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第二屆全國寬禁帶半導體學術會議精彩搶先看　　

發布日期：2017-08-02 來源：中國半導體照明網瀏覽次數：450

　　寬禁帶半導體已成為全球高技術領域競爭戰略制高點之一，基于寬禁帶半導體材料半導體照明已經形成巨大規模的產業，并在電子功率器件領域繼續深入發展。當前，國際半導體產業和裝備巨頭還未形成專利、標準和規模的壟斷，被認為是“換道超車”的重要發展窗口期，我國也在積極推進寬禁帶半導體的發展。

　　8月10日-12日，由中國有色金屬學會寬禁帶半導體專業委員會和中國電子學會電子材料學分會主辦，廣東省科學院、廣東省半導體產業技術研究院、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟承辦，北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司協辦的第二屆全國寬禁帶半導體學術會議將在青海省會西寧召開。

　　本屆會議將圍繞寬禁帶半導體材料生長技術、材料結構與物性、光電子和電子器件研發以及相關設備研發等領域開展廣泛交流，促進產學研的相互合作和交流。大會也受到高度關注，不僅收到了大批高質量的論文，而且各大科研機構、高校、名企也積極派代表報名參會。據組委會介紹，截止日前，已有投稿170余篇，大會邀請報告10篇，分會邀請報告近40篇。

　　根據大會日程，除了開閉幕大會以外，還設置5個分會場，圍繞材料生長、材料物性表征及仿真、LED及照明技術電力電子器件、激光器、深紫外器件、激光器、其它寬禁帶半導體材料與器件等不同主題進行深入探討。

　　氮化鎵(GaN)以及碳化硅(SiC)等寬禁帶化合物為代表的第三代半導體材料技術及應用正在成為全球半導體產業新的戰略高地，被認為或將引發科技變革并重塑國際半導體產業格局。

　　從大會報告內容設置來看，圍繞第三代半導體的前沿發展、技術應用、產業化等多個維度都將有重量級的報告呈現。既有寬禁帶半導體的發展新動向，亦有碳化硅、氮化鎵材料，以及器件等的最新研究進展及發展方向，多維度呈現寬禁帶半導體領域的最新動態。并將以開闊的視野展現寬禁帶半導體領域的現在與未來。

　　其中，中國科學院院士、南京大學教授鄭有炓將帶來寬禁帶半導體的發展新動向，浙江大學教授盛況，中科院物理所研究員陳小龍，廈門大學教授康俊勇，中國電子科技集團第十三研究所研究員蔡樹軍等專家將做大會特邀報告，從不同的角度介紹當前碳化硅電力電子器件研究進展、寬禁帶碳化硅半導體材料研究及產業化、多場調控ALGaN量子結構及其在紫外光源的應用、GaN微波器件最新進展等。此外，不同分會的也將有眾多重要報告內容呈現，非常值得期待。

一、大會日程（最終日程以活動當天為準）

二、大會分會場主題：

1．材料生長（氮化物半導體、氧化物半導體、SiC、金剛石等）
2．材料物性和表征方法（光、電、磁、熱性質、缺陷物理等）
3．光電子器件及其應用（LED、LD、光電探測器等）
4．電子器件及其應用（射頻電子器件、功率電子器件等）
5．新型寬禁帶材料與器件（超寬禁帶半導體、二維寬禁帶半導體、有機寬禁帶半導體等）

三、會議注冊費：

1. 一般代表（A類票）：

2800元（含論文集、日程等會議資料及會議期間相關服務）

2. 學生代表（B類票）：

2300元（與一般代表相同會議待遇，但須提交相關證件）

四、注冊費繳費方式：

1．通過銀行匯款：

開戶行：中國銀行北京科技會展中心支行

賬號：336356029261

名稱：北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司

2．現場繳費（接受現金和刷卡）

五、會議信息及聯系人

1. 會議官網：<http://www.wbschina.cn/wbs/index.asp>　　

2. 會議酒店：青海西寧萬達嘉華酒店

組委會提供會議協議酒店，以滿足參會代表的不同需求。會議召開期間，正值旅游旺季，房源緊張，請您合理安排好時間，自行與酒店提前聯系預定，并聲明是參加“第二屆全國寬禁帶半導體學術會議”的代表，住宿費用自理。

備注：各酒店享有會議特別折扣的客房數量有限，請盡早預訂。享有會議折扣房價的客房售完時，一些酒店可能還保留部分原價客房以供預訂。