建創新鏈，促進產學研合作以及跨界應用的開放協同創新，推動產業生態體系的建設，培育形成一批擁有自主知識產權、知名品牌和市場競爭力強的骨干企業群，形成全國一盤棋的發展合力，抓住換道超車的歷史性機遇，實現創新驅動發展，在國際上搶占產業發展制高點，重構全球半導體產業格局。