2016年7月20日上午，第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用聯(lián)合創(chuàng)新基地（以下簡稱“創(chuàng)新基地”）建設(shè)啟動儀式在中關(guān)村順義園基地工地現(xiàn)場隆重舉行。原科技部副部長曹健林、原科技部高新司司長趙玉海、中國科學(xué)學(xué)與科技政策研究會副理事長李新男、科技部高新司材料處陳其針處長、順義區(qū)委書記王剛、順義區(qū)高朋區(qū)長、北京市科委科技協(xié)作中心主任季小兵、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲、中國照明學(xué)會理事長邴樹奎、中科院半導(dǎo)體照明研發(fā)中心主任李晉閩、科技部“第三代半導(dǎo)體材料”重點(diǎn)專項(xiàng)總體專家組組長沈波、中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所所長卜愛民、啟迪控股股份有限公司常務(wù)副總裁，啟迪科技城發(fā)展有限公司董事長陳響、廣東德豪潤達(dá)電氣股份有限公司董事長王冬雷等領(lǐng)導(dǎo)以及來自科研院所、企業(yè)、投資等領(lǐng)域的專家以及單位代表共約150多人出席并見證了基地建設(shè)的啟動。
第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用聯(lián)合創(chuàng)新基地建設(shè)啟動儀式現(xiàn)場
參加第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用聯(lián)合創(chuàng)新基地建設(shè)啟動儀式領(lǐng)導(dǎo)嘉賓合影
第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用聯(lián)合創(chuàng)新基地建設(shè)啟動儀式現(xiàn)場
參加第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用聯(lián)合創(chuàng)新基地建設(shè)啟動儀式領(lǐng)導(dǎo)嘉賓合影
該基地定位于第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用的全球創(chuàng)新策源地、人才集聚地、技術(shù)輻射地、創(chuàng)業(yè)成功地，是北京市政府、國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟在優(yōu)勢互補(bǔ)、資源共享的基礎(chǔ)上，整合政府、行業(yè)、研究機(jī)構(gòu)和社會資本等資源要素共同建設(shè)。創(chuàng)新基地主要目的是通過匯聚全球創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)人才，以專業(yè)化、市場化、國際化的運(yùn)營方式打造第三代半導(dǎo)體的開放式創(chuàng)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵技術(shù)重大突破，形成產(chǎn)業(yè)聚集，成為國內(nèi)有影響的第三代半導(dǎo)體生產(chǎn)基地，搶占半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)制高點(diǎn)。這是落實(shí)北京市建設(shè)全國科技創(chuàng)新中心的戰(zhàn)略定位的重大舉措。
創(chuàng)新基地由北京國聯(lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司負(fù)責(zé)建設(shè)和運(yùn)營，將建設(shè)“兩個(gè)平臺、一個(gè)基金”，即開放的國際化的公共研發(fā)平臺、創(chuàng)業(yè)加速孵化科技服務(wù)平臺以及一個(gè)投資基金。啟動儀式上，北京國聯(lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司同啟迪科技城投資發(fā)展有限公司、美國Rayvio公司、荷蘭代爾夫特理工大學(xué)分別簽訂了合作協(xié)議。同時(shí)，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、天津半導(dǎo)體光源系統(tǒng)產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、中國電谷第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟就共建京津冀研發(fā)創(chuàng)新平臺簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議。
作為基地的創(chuàng)業(yè)加速孵化科技服務(wù)平臺---國際第三代半導(dǎo)體眾聯(lián)空間目前已入駐北京瑞王紫外科技有限公司、北京智慧光達(dá)通信科技有限公司、北京代爾夫特電子科技有限公司、北京三個(gè)太陽電子科技有限公司、北京創(chuàng)變網(wǎng)絡(luò)電子科技有限公司、北京智芯互聯(lián)半導(dǎo)體有限公司、北京易麥特電子商務(wù)有限公司、北京住美嘉業(yè)光電科技有限公司等企業(yè)。
半導(dǎo)體材料的進(jìn)步和突破在現(xiàn)代人類社會的重大產(chǎn)業(yè)革命中扮演了重要的角色，是推動產(chǎn)業(yè)革新、技術(shù)進(jìn)步的重要力量，支撐著全球信息化的進(jìn)程。第三代半導(dǎo)體材料被認(rèn)為是具有重大影響的戰(zhàn)略技術(shù)，引發(fā)全球矚目，其技術(shù)及應(yīng)用的突破是全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新的戰(zhàn)略高地。與在第一代、第二代半導(dǎo)體材料及集成電路產(chǎn)業(yè)上的多年落后、很難追趕國際先進(jìn)水平的形勢不同，我國在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的研究工作一直緊跟世界前沿，工程技術(shù)水平和國際先進(jìn)水平差距不大，已經(jīng)發(fā)展到了從跟蹤模仿到并駕齊驅(qū)、進(jìn)而可能在部分領(lǐng)域獲得領(lǐng)先和比較優(yōu)勢的階段，并且有機(jī)會實(shí)現(xiàn)超越。
