第二屆全國寬禁帶半導體學術會議即將啟程　　

發布日期：2017-07-25 來源：中國半導體照明網瀏覽次數：588

　　8月10日-12日，由中國有色金屬學會寬禁帶半導體專業委員會和中國電子學會電子材料學分會主辦，廣東省科學院、廣東省半導體產業技術研究院、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟承辦，北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司協辦的第二屆全國寬禁帶半導體學術會議將在青海省會西寧召開。

　　近年來，寬禁帶半導體已成為全球高技術領域競爭戰略制高點之一，國際半導體及材料領域研究和發展的熱點，基于寬禁帶半導體材料半導體照明已經形成巨大規模的產業，并在電子功率器件領域繼續深入發展。

　　第二屆全國寬禁帶半導體學術會議將圍繞寬禁帶半導體材料生長技術、材料結構與物性、光電子和電子器件研發以及相關設備研發等領域開展廣泛交流，促進產學研的相互合作和交流。

　　強大的嘉賓團加上高質量的內容，將帶來一場寬禁帶半導體領域的一場別開生面的交流盛會，也為本屆會議凝聚了超高的人氣。值得一提的是，本屆嘉賓陣容星光熠熠，超高規格，其中原國家科學技術部副部長曹健林，中國科學院院士、北京大學教授甘子釗，中國科學院院士、南京大學教授鄭有炓將領銜擔任名譽主席。同時大會更是集結了來自中國科學院、中國工程院的多位院士，以及全國寬禁帶半導體照明領域的優勢力量共同坐鎮，為大會提供強有力的支持。

　　大會也受到高度關注，不僅收到了大批高質量的論文，而且各大科研機構、高校、名企也積極派代表報名參會。據組委會介紹，截止日前，已有投稿170余篇，大會邀請報告10篇，分會邀請報告近40篇。

　　氮化鎵(GaN)以及碳化硅(SiC)等寬禁帶化合物為代表的第三代半導體材料技術及應用正在成為全球半導體產業新的戰略高地，被認為或將引發科技變革并重塑國際半導體產業格局。從報告內容來看，圍繞第三代半導體的前沿發展、技術應用、產業化等多個維度都將有重量級的報告呈現。既有寬禁帶半導體的發展新動向，亦有碳化硅、氮化鎵材料，以及器件等的最新研究進展及發展方向，將以開闊的視野展現寬禁帶半導體領域的現在與未來，非常令人期待。

　　實際上，為推動我國寬禁帶半導體領域的發展，加強交流與協同創新，由中國電子學會電子材料學分會發起并主辦、中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所承辦的第一屆全國寬禁帶半導體學術會議于2015年10月31日-11月2日在蘇州成功舉行，參會規模近500人。

　　2014年5月在揚州召開的13屆全國MOCVD會議期間，會議主辦方中國有色金屬學會時任主要領導深刻感受到寬禁帶半導體材料與器件蓬勃發展態勢，并意識到后續廣闊發展前景，決定推動依托中國有色金屬學會成立一個專業委員會，以搭建一個能持續穩定推動我國寬禁帶半導體發展的平臺。經過20個月的籌備,最后報中國科協備案，成立了全國性寬禁帶半導體學術組織--中國有色金屬學會寬禁帶半導體專業委員會,并于2015年12月11日在廣東省東莞市隆重舉行成立儀式暨首屆寬禁帶半導體學術研討會，來自國內寬禁帶半導體學術界和產業界的專家學者進行了兩天的學術交流。

　　2016年在延吉召開的14屆全國MOCVD 會議期間，“寬禁帶半導體專業委員會”與“電子材料學分會”聯合開會討論決定：全國寬禁帶半導體學術會議自第二屆開始將由中國有色金屬學會寬禁帶半導體專業委員會和中國電子學會電子材料學分會共同舉辦；第二屆全國寬禁帶半導體學術會議定于2017年8月10日-8月12日在青海西寧市舉行。

　　當前，國際半導體產業和裝備巨頭還未形成專利、標準和規模的壟斷，被認為是“換道超車”的重要發展窗口期，我國也在積極推進寬禁帶半導體的發展。深信這次會議必將對我國寬禁帶半導體材料與器件的學術研究、技術進步和產業發展起到有力的推動作用。

　一、大會主要日程

　　二、大會邀請報告：

　　鄭有炓中國科學院院士，南京大學教授—— 寬禁帶半導體若干發展新動向

　　陶緒堂山東大學教授——β- Ga2O3寬禁帶半導體單晶生長和器件應用

　　彭俊彪華南理工大學教授——高遷移率氧化物半導體顯示材料的科學與技術

　　徐科中國科學院蘇州納米所研究員——氮化鎵單晶材料生長與應用研究進展

　　葉志鎮浙江大學教授——ZnO薄膜研究新進展與LED光效提升研究

　　陳小龍中國科學院物理所研究員——碳化硅晶體新效應、晶體生長和產業化

　　盛況浙江大學教授——碳化硅電力電子器件進展及展望

　　康俊勇廈門大學教授——多場調控AlGaN量子結構及其在紫外光源的應用

　　陳敬香港科技大學教授——GaN功率集成電路技術

　　蔡樹軍中國電子科技集團第十三研究所研究員——GaN微波器件最新進展

　　三、大會分會場主題：

　　1、材料生長（氮化物半導體、氧化物半導體、SiC、金剛石等）
2、材料物性和表征方法（光、電、磁、熱性質、缺陷物理等）
3、光電子器件及其應用（LED、LD、光電探測器等）
4、電子器件及其應用（射頻電子器件、功率電子器件等）
5、新型寬禁帶材料與器件（超寬禁帶半導體、二維寬禁帶半導體、有機寬禁帶半導體等）

四、會議注冊費：

　　1. 一般代表（A類票）：

　　2800元（含論文集、日程等會議資料及會議期間相關服務）

2. 學生代表（B類票）：

　　2300元（與一般代表相同會議待遇，但須提交相關證件）

五、注冊費繳費方式：

　　1．通過銀行匯款：

　　開戶行：中國銀行北京科技會展中心支行

　　賬號：336356029261

　　名稱：北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司

2．現場繳費（接受現金和刷卡）

　　六、會議信息及聯系人

　　1. 會議官網：

　　2. 會議酒店：青海西寧萬達嘉華酒店

　　組委會提供會議協議酒店，以滿足參會代表的不同需求。會議召開期間，正值旅游旺季，房源緊張，請您合理安排好時間，自行與酒店提前聯系預定，并聲明是參加“第二屆全國寬禁帶半導體學術會議”的代表，住宿費用自理。

　　備注：各酒店享有會議特別折扣的客房數量有限，請盡早預訂。享有會議折扣房價的客房售完時，一些酒店可能還保留部分原價客房以供預訂。