第三代半導體材料主要包括以氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶Ⅲ族氮化物、以碳化硅（SiC）為代表的寬禁帶Ⅳ族化合物以及寬禁帶氧化物，具備擊穿電場高、熱導率大、電子飽和漂移速率高、抗輻射能力強等優越性能，是固態光源和電力電子、微波射頻器件的“核芯”，在半導體照明、新一代移動通信、新能源并網、智能電網、高速軌道交通、新能源汽車、消費類電子等領域有廣闊的應用前景，正在成為全球半導體產業新的戰略高地。
為助力中國第三代半導體行業發展提質增效，更好地整合國內外第三代半導體行業的優勢資源，實現中國半導體行業迅速崛起。在科技部、發改委、工信部及北京政府等相關部門大力支持下，由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟和中關村科技園區順義園管理委員會主辦的2017國際第三代半導體論壇（IFWS 2017）將于2017年11月1-3日在北京首都機場希爾頓酒店召開。
其中，作為論壇的重要組成部分，“碳化硅材料與器件分會”將涵蓋SiC襯底、同質外延和電力電子器件技術。分會廣泛征集優秀研究成果，將邀請國內外知名專家參加本次會議，充分展示碳化硅材料及電力電子器件技術的最新進展。
碳化硅（SIC）被半導體界公認為“一種未來的材料”，是新世紀有廣闊發展潛力的新型半導體材料。預計在今后5～10年將會快速發展和有顯著成果出現。促使碳化硅發展的主要因素是硅（SI）材料的負載量已到達極限，以硅作為基片的半導體器件性能和能力極限已無可突破的空間。
SIC屬于“寬禁帶”半導體，物理特性與硅有很大不同。單晶碳化硅（SIC）比單晶硅（SI）具有很多優越的物理特性，例如（1）大約10倍的電場強度；（2）大約高3倍的熱導率；（3）大約寬3倍禁帶寬度；（4）大約高一倍的飽和漂移速度.理論上SIC器件的工作溫度在500℃或更高溫度，而硅器件是無法實現的。碳化硅的導熱率超過銅的導熱率，器件產生的熱量會快速傳遞，這無疑對器件的通流性能提高非常有利。
SIC有很強的耐輻射性，作成的器件可以在核反應堆附近及太空中電子設備應用，較小的透射，高的電場強度以及高的飽和漂移遷移率有利于器件體積減少和復雜內部結構建立。因此可以預見到不久將來，SIC材料和器件工藝的完善。部分SI領域被SIC來替代是指日可待的目標。
但是，SIC器件研發工作與SIC材料一樣，西方發達國家，以大學和有實力的大公司為主體,投入大量資金、人力，并取得一定成果， 有很高水平的實驗室樣品，僅PN結耐壓高達上萬伏。但是真正具有商業價值，能有一定生產量的功率器件很少。最主要原因是SIC材料質量的制約。
當前SIC的單極型器件的生產，材料質量問題的影響不大，僅影響大容量器件生產成品率，大功率器件采用幾個芯片并聯連接的形式進行封裝。
在SiC襯底及同質外延片方面，目前國際主流產品的尺寸是4英寸，價格以年均30%的速度下降。近期美國、日本多家公司推出6英寸SiC襯底及外延片，預計5年內將成為市場主流。
在電力電子器件方面，目前SiC肖特基二極管（SBD）、結型場效應晶體管（JFET）、雙極結型晶體管（BJT）以及金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）均已實現量產，產品耐壓范圍600-1700 V；而實驗室耐壓水平已經達到10-20 kV量級。
隨著技術的進步和SIC材料的逐漸成熟，光電子器件已滿足要求，已經不受材料質量影響，器件的工業生產成品率，可靠性等性能也符合要求。高頻器件主要包括MOSFET SCHOTTKY二極管內的單極器件。SIC材料的微管缺陷密度基本達到要求，僅對成品率還有一定影響。高壓大功率器件用SIC材料仍需努力，需要進一步改善材料缺陷密度。
第三代半導體電力電子器件的民用市場近期起步，將進入高速發展期。SiC和GaN器件正在滲透到以電動汽車、消費類電子、新能源、軌道交通等為代表的民用領域。
總之，不論現在存在什么困難，半導體如何發展， SIC無疑是新世紀一種充滿希望的“未來的材料”。2017年11月1-3日，由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟和中關村科技園區順義園管理委員會主辦的2017國際第三代半導體論壇（IFWS 2017）將在北京首都機場希爾頓酒店召開。會議臨近，期待您的到來！最新進展，論壇君將持續跟蹤“爆料”，敬請關注中國半導體照明網。
會議網站：
SSLCHINA詳情鏈接：http://www.sslchina.org/
IFWS詳情鏈接：http://ifws.sslchina.org/
參會報名請聯系:
張 女士
010-82387380
13681329411
zhangww@china-led.net
賈 先生
010-82387430
18310277858
jiaxl@china-led.net
許 先生
010-82387600 Ext 505
13466648667
xujh@china-led.net
