以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)為代表的寬禁帶半導體材料（也可稱第三代半導體材料）具有禁帶寬度大，擊穿場強高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等材料特性以及高效、高頻、高溫、高可靠性、體積小、重量輕等應用優勢，在可再生能源利用、新能源汽車、智能電網、高速軌道交通、航空航天、消費類電子等領域有廣闊的應用前景，可望成為支撐信息、能源、交通、國防等發展的重點新材料，正在成為全球半導體產業新的戰略高地，也是全球半導體研究的前沿和熱點。國內外寬禁帶半導體電力電子技術目前的技術進展如何，有怎樣的發展趨勢等都備受關注。
會議現場
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在這種背景下，2016年5月21-22日，西安交通大學、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟和中國寬禁帶功率半導體及應用產業聯盟主辦的2016年寬禁帶半導體電力電子技術國際研討會在西安交通大學召開。中國科學技術部高新技術發展及產業司材料處副處長孟徽、項目主管王冬雨，第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長吳玲，西安交通大學副校長榮命哲教授等特邀嘉賓，以及來自國內外知名高校、科研機構、企業代表200多人參加了此次研討會。西安交通大學教授張安平主持了此次研討會，西安交通大學副校長榮命哲、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長吳玲分別致辭。
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寬禁帶半導體材料及器件的突破被認為或將引發科技變革并重塑國際半導體產業格局，美、歐、日等發達國家高度重視并已部署國家計劃搶占戰略制高點。我國政府也十分重視寬禁帶半導體材料與器件的研發及產業化。此次研討會是寬禁帶半導體電力電子領域國內首次舉辦的高端論壇，陣容空前強大，備受關注。邀請了全球能源互聯網研究院書記、副院長邱宇峰，美國田納西大學Fred Wang教授，美國弗吉尼亞理工大學Guo-Quan Lu、Qiang Li教授，美國普度大學James Cooper教授，日本產業技術綜合研究所 Tetsuo Hatakeyama博士，日本豐田公司Hiroki Miyake、Katsunori Danno博士，日本東洋炭素Makoto Kitabatake博士，日本電裝公司Jun Kojima博士，日本羅姆公司的Hirokazu Asahara博士，香港科技大學劉紀美、陳敬教授，西安交通大學張安平、楊旭、王來利教授，西安電子科技大學張進成教授，中科院電工所李耀華副所長、寧圃奇研究員，中科院蘇州納米所徐科研究員，中車西安永電公司張紅衛教授，臺達電力電子中心張偉強博士等眾多重量級專家教授以及國內相關著名專家教授，圍繞著寬禁帶半導體電力電子技術的應用、寬禁帶半導體電力電子器件的封裝、寬禁帶半導體電力電子器件和寬禁帶半導體材料生長等不同主題，帶來全方位的精彩報告，既有大局趨勢信息的傳遞，亦有具體技術的研究進展及成果傳遞。
部分與會專家合影
此外，研討會的高規格內容及豪華陣容更是吸引了自國內外眾多寬禁帶半導體領域的知名高校、科研院所、企業的代表們的高度參與，也增加了此次研討會影響的深度與廣度，在促進國內外寬禁帶半導體研究交流的同時，也為從事寬禁帶半導體材料、電力電子器件、封裝和電力電子應用的專業人士提供了難得的交流和學習機會。
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POSTER展示獲獎者頒獎
（關于此次研討會的更多內容，敬請關注中國半導體照明網）
