1月12日下午，由第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯盟（以下簡稱“聯盟”）主辦，北京國聯萬眾半導體科技有限公司承辦的“電力電子器件模組、封裝和散熱技術研討會”在中國科學院半導體研究所隆重舉行。科技部高新技術發(fā)展及產業(yè)化司材料處副調研員孟徽、聯盟理事長吳玲出席會議并講話。

 

　　本次研討會，國網、英飛凌、華為、三安光電、中興通訊、泰科、鴻利光電、羅杰斯公司（德國）、浪潮華光、華潤微電子、中國電子科技集團、廣晟集團、蘇州納維科技、濟南中烏新材料新等集團公司的專家或公司高層代表悉數到場，中科院半導體研究所、中科院微電子研究所、中科院電工所、香港應用科技研究院、北京新材料發(fā)展中心、山東大學、南京大學、北京大學上海微電子研究所、北京工業(yè)大學、桂林電子科技大學、河北工業(yè)大學等一大批科研院所及大學機構專家教授參與，原本是小范圍研討會，現場參會人數遠遠超過預期。本次研討會由第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯盟技術委員會專家張國旗教授和北京國聯萬眾半導體科技有限公司副總裁于坤山共同主持。

第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯盟技術委員會專家 張國旗教授（左）北京國聯萬眾半導體科技有限公司副總裁于坤山（右）

 

　　張國旗教授首先介紹了本次研討會的背景，對基于第三代半導體的電力電子器件模組、封裝和散熱等主要技術的發(fā)展趨勢和挑戰(zhàn)的討論，并就第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯盟未來的發(fā)展方向及規(guī)劃進行探討。并對于本次研討會除了對電力電子器件模組、封裝和散熱技術進行研討以外，張國旗教授提出了三個目的，一是希望能夠把國內電力電子器件模組、封裝和散熱技術方面的專家固化下來，并成立一個工作小組或者技術委員會，固化的團隊能為聯盟和國家技術和產業(yè)的戰(zhàn)略發(fā)展提供一些建議；二是今年下半年北京有一個科技部和北京市聯合主辦的國際技術轉移大會，去年是國家總理和科技部部長都會出席，今年大會主題就是第三代，所以想把固化的團隊籌劃一個國際高水平技術分會。三是美國電氣和電子工程師協會(IEEE)電力電子學會(PELS)下設一個ITRW分會，準備籌備一個電力電子器件模組、封裝和散熱技術工作小組，希望把國內固化的團隊直接對接到國際組織中去，今后也能在國際發(fā)出我們自己的聲音。

科技部高新技術發(fā)展及產業(yè)化司材料處副調研員 孟徽
 

　　孟徽在致辭中表示，自從去年九月份成立了第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯盟，就是希望能夠圍繞產業(yè)鏈來構建創(chuàng)新鏈，能夠促進產學研用的結合和跨界的協同創(chuàng)新，能夠推動我們產業(yè)鏈生態(tài)體系建設。特別是能夠培育一批擁有自主知識產權，擁有品牌競爭力和市場競爭力的企業(yè)集群。抓住第三代半導體產業(yè)機遇，全面推動產業(yè)產學研用創(chuàng)新驅動發(fā)展。從國家角度來講，國家非常重視第三代半導體產業(yè)發(fā)展，尤其是應用方面。過去談到電子更多的是想到微電子，前些年國家也是在微電子這塊做了巨大投入，但是在電力電子這塊國家關注相對不夠，從國家發(fā)展來講，如果微電子作為一個人的大腦，那么電力電子就應該是一個人的脊梁和筋骨。所以，希望在第三代半導體轉型和跨界的階段，我們能夠抓住機遇，也能有加大的投入。從科技部角度，現在也在進行中央財政科技計劃改革，目前科技部在重點研發(fā)計劃方向上和“十三五”科技規(guī)劃中，在戰(zhàn)略性新興電子材料把第三代半導體材料和半導體照明作為一個核心的方向之一，也對電力電子器件有所部署，也明確了這部分工作要有企業(yè)牽頭，也希望相關的企業(yè)能夠積極參與，能為第三代半導體專項貢獻一份力量。

第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯盟理事長 吳玲
 

　　吳玲理事長在致辭中表示，第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯盟真是成立也就幾個月，聯盟作為一個平臺就組織召開了此次“電力電子器件模組、封裝和散熱技術研討會”，首先感謝眾多專家企業(yè)家到場。國家在轉型升級、綠色、智能發(fā)展的主題背景下有諸多需求，希望聯盟在市場培育，標準制定，行業(yè)共性關鍵技術等方面，能夠為第三代半導體的發(fā)展起到真實的支撐作用。但是要眾人拾柴火焰高，要大家共同參與，一定要把握住產業(yè)機遇，搶占第三代半導體產業(yè)制高點，重塑全球半導體產業(yè)新格局。第三代半導體未來市場的應用需求很大，要與第一代和第二代半導體攜手并進。中國的高鐵是一張很亮的名牌，但接下來的能源互聯網、智慧城市、萬物互聯都需要第三代半導體材料和器件的支撐，需要大家共同努力來實現。

