以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)為代表的第三代半導體材料，具有眾多優勢及廣闊的應用前景，在業界引發熱切關注，成為全球半導體產業新的戰略高地，是全球半導體研究的前沿和熱點，各國政府都紛紛加緊在該領域的部署。第三代半導體材料及技術應用也是我國國家重點研發計劃專項的核心內容。
為加快推進該產業相關技術的研發及成果落地，近日，由北京市科學技術委員會和第三代半導體產業技術創新戰略聯盟共同策劃，依托中國(北京)跨國技術轉移大會這一知名國際創新平臺，打造“2016中國(北京)跨國技術轉移大會暨第三代半導體國際論壇”（以下簡稱“大會”）。大會將于2016年11月在北京國際會議中心舉辦。
作為一個在國際上有一定知名度的會議品牌，中國(北京)跨國技術轉移大會當前由北京市人民政府和科技部共同主辦，已連續舉辦五屆。大會在促進北京乃至全國的國際技術轉移與國際科技合作方面發揮著顯著的作用。今年的大會上，第三代半導體將成為一個重點領域板塊，從技術、產業、應用等全鏈條策劃，將吸引國內外該領域高端資源匯聚北京。
同時，大會還將與第十三屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2016）強強聯合，優勢互動，通過高峰論壇、專題研討、合作論壇等多種形式，圍繞第三代半導體的前沿發展和技術應用設置多個專場重點討論。屆時，2014年諾貝爾物理學獎獲得者、藍光LED發明人中村修二將擔任大會外方主席，并作重要報告。
值得一提的是，作為一次高層次學術會議，此次SSLCHINA論壇與往屆一樣，征集到的論文有機會收錄入IEEE的國際學術會議論文集，錄入Xplore電子圖書館。目前，論壇已正式對外發布征文通知，面向全球征集高質量優秀稿件。
征文網址如下：
http://www.ifws.org.cn/cn/paper/
http://www.sslchina.org/cn/lunwen/tongzhi/