天津大學 梅云輝博士
 

　　在技術報告環(huán)節(jié)，來自天津大學的梅云輝博士現場分享了《寬禁帶功率半導體器件封裝的機遇與挑戰(zhàn)》主題報告。梅云輝博士在報告中首先對微電子封裝到電力電子封裝上認識上有一定的偏差做了簡單介紹，并對寬禁帶功率半導體器件封裝的問題及機遇與挑戰(zhàn)做了詳細介紹。英飛凌工業(yè)功率控制事業(yè)部馬國偉博士分享了《硅及碳化硅大功率半導體器件技術前沿及發(fā)展方向》主題報告。馬國偉博士對SiC肖特基技術、SiC JFET基本概念, 優(yōu)點及缺點及工作情況及現狀，SiC相關的封裝高溫和快速開關問題進行詳細介紹。

英飛凌工業(yè)功率控制事業(yè)部馬國偉博士

香港應用科技研究院研發(fā)總監(jiān) 史訓清博士
 

　　緊接著，來自香港應用科技研究院研發(fā)總監(jiān)史訓清博士帶來了《電力電子的發(fā)展機遇和挑戰(zhàn)》主題報告。史訓清博士表示，未來三大技術方向是智能城市、穿戴電子、工業(yè)4.0；電力智能化是基礎和關鍵是發(fā)電、傳輸、分配、使用和存儲是要點；電力電子的機會和挑戰(zhàn)是巨大的市場空間、歐美都在起步階段；電力電子、微電子和傳感器技術融合；新材料、新工藝、新拓撲、三維集成、熱管理。

國網智能電網研究院微電子研究所 溫家良副所長
 

　　國網智能電網研究院微電子研究所溫家良副所長在《智能電網和能源互聯網用IGBT》報告中介紹了對智能電網和能源互聯網的發(fā)展趨勢、電網建設對IGBT的市場需求、電網用IGBT的技術需求及智能電網和能源互聯網用IGBT的前景四部分進行了介紹。溫家良副所長表示，未來20年，柔性直流輸電技術將迎來巨大的發(fā)展機遇，柔性直流輸電工程將近300個，勢必給電網應用的高壓大功率IGBT帶來井噴式增長需求---3300V/1500A及以上等級IGBT器件需求將達到近500萬只，市場容量將近1000億元。

廣晟集團風華研究院院長 付振曉博士
 

　　電源模塊是一切電子設備的動力核心；針對未來大數據、云計算及高速通訊領域的電源的要求更加嚴格。廣晟集團風華研究院院長付振曉博士接介紹了《高密度封裝電源模塊》主題報告，2012年全球電源模塊市場份額為1807億元人民幣，其中通信行業(yè)占16%，即288億元。中國通信類電源在全球市場占比不到10%。需要開發(fā)下一代智能電源模塊以滿足高速通訊領域下一代產品在小型化、集成化及綠色化方面的需求。傳統電源模塊體積大、效率低、熱功耗高，難以在極端條件下工作à成為高功率密度電子產業(yè)的瓶頸。行業(yè)的發(fā)展需要下一代電源解決：高溫工作和提高轉換效率及集成密度。

 

　　目前，國外開關電源模塊，研發(fā)及生產力度均大于國內，技術略早于國內；國內開關電源模塊技術研發(fā)力度近年一直呈上升趨勢；開關電源模塊技術在全球市場需求的推動下，近幾年來呈現了爆發(fā)式增長。

 

　　通過對第三代半導體器件，高溫互連技術及三維系統級封裝技術的研發(fā)，建立下一代電源模塊由設計到量產的技術平臺。集成第三代功率開關器件及智能電路的單封裝化小型智能電源模塊，以提高電能轉換效率至95%；可工作在極端環(huán)境；滿足高速通信等領域的應用需求。

中國科學院微電子研究所 許恒宇副研究員
 

　　中國科學院微電子研究所許恒宇副研究員分享了《碳化硅器件制造工藝的進展和對封裝的要求》。他表示，SiC器件市場已經超預期的良性發(fā)展，單極型中低壓SiC器件的產業(yè)化有望，SiC-SBD已經處理量產化階段；SiC-MOSFET柵氧可靠性問題亟待解決。雙極型SiC器件的關鍵問題需要突破，厚外延材料載流子壽命、缺陷密度等；通過工藝技術來彌補厚外延材料存在問題等等。

　　隨后，第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯盟技術委員會專家張國旗教授，他簡要介紹了國際寬禁帶半導體技術路線圖委員會。并在研討會最后討論環(huán)節(jié)，與會的專家及企業(yè)家們一起就研討會所提技術問題進行針對性交流和探討。（根據現場錄音整理，未經演講者本人確認，如有出入還請見諒！）